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MOS管开关电路原理图

用NOS做一个开关电路,通过单片机普通i/o高低电平控制三极管通断,三极管的输出再决定MOS管通断,从而达到低控高的目的。和以往用继电器相比,MOS管反应速度更快,而且没有任何噪音。

2022-09-03 19:10:02 下载 2 查看 2,547
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电路常识性概念(8)-MOS

以N型管为例,2端为控制端,称为“栅极”;3端通常接地,称为“源极”;源极电压记作Vss,1端接正电压,称为“漏极”,漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通,栅极2上要加高电平。
       对P型管,栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通,栅极5要加低电平。
  &nb

2022-09-09 13:30:02 下载 5 查看 4,339
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开关电源的MOS管的驱动

 开关电源的MOS管的驱动,做开关电源时需要。

2022-09-29 13:10:02 下载 2 查看 2,696
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利用MOS管特性设计缓启动电路

电源接口设计中关于上电冲击电流的防护电路设计,采用新的设计思路设计的防冲击电路
2022-11-18 19:30:02 下载 1 查看 8,660
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MOS管参数详解及驱动电阻选择

MOS管参数详解及驱动电阻选择,设计师电阻选择手册。
2023-01-31 14:20:02 下载 10 查看 5,793
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自制单片机MSP-FET430仿真器

自制单片机MSP-FET430仿真器自制单片机MSP-FET430仿真器
2013-07-09 12:00:01 下载 95 查看 1,142
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自制单片机MSP-FET430仿真器

自制单片机MSP-FET430仿真器

前言:本想到市场买个自制的MSP-FET430仿真工具,但看其做工可不敢恭维。

2013-11-20 05:36:01 下载 175 查看 1,099
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MSP-FET430P140 Demo - Software Toggle P1.0

MSP-FET430P140 Demo - Software Toggle P1.0
2015-10-10 10:39:01 下载 185 查看 1,063
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//*** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** * // MSP-FET430x110 Demo - Software Toggle P1

//*** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** *** * // MSP-FET430x110 Demo - Software Toggle P1.0
2014-01-09 11:49:09 下载 89 查看 1,092
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自制单片机MSP-FET430仿真器

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2025-01-08 17:30:01 下载 1 查看 1,723
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屏幕保护程序是什么

屏幕保护程序是什么,相信大家都用过,但对于它的结构也许就不那么熟悉了。
2015-09-09 20:15:01 下载 117 查看 1,103
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实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用

实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用
2013-06-13 03:30:01 下载 136 查看 1,161
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实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用

实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用
2013-06-08 17:30:01 下载 32 查看 1,177
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实用晶闸管电路大全(SCR,MOS,GTR,IGBT应用)

·实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 466页
2013-07-27 23:30:01 下载 149 查看 1,151
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高速MOS驱动电路设计和应用指南

MOS设计应用指南
2014-12-24 09:00:01 下载 168 查看 1,073
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大功率输出的mos控制电路

大功率输出的mos控制电路,小空间内实现大功率控制,电压为24伏,使用DXP2004打开
2013-12-30 08:28:10 下载 167 查看 1,088
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高速MOS驱动电路设计和应用指南

高速MOS驱动电路设计和应用指南整篇文章开始于对MOSFET技术和开关工作的概述,随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。
2017-06-12 10:19:49 下载 3 查看 93
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功率MOS管的五种损坏模式详解

功率MOS管的五种损坏模式详解

2021-10-20 19:00:01 下载 10 查看 1,920
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国产MOS预驱动芯片EG3013 手册

高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V

内建死区控制电路

自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通

采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS

2022-01-02 00:00:01 下载 2 查看 10,447
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MOS管的米勒效应-讲的很详细

MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时

2022-03-20 21:00:02 下载 4 查看 3,646
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