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技术资料 step7 microWIN samrt中文版,西门子最新PLC编程软件 173.3M

西门子最新PLC编程软件step7 microWIN samrt中文版,目前论坛上的描述是中文版,实际都是英文版,谢谢通过。由于文件较大,放在百度网盘,附件提供了分享链接和提取码,打开即可下载或转存。
https://www.eeworm.com/dl/841083.html
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技术资料 高压大电流达林顿晶体管阵列系列 ULN2003应用电路及中文资料

ULN2003应用电路及中文资料要:ULN2000ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003电路是美国Texas Instruments 公司和Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路,文中介绍了它的电路构成、特征参数 ...
https://www.eeworm.com/dl/843025.html
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技术资料 32位CMOS RISC 微控制器 s3c2440 用户手册中文资料

32位CMOS RISC 微控制器 s3c2440 用户手册中文资料
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技术资料 重构-改善既有代码的设计(pdf中文版), 软件工程领域的超级经典巨著

软件工程领域的超级经典巨著,本书清晰揭示了重构的过程,解释了重构的原理和最佳实践方式,并给出了何时以及何地应该开始挖掘代码以求改善。书中给出了70多个可行的重构,每个重构都介绍了一种经过验证的代码变换手法的动机和技术。本书提出的重构准则给软件开发人员推荐了一种优秀的编程习惯和编程态度,这将帮助我们一次 ...
https://www.eeworm.com/dl/846120.html
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技术资料 玩具无线对讲/遥控 ICBK4802中文手册,对短距里语音应用有帮助

非常难得的资料,全部中文,对搞短距里语音的很有帮助BK4802 是一个专为玩具对讲/玩具遥控设 计的半双工模式的射频收发芯片,采用高 度集成化的 CMOS 工艺,支持 FM 调制/解 调模式和 ASK 调制/解调模式。该芯片集成 射频开关、低噪声放大器、混频器、中频 放大器/滤波器、模数转换器、FM/ASK 解调、.频率综合器、射频功率放 ...
https://www.eeworm.com/dl/846144.html
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技术资料 替代HT16C21 规格书 VK2C21中文资料

VK2C21 是一款存储器映射和多功能 LCD 控制 / 驱动芯片。该芯片显示模式有 80 点 (20×4) 或 128 点 (16×8)。VK2C21 的软件配置特性使得它 适用于多种 LCD 应用,包括 LCD 模块和显示子 系统。VK2C2X系列为I2C介面、RAM mapping的LCD控制暨驱动IC,此系列以先进设计技术降低IC耗电、提升抗杂讯及ESD防护能力。全系列包含VK ...
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技术资料 飞思卡尔 MCU mc90s8dz60中文资料,参考手册

飞思卡尔的中文资料,全面而实用,适合进行单片机开发的人进行学习参考。第 1 章器件概述MC9S08DZ60 系列器件主要用于需要融合 CAN (Controller Area Network) 网络和内嵌的EEPROM 的应用中,它有助于帮助用户降低成本,增强产品的性能并提高产品的质量。1.1 MC9S08DZ60 系列器件本数据手册介绍了以下 MC9S08DZ60 系列微控 ...
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技术资料 16MHz STM8S 8 位单片机的最新中文手册--高清版

STM8S103中文资料高级STM8内核,具有3级流水线的哈佛结构扩展指令集存储器程序存储器:8K字节Flash;10K次擦写后在55°C环境下数据可保存20年数据存储器:640字节真正的数据EEPROM;可达30万次擦写RAM:1K字节时钟、复位和电源管理2.95到5.5V工作电压灵活的时钟控制,4个主时钟源低功率晶体振荡器外部时钟输入用户可调整的 ...
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技术资料 关于车辆电磁兼容性能认证的统一规定 ECE_R10.中文版

欧洲经济委员会(ECE)汽车标准法规中文译本,好东西分享给大家,欢迎下载!法规 1 适用范围  2 定义  3 认证申请  4 认证  5 认证标志 6 技术要求  7 增加或替换电子部件(ESA)后,对车辆型式的认证更改和认证扩展 8 生产一致性  9 对生产不一 ...
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技术资料 64Mb SPI 串行双I/O 闪存SST25VF064C中文数据手册

64 Mb SPI 串行双I/O 闪存SST25VF064C数据手册SST 25 系列串行闪存采用四线、兼容SPI 的接口,从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装,并最终降低总系统成本。SST25VF064C SPI 串行闪存采用SST 专有的高性能CMOS SuperFlash® 技术制造。与其他方法相比,分离栅极单元设计(split-gate cell design)和厚氧化层隧穿注入 ...
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