instruction.txt

《嵌入式系统-使用HCS12微控制器的设计与应用》在CodeWarrior开发环境下的源程序。

1 程序功能:
      在通用串口程序的串行发送窗口中输入"?"将返回下列提示信息：
      "E:PAGE:ADDR"(擦除指定扇区)
      "W:PAGE:ADDR:N:DATA"(将数据写入指定的扇区)
      "R:page:ADDR:N"(读取指定扇区中的数据)
      "S:BackdoorKey"(设置后门机制进入密码)
      "C:SecureByte"(改变安全状态)
      "U:BackdoorKeycured"(使用后门机制解密)
      A 对于前三项操作:
          PAGE为页号,大小为1个字节，范围从38~3F;
          ADDR为扇区首地址(一个扇区大小为512字节),例如8000,8200;
          N为字节个数(0~F);
          DATA为要写入Flash的数据;
      举例如下:
          "E:38:8000"(擦除页号为38,扇区首地址为8000的一个扇区)
          "W:38:8000:8:12345678"(向页号为38,地址从8000开始的Flash区写入8个字节的数据12345678)
          "W:38:8000:8"(读取页号为38,地址从8000开始的8个字节的数据)
      B 对于后三项操作,是使用后门密码机制:
          "S:BackdoorKey"中的BackdoorKey为密码,共八个字节,输入时可以输入"FFFFFFFFFFFFFFFF",
      两个FF算一个字节
          "C:SecureByte"中的SecureByte为安全状态字节,当输入"FF"的时候是加密状态,当输入"FE"的
      时候是未加密状态
          "U:BackdoorKeycured"中的BackdoorKeycured是使用"S:BackdoorKey"设置好的八个字节密码,
      如果没有设置密码,默认为八字节的FF
      举例如下:
          首先输入"S:FFFFFFFFFFFFFFFF",设置密码为八字节FF,然后输入"C:FF",设置成加密状态,这时
      外面对Flash无法进行擦写操作,解密过程是这样的,输入"U:FFFFFFFFFFFFFFFF",其中的
      "FFFFFFFFFFFFFFFF"是用"S:FFFFFFFFFFFFFFFF"设置的密码,解密成功后,输入"C:FE"设置成未加密
      状态即可.
2 由于在Flash擦写时会在Flash区产生高压,造成擦写不稳定,本工程采用了如下的技巧进行擦写操作:
      把在Flash区高压时要执行的擦写程序代码翻译成机器码,存放在RAM区,当执行擦写操作时,执行RAM区
      擦写程序代码的机器码,这样就避免了擦写操作不稳定。存放在RAM区的机器码相当于下面两行代码    
          FSTAT=0x08; 
          while(!(FSTAT&0x40));
3 当擦除页号为3E时,擦除开始地址不能为8000,因为程序存放在该块Flash区,擦除了以后程序不能正常执行.
  当要擦除的页号为3E时,一般开始地址选择较后的地址，比如A000。