test.c

可以多点显示

#include "reg52.h"
#include "intrins.h"
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit ds=P2^2;
sbit led=P2^0;
sbit led1=P2^1;
uchar flag ;
uint temp;               //参数temp一定要声明为 int 型 
uchar code table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,
0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};     //不带小数点数字编码
/*延时函数*/
void TempDelay (uchar us)
{
   while(us--);
}
void delay(uint count) //延时子函数
{
uint i;
while(count)
{
i=200;
while(i>0)
i--;
count--;
}
}

/*串口初始化，波特率9600，方式1 */
void init_com()
{
   TMOD=0x20;      //设置定时器1为模式2
   TH1=0xfd;       //装初值设定波特率
   TL1=0xfd;
   TR1=1;          //启动定时器
   SM0=0;          //串口通信模式设置
   SM1=1;
// REN=1;          //串口允许接收数据
   PCON=0;         //波特率不倍频
//  SMOD=0;       //波特率不倍频
  // EA=1;          //开总中断
  //ES=1;          //开串行中断
}

/*数码管的显示 */
void display(uint temp)
{
 uchar shi,ge;
 shi=temp/100;
 ge=temp%100/10;

 P1=0xbf;
 P0=table[shi]; 
    
 delay(1);
 P1=0x7f;
 P0=table[ge];  
   
 delay(1);
 
 
}
void ds_reset(void)
{
   ds=1;
   _nop_();        //1us
   ds=0;
   TempDelay(80);  //当总线停留在低电平超过480us，总线上所以器件都将被复位，这里//延时约530us总线停留在低电平超过480μs，总线上的所有器件都
//将被复位。
   _nop_(); 
   ds=1;           //产生复位脉冲后，微处理器释放总线,让总线处于空闲状态，原因查//18b20中文资料

   TempDelay(5);  //释放总线后，以便从机18b20通过拉低总线来指示其是否在线,
                  //存在检测高电平时间：15~60us， 所以延时44us，进行            1-wire presence //detect（单线存在检测）
   _nop_();
   _nop_();
   _nop_();
   if(ds==0)
        flag=1;       //detect 18b20 success
   else
        flag=0;       //detect 18b20 fail
        TempDelay(20);    //存在检测低电平时间：60~240us，所以延时约140us
        _nop_();
        _nop_();
        ds=1;          //再次拉高总线，让总线处于空闲状态
/**/
}

/*----------------------------------------
读/写时间隙:
DS1820 的数据读写是通过时间隙处理
位和命令字来确认信息交换。
------------------------------------------*/
bit  ds_read_bit(void)    //读一位
{
   bit dat;
   ds=0;         //单片机（微处理器）将总线拉低
   _nop_();       //读时隙起始于微处理器将总线拉低至少1us
   ds=1;        //拉低总线后接着释放总线，让从机18b20能够接管总线，输出有效数据
   _nop_();
   _nop_();          //小延时一下，读取18b20上的数据 ,因为从ds18b20上输出的数据
//在读"时间隙"下降沿出现15us内有效
   dat=ds;           //主机读从机18b20输出的数据，这些数据在读时隙的下降沿出现//15us内有效 
   TempDelay(10);    //所有读"时间隙"必须60~120us，这里77us
   return(dat);       //返回有效数据
}
uchar ds_read_byte(void ) //读一字节
{

uchar value,i,j;
value=0;           //一定别忘了给初值
for(i=0;i<8;i++)
{
    j=ds_read_bit();
     value=(j<<7)|(value>>1);   //这一步的说明在一个word文档里面
}
return(value);        //返回一个字节的数据
}
void ds_write_byte(uchar dat) //写一个字节
{
  uchar i;
  bit onebit;        //一定不要忘了，onebit是一位
  for(i=1;i<=8;i++) 
  {
    onebit=dat&0x01;
    dat=dat>>1;
if(onebit)      //写 1
{
      ds=0;
      _nop_();    
      _nop_();      //看时序图，至少延时1us，才产生写"时间隙"  
      ds=1;       //写时间隙开始后的15μs内允许数据线拉到高电平
     TempDelay(5);  //所有写时间隙必须最少持续60us
}
else         //写 0
{
ds=0;
     TempDelay(8);    //主机要生成一个写0 时间隙，必须把数据线拉到低电平并保持至少60μs，这里64us
ds=1;
_nop_();
     _nop_();
}
  }
}
void tem_change()
{
  ds_reset(); 
  delay(1);              //约2ms
  ds_write_byte(0xcc);
  ds_write_byte(0x44);
}

