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MOS CHARGE PUMPVIN 4 0 DC 0V PULSE 0 5 15NS 5NS 5NS 50NS 100NSVDD 5 6 DC 0V PULSE 0 5 25NS 5NS 5NS 50NS 100NSVBB 0 7 DC 0V PULSE 0 5 0NS 5NS 5NS 50NS 100NSRD 6 2 10KM1 5 4 3 7 MMOD W=100UMVS 3 2 0VC 2 1 0C2 1 0 10PF.IC V(3)=1.0.TRAN 2NS 200NS.OPTIONS ACCT BYPASS=1.PRINT TRAN V(1) V(2).MODEL MMOD NUMOS+ X.MESH N=1 L=0+ X.MESH N=3 L=0.4+ X.MESH N=7 L=0.6+ X.MESH N=15 L=1.4+ X.MESH N=19 L=1.6+ X.MESH N=21 L=2.0++ Y.MESH N=1 L=0+ Y.MESH N=4 L=0.015+ Y.MESH N=8 L=0.05+ Y.MESH N=12 L=0.25+ Y.MESH N=14 L=0.35+ Y.MESH N=17 L=0.5+ Y.MESH N=21 L=1.0++ REGION NUM=1 MATERIAL=1 Y.L=0.015+ MATERIAL NUM=1 SILICON+ MOBILITY MATERIAL=1 CONCMOD=SG FIELDMOD=SG++ REGION NUM=2 MATERIAL=2 Y.H=0.015 X.L=0.5 X.H=1.5+ MATERIAL NUM=2 OXIDE++ ELEC NUM=1 IX.L=18 IX.H=21 IY.L=4 IY.H=4+ ELEC NUM=2 IX.L=5 IX.H=17 IY.L=1 IY.H=1+ ELEC NUM=3 IX.L=1 IX.H=4 IY.L=4 IY.H=4+ ELEC NUM=4 IX.L=1 IX.H=21 IY.L=21 IY.H=21++ DOPING UNIF N.TYPE CONC=1E18 X.L=0.0 X.H=0.5 Y.L=0.015 Y.H=0.25+ DOPING UNIF N.TYPE CONC=1E18 X.L=1.5 X.H=2.0 Y.L=0.015 Y.H=0.25+ DOPING UNIF P.TYPE CONC=1E15 X.L=0.0 X.H=2.0 Y.L=0.015 Y.H=1.0+ DOPING UNIF P.TYPE CONC=1.3E17 X.L=0.5 X.H=1.5 Y.L=0.015 Y.H=0.05++ MODELS CONCMOB FIELDMOB+ METHOD ONEC.END
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