main.c

FDTD 模拟 天线 包含 近场－远场 外推程序（时谐场）

# include "initial.h"
# include "fd2d.h"
# include "fd3d.h"


/* Variable Definition 
    MODULE *pModule;
    基本结构信息,在initial.h中定义,包括层数,端口数,通孔数,问题类型,
    入射波是TE波或TM波或者没有,吸收边界条件用哪种,六个面分别是电壁,
    磁壁,ABC,还是端口,各层介电常数和电导率,端口信息,通孔信息,各层信
    息;其中,端口信息包括位置(左右或前后),范围,贴片的宽度和所处高度,
    接地板在上或在下,介电常数,待求的传播常数和特征阻抗;通孔信息包括
    通孔形状和上下位置;各层信息包括各层的上下位置,导体数,槽数,以及
    导体和槽的形状. 又加上了三维数组介电常数,电导率.
*/   

int main(void)
{

   char Voltage_Name[]="Volt.dat";
   MODULE *pModule;

   pModule=MODULE_malloc(1);   /* Record the Information of the Problem */


   InputData();
   Initial(pModule);          /* Input the Parameters */
   Pre_Process(pModule);      /* Solve the time step dt 
                                 Gaussian Pulse Width T and start_time t0 */

/* ================================================== 

    2D ---   Solve the Incident Field at the Input Port
             and Phase Constant, Characteristic Impedance 

   ==================================================
*/


   FDTD_2D(pModule,Voltage_Name);  

   printf("2-D Analysis Completion \n");

/* ====================================================
  
    3D ----   Solve the 3-D S-Parameters  S11 and S21 
              
   ====================================================
*/         


   FDTD_3D(pModule,Voltage_Name);    

   ClearInputMemory(pModule);
   free(pModule);

   return 0;

}