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技术资料 TP4058,600mA 线充电,锂电池正负极反接保护

特点·锂电池正负极反接保护;·高达600mA 的可编程充电电流;·无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管;·用于单节锂离子电池·恒定电流/恒定电压操作,并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能;·可直接从USB 端口给单节锂离子电池充电;·最高输入可达9V;·精度达到±1%的4.2V 预设充电电压;·自动 ...
https://www.eeworm.com/dl/850543.html
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技术资料 TP4057,500mA防锂电池反接保护

特点·锂电池正负极反接保护;·高达500mA的可编程充电电流;·无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管;·用于单节锂离子电池·恒定电流/恒定电压操作,并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能;·可直接从USB端口给单节锂离子电池充电;·精度达到±1%的4.2V预设充电电压;·最高输入可达9V;·自动再 ...
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技术资料 w5300中文

w5300 以太网芯片 中文资料 高性能Internet连接解决方案 W5300是一款0.18μm CMOS工艺的单芯片器件,内部集成10/100M以太网控制器,MAC和TCP/IP协 议栈。W5300使用方便、稳定可靠,广泛应用于高性能、低成本的Internet嵌入式领域。 W5300的目标是在高性能的嵌入式领域,如多媒体数据流服务。与WIZnet现有的芯片方案相比较, ...
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技术资料 基于均匀圆阵的多信号多参量估计中的参数配对问题

该文介绍了一种基于均匀圆阵的超分辨无源测频测向算法中存在的问题,并且就这一间题提出了一种较好的解决方案.基于均匀圆阵模型的超分辨无源测频测向算法分为直接法和间接法两种,直接法的测颇测向精度不高,间接法的测频测向精度虽然较高,但是,在来波包含多个单频信号的情况下,间接法容易发生各单频信号的频率、方位角 ...
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技术资料 城市亮化工程的网上单片机控制系统

亮化是一个国际化大都市的形象工程,用单片机和微型服务器组成亮化工程的控制系统,既可以满足多方案变化的要求,又可以利用互联网资源实现远程控制.程控柔变彩灯控制系统利用ATMEL单片机89C51控制单灯和群灯的色彩产生柔性变化;用串口通讯方法控制群灯的协调动作;用微型服务器实现设备上网.控制系统的硬件电路简单可靠;软件设 ...
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单片机编程 混合信号微型控制器C8051F330D中文数据手册

1 . 系统概述C8051F330/1器件是完全集成的混合信号片上系统型MCU。下面列出了一些主要特性,有关某一产品的具体特性参见表1.1。􀁹 高速、流水线结构的8051兼容的CIP-51内核(可达25MIPS)􀁹 全速、非侵入式的在系统调试接口(片内)􀁹 真正10位200 ksps的16通道单端/差分ADC,带模拟多路器&#104869 ...
https://www.eeworm.com/dl/502/30069.html
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技术资料 液晶LCD1602使用手册

1.基本特性·支持低电压操作(27V~5.5V)·显示容量为2行16个字符·底部LED背光·字符发生器ROM可显示240种字符(208个5×8点阵字符和32个5×10点阵字符)·64个字节的自定义字符RAM,可定义8个5×8点阵字符或4个5×10点阵字符模块组件内部主要由LCD显示屏,控制器,段驱动器和偏压产生电路构成。LCD显示屏为common和segment ...
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技术资料 小波变换在谐波检测中的应用分析研究.rar

电网谐波是影响电能质量的一个重要问题,由于谐波危害的严重性和普遍性,人们希望能够检测到谐波的时域和频域特征,从而达到抑制或消除谐波的目的。小波变换在时域和频域都具有局部性,能将不同频率的信号分解到不同频率范围的频带中去。检测谐波频率变化的间断谐波和非稳态谐波时,基于小波变换的谐波检测分析方法效果优于 ...
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技术资料 高性能嵌入式MCU内核设计与功能扩展.rar

设计一种单时钟/机器周期的MCU是极具挑战性的,是MCU体系结构、数字电路设计与理论、MCU应用系统的综合运用.本文提出的设计思想、设计方法、运用的手段和工具、给出的实际硬件实现,对MCU系统的研究与开发具有实际的科研价值和实用意义,有一定的创新性,作为嵌入式系统的控制单元具有广阔的应用前景.本文对51单片机指令系统进 ...
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单片机编程 单片机实用子程序(MCS-51库)

MCS-51单片机实用子程序库 ;片内RAM初始化子程序IBCLR: MOV A,R0MOV R1,ACLR AIBC1 : MOV @R1,AINC R1DJNZ R7,IBC1RET;片外RAM初始化子程序EBCLR1: MOV A,ADDPLMOV DPL,AMOV A,ADDPHMOV DPH,ACLR CEBC11: MOVX @DPTR,AINC DPTRDJNZ R7,EBC11RET;片外RAM初始化子程序(双字节个单元)EBCLR2: MOV A,ADDPLMOV DPL,AMOV A,ADDPH ...
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