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在控制单元的开关调整元件（T1）接通期间，能量流进贮能单元（C12）进行储能，当开关调整元件关断时，存储在电容里的能量通过滤波直接给负载供电，取样电路对输出电压进行取样，反馈到运放比较的输入端，运放电路将取样电压与PWM输出电压进行比较，比较之后输出一定脉宽给控制单元，控制开关调整元件的导通时间，从而控制储 ...

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死 ...

高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小，功耗的不断降低，要求 供电电压也越来越低，而输出电流则越来越大。 z 电源本身的高输出电流、低成本、高频化（ 500kHz～1MHz）高 功率密度、高可靠性、高效率的方向发展。 z 在低电压、大电流输出DC-DC变换器的整流管，其功耗占变换器 全部功耗的50～60％。 z用低导通电阻MOSFET代 ...

SVPWM 宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变

    场效应管的驱动输出是一个比较常见的问题。虽然场效应管导通电阻比晶体管要低很多很多，但要让它完全导通与关闭并不简单。比较简单的驱动办法是用专门的集成电路。美国IR2110芯片系常用的双通道驱动场效应管的集成芯片。设计为高、低双通道驱动输出。本电路不同点在于舍去了低通道驱动输出，采用高通道独立驱 ...

BUCKBOOST电路原理分析uck变换器：也称降压式变换器，是一种输出电压小于输入电压的单管不隔离直流变换器。                                                 图中，Q为开关管，其驱动电压一般 ...

电路主要包括以下七个单元电路：正弦波产生电路、正弦波放大及电平变换电路、峰值检测电路、增益控制电路、三角波产生电路、比较电路、低通滤波电路。正弦波产生电路采用文氏桥正弦波振荡电路，由放大电路、反馈电路（正反馈）、选频网络（和反馈电路一起）、稳幅电路构成，它的振荡频率为：f=1/(2Π*RC)，由R4和C1构成RC并 ...

本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...

ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。 ...

随着开关电源的发展，软开关技术得到了广泛的发展和应用，已研究出了不少高效率的电路拓扑，主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来，随着半导体器件制造技术的发展，开关管的导通电阻，寄生电容和反向恢复时间越来越小了，这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。对于谐振变换器来说，如果设计得当，能实 ...