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模拟电子  一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/20318.html

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模拟电子  LSTTL电路的参数特性分析

LSTTL电路的参数特性分析

https://www.eeworm.com/dl/571/20410.html

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模拟电子  智能仪表中调节参数的数字化方法及其应用

本文主要介绍对智能仪表中调节参数的一种新方法。米取了通用的徽调电位器的硬件电路和经过数字化处理的软件方法, 使参数的调节及修正既方便又能长期保存。文中给出了有关的数学推导、硬件电路及软件程序。

https://www.eeworm.com/dl/571/20436.html

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模拟电子  1N系列稳压管参数

1N系列稳压管参数

https://www.eeworm.com/dl/571/20972.html

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模拟电子  场效应管的h参数等效模型

主要介绍场效应管H参数的模型

https://www.eeworm.com/dl/571/20997.html

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模拟电子  一种改进的LPCC参数提取方法

为了提高语音信号的识别率，提出了一种改进的LPCC参数提取方法。该方法先对语音信号进行预加重、分帧加窗处理，然后进行小波分解，在此基础上提取LPCC参数，从而构成新向量作为每帧信号的特征参数。最后采用高斯混合模型（GMM）进行说话人语音识别，实验表明新特征参数取得了较好的识别率。 ...

https://www.eeworm.com/dl/571/21098.html

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模拟电子  CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 &mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 &mu;m CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CS ...

https://www.eeworm.com/dl/571/21132.html

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模拟电子  整流二极管参数10A05--10A10

整流二极管参数10A05--10A10

https://www.eeworm.com/dl/571/21245.html

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模拟电子  整流二极管参数6A01--6A07

整流二极管参数6A01--6A07

https://www.eeworm.com/dl/571/21248.html

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模拟电子  整流二极管参数1N5400G--1N5408G

整流二极管参数1N5400G--1N5408G

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