flash.c

《嵌入式系统-使用HCS12微控制器的设计与应用》在CodeWarrior开发环境下的源程序。

//[Flash.c]Flash擦写-------------------------------------------------------*
//本文件包含:                                                              *
//    (1)Flash_Erase_Sector:擦除一个指定的扇区                             *
//    (2)Flash_Write_Nword:向一个指定的区域写入若干个字                    *
//-------------------------------------------------------------------------*

//头文件
#include  "Flash.h"    //Flash擦写头文件
void Erase_Write_Pretreat(INT8U page);   //擦写子函数内部调用的函数声明
//页所对应的块对照表
//两个flash块,每块4页           flash0                flash1        
const INT8U pagetable[2][4] = {{0x3C,0x3D,0x3E,0x3F},{0x38,0x39,0x3A,0x3B}};

//Flash_Erase_Sector:擦除指定的扇区----------------------------------------*
//功  能:对页号为page,扇区首地址为addr的一个扇区进行擦除                   *
//参  数:page--页号(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)               *
//       addr--扇区首地址(偶数)                                            *
//返  回:无                                                                *
//注  意:调用该函数之前,必须确定要擦除的区域可擦除                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Erase_Sector(INT8U page,INT16U addr)
{
    //1 判断是否已分频、清相关错误标志、根据页号选择相应的flash块 
    Erase_Write_Pretreat(page);    //擦写子函数共同调用的内部子函数
    //2 向要擦除的扇区首地址写任意值(注意:经实验证实,不可以写0x0000)
    *(INT16U *)addr = 0xFFFF;
    //3 向命令寄存器写扇区擦除命令
    FCMD = 0x40; 
    //4 在加高压期间,调用RAM区的机器码,相当于两条语句:
    //  FSTAT=0x80; 
    //  while(!(FSTAT&0x40));
    asm("JSR PrgOfRam");
}



//Flash_Write_Nword:向指定的扇区写入若干个字-------------------------------*
//功  能:将从address_source开始的len个字,写入页号为 page,起始地址为        *
//       address_destination的扇区                                         *
//参  数:page--页映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//       address_destination--目标扇区首地址(偶数)                         *
//       address_source--源地址                                            *
//       len--字数(一次最多写入一行,即128个字)                             *
//返  回:无                                                                *
//注  意:调用该函数之前,必须确定要写入的区域可写入                         *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Flash_Write_Nword(INT8U page,INT16U address_destination,
                              INT16U address_source,INT8U len)
{
    INT8U m;
    //1 判断是否已分频、清相关错误标志、根据页号选择相应的flash块 
    Erase_Write_Pretreat(page);   //擦写子函数共同调用的内部子函数
    //2 写入若干个字
    for (m=0; m<len; m++)
    {
        //(1) 将源地址的一个字写入目标地址
        *(INT16U  *)address_destination = *(INT16U  *)address_source;
        //(2) 向命令寄存器写字写入命令
        FCMD = 0x20;
        //(3) 在加高压期间,调用RAM区的机器码,相当于两条语句:
        //    FSTAT=0x80; 
        //    while(!(FSTAT&0x40));
        asm("JSR PrgOfRam");
        //(4) 源地址和目标地址同时向后移一个字
        address_destination = address_destination+2;
        address_source = address_source+2;
    }
}

//Erase_Write_Pretreat:开始擦除或写入前的公共操作序列子函数----------------*
//功  能:判断是否已分频;清相关错误标志;根据页号选择相应的flash块;如果页号不*
//       为0,则设置PPAGE寄存器                                             *
//参  数:page--页映射地址(0x38,0x39,0x3A,0x3B,0x3C,0x3D,0x3E,0x3F)         *
//返  回:无                                                                *
//-------------------------------------------------------------------------*
void Erase_Write_Pretreat(INT8U page)
{
    INT8U i,j;
    //1 判断是否设置时钟分频,若无分频,则先分频
    if ((FCLKDIV&0x80) == 0) FCLKDIV |= 0x03;
    //2 清保护错误和访问错误标志位
    FCNFG |= 0x01;    //FCNFG的第0位置1,选择BLOCK1
    FSTAT |= 0x30;    //清保护错误和访问错误标志位   
    FCNFG &= 0xFE;    //FCNFG的第0位置0,选择BLOCK0
    FSTAT |= 0x30;    //清保护错误和访问错误标志位
    //3 查表、选择块号,如果页号不为0就设置页寄存器
    if (page != 0)
    {
        for (i = 0;i < 2;i++)
        {
            for (j = 0;j < 4;j++)
            {
                if (page == pagetable[i][j])
                    break;
            }
            if (j < 4)
                break;
        }
        if (i == 0)  FCNFG &= 0xFE;    //页号3C~3F,选择BLOCK0
        if (i == 1)  FCNFG |= 0x01;    //页号38~3B,选择BLOCK1
        PPAGE = page;    //设置页寄存器
    }
}