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半导体消融 的查询结果
技术资料 VK36N3B SOP8 3个触摸按键,BCD输出,抗电源干扰特性好!
产品型号:VK36N3B
产品品牌:VINTEK/永嘉
封装形式:SOP8
产品年份:新年份产品
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1.概述:
VK36N3B具有3个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较高的集成度,仅需极少的外
部组件便可实现触摸按 ...
手册 Melexis产品手册
Melexis半导体产品手册
论文 单层MoS2的研究概述
单层的MoS2作为一种新型半导体材
料,在场效应晶体管、光发射二极管、
光伏器件和光催化等领域具有极大的潜
在应用价值。本文对单层的MoS2的制
备、应用及理论研究进行简单的概述。
论文 第一性原理研究MoS2的电子结构及光学性质
为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质,基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方
法,计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质,给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能
量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明:体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁,具有
间接带隙的半导体材 ...
手册 TA8211
TA8211是日本东芝半导体公司早期出品的一款双通道音频功率放大器,其具备6w x 2 输出功率,典型工作电源电压20V;适用于彩色电视机,收录机功率放大器和家庭音响等应用场合。TA8211采用单排12引脚直插封装工艺。
技术资料 智能汽车时代_功率半导体的发展新机遇-210603
电动汽车、SiC功率管发展趋势
技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
书籍 最新金属材料牌号、性能、用途及中外牌号对照速用速查实用手册.1
金属材料及其制品的
牌号、成分、性能、用途等知识均给予详细的阐述,具体包括金属材料基本知识,钢
材料的牌号、成分、性能、用途以及铁与铁合金、铜与铜合金、铝与铝合金、镁与镁
合金、锌与锌合金、钛与钛合金、镍与镍合金、粉末冶金、稀土金属、稀有金属、贵金
属及其合金、金属复合材料、专用合金、半金属与半导体材料 ...
技术资料 Fundamentals of Semiconductor Manufacturing And Process Control
半导体生产和过程控制的基础 这是一本系统介绍芯片生产工艺基础的好书,叙事严谨,条理清晰,值得一看
技术资料 针对超大规模集成电路设计的EDA工具原理解析
半导体制造技术的进步带来的新应用继续以惊人的速度增长。广泛的新产品,从高性能处理器到各种低功耗便携式设备,再到微型感应/通信/驱动芯片,促进了各种新的应用,这些应用已经改变并将继续改变我们的日常生活。然而,随着半导体行业向更小的特征尺寸发展,嵌入在超大规模集成电路(VLSI)中的晶体管数量持续增长,在高质 ...