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电子书籍 Tmos功率场效应晶体管原理和应用 292页 9.9M.pdf

器件数据手册专辑 120册 2.15GTmos功率场效应晶体管原理和应用 292页 9.9M.pdf
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电子书籍 VMOS功率场效应晶体管及其应用 225页 3.2M.pdf

器件数据手册专辑 120册 2.15GVMOS功率场效应晶体管及其应用 225页 3.2M.pdf
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电子书籍 Motorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用 292页 9.9M.pdf

单片机专辑 258册 4.20GMotorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用 292页 9.9M.pdf
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技术资料 lcos边缘场效应

lcos边缘场效应在实际应用中极大的影响了显示器件的性能,因此如何改善成为了重点关注的问题
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技术资料 砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路.pdf

砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路.pdf
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技术资料 Motorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用.pdf

Motorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用.pdf
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技术资料 VMOS功率场效应晶体管及其应用.pdf

VMOS功率场效应晶体管及其应用.pdf
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技术资料 结型场效应晶体管 原理与应用.pdf

结型场效应晶体管 原理与应用.pdf结型场效应晶体管 原理与应用.pdf
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技术资料 IRS2902驱动MOS管资料

以IRS2902S作D类功放驱动,以场效应管做功率放大,那么,栅极所串的二极管有什么作用?如果是为场效应管的栅极放电,但二极管D3,D4的正向电阻远远大于它们所并联的4.7R电阻,有大侠解惑。
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技术书籍 电子技术基础:模拟部分-(第四版)544页-华中理工-康华光.pdf

本书为普通高等教育“十五”国家级规划教材。前版荣获2002年全国普通高等学校优秀教材一等奖。其特点如下:1.加强了信号与电子系统的基本知识;2.对每一问题的讲述,先以概念引路,然后逐步展开分析与讨论,例如器件的建模,由物理概念讲述其参数,从而得出电路模型;3.坚持以集成电路为主线,加强CMOS器件等新内容;4.加强 ...
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