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模拟电子 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。
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模拟电子 一种带振幅调节的晶体振荡器
设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。
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模拟电子 一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm ...
模拟电子 小型化电容加载腔体滤波器设计
利用电容加载传输线缩短理论，重新设计腔体滤波器的内部结构，利用T型梳状结构实现加载电容，减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通滤波器。在保持普通腔体滤波器高功率容量、小差损、高带外抑制等优点的基础上有效减小滤波器体积，从而有利于其小型化应用。 ...
模拟电子 2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终 ...
模拟电子 用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除和非线性失真抵消，具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 μm工艺设计，芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为1.8 V，总电流为8 mA，后仿真结果增益为19.2 dB，噪声因子为2. ...
模拟电子 定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 ...
模拟电子 基于第二代电流传输器的积分器设计
介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18 μm工艺参数，进行Hspice仿真，结果表明：电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04～1.15 V，电流跟随的线性范围为-9.02～6.66 mA，iX/iZ的-3 dB带宽为1.6 GHz。输出 ...
模拟电子 4-20mA，0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载 ...
模拟电子 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流水线（Pipelined）ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺，在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结 ...