/*----------------------------------------
获得温度：
------------------------------------------*/
uint get_temperature()
{
  float wendu;
  uchar a,b;
  ds_reset();
  delay(1);              //约2ms
  ds_write_byte(0xcc);
  ds_write_byte(0xbe);
  a=ds_read_byte();
  b=ds_read_byte();
if(b>15){ 
  led=1;
  temp=b;
  temp<<=8;
  temp=temp|a;
  temp=~temp+1;
  wendu=temp*0.0625;     //温度读取的解释我记录在 "倒塌 18B20"里面
  temp=wendu*10+0.5;
 }
 else{ temp=b;
  temp<<=8;
  temp=temp|a;
  wendu=temp*0.0625;    
  temp=wendu*10+0.5;
   led=0;}
  return temp;
}
/*----------------------------------------
读ROM   
------------------------------------------*/
/*
void ds_read_rom()                  //这里没有用到
{
   uchar a,b;
   ds_reset();
   delay(30);
   ds_write_byte(0x33);
   a=ds_read_byte();
   b=ds_read_byte();
}
*/
sbit ds1=P2^3;
/*串口初始化，波特率9600，方式1 */
void init_com1()
{
   TMOD=0x20;      //设置定时器1为模式2
   TH1=0xfd;       //装初值设定波特率
   TL1=0xfd;
   TR1=1;          //启动定时器
   SM0=0;          //串口通信模式设置
   SM1=1;
// REN=1;          //串口允许接收数据
   PCON=0;         //波特率不倍频
//  SMOD=0;       //波特率不倍频
  // EA=1;          //开总中断
  //ES=1;          //开串行中断
}

/*数码管的显示 */
void display1(uint temp)
{
    uchar shi,ge;
 shi=temp/100;
   ge=temp%100/10;

   P1=0xef;
   P0=table[shi]; 
   
   delay(1);
   P1=0xdf;
   P0=table[ge];  
    
  delay(1);
 
}
void ds1_reset(void)
{
   ds1=1;
   _nop_();        //1us
   ds1=0;
   TempDelay(80);  //当总线停留在低电平超过480us，总线上所以器件都将被复位，这里//延时约530us总线停留在低电平超过480μs，总线上的所有器件都
//将被复位。
   _nop_(); 
   ds1=1;           //产生复位脉冲后，微处理器释放总线,让总线处于空闲状态，原因查//18b20中文资料

   TempDelay(5);  //释放总线后，以便从机18b20通过拉低总线来指示其是否在线,
                  //存在检测高电平时间：15~60us， 所以延时44us，进行            1-wire presence //detect（单线存在检测）
   _nop_();
   _nop_();
   _nop_();
   if(ds1==0)
        flag=1;       //detect 18b20 success
   else
        flag=0;       //detect 18b20 fail
  TempDelay(20);    //存在检测低电平时间：60~240us，所以延时约140us
   _nop_();
   _nop_();
   ds1=1;          //再次拉高总线，让总线处于空闲状态
/**/
}

/*----------------------------------------
读/写时间隙:
DS1820 的数据读写是通过时间隙处理
位和命令字来确认信息交换。
------------------------------------------*/
bit  ds1_read_bit(void)    //读一位
{
   bit dat;
   ds1=0;         //单片机（微处理器）将总线拉低
  _nop_();       //读时隙起始于微处理器将总线拉低至少1us
   ds1=1;        //拉低总线后接着释放总线，让从机18b20能够接管总线，输出有效数据
   _nop_();
   _nop_();          //小延时一下，读取18b20上的数据 ,因为从ds18b20上输出的数据
//在读"时间隙"下降沿出现15us内有效
   dat=ds1;           //主机读从机18b20输出的数据，这些数据在读时隙的下降沿出现//15us内有效 
   TempDelay(10);    //所有读"时间隙"必须60~120us，这里77us
   return(dat);       //返回有效数据
}
uchar ds1_read_byte(void ) //读一字节
{

uchar value,i,j;
value=0;           //一定别忘了给初值
for(i=0;i<8;i++)
{
    j=ds1_read_bit();
     value=(j<<7)|(value>>1);   //这一步的说明在一个word文档里面
}
return(value);        //返回一个字节的数据
}
void ds1_write_byte(uchar dat) //写一个字节
{
  uchar i;
  bit onebit;        //一定不要忘了，onebit是一位
  for(i=1;i<=8;i++) 
  {
    onebit=dat&0x01;
    dat=dat>>1;
if(onebit)      //写 1
{
ds1=0;
_nop_();    
      _nop_();      //看时序图，至少延时1us，才产生写"时间隙"  
ds1=1;       //写时间隙开始后的15μs内允许数据线拉到高电平
     TempDelay(5);  //所有写时间隙必须最少持续60us
}
else         //写 0
{
ds1=0;
     TempDelay(8);    //主机要生成一个写0 时间隙，必须把数据线拉到低电平并保持至少60μs，这里64u
ds1=1;
_nop_();
     _nop_();
}
  }
}
void tem_change1()
{
  ds1_reset(); 
  delay(1);              //约2ms
  ds1_write_byte(0xcc);
  ds1_write_byte(0x44);
}

/*----------------------------------------
获得温度：
------------------------------------------*/
uint get_temperature1()
{
  float wendu;
  uchar a,b;
  ds1_reset();
  delay(1);              //约2ms
  ds1_write_byte(0xcc);
  ds1_write_byte(0xbe);
  a=ds1_read_byte();
  b=ds1_read_byte();
if(b>15){
  led1=1; 
  temp=b;
  temp<<=8;
  temp=temp|a;
temp=~temp+1;
wendu=temp*0.0625;     //温度读取的解释我记录在 "倒塌 18B20"里面
  temp=wendu*10+0.5;}
  else{
  led1=0;
  temp=b;
  temp<<=8;
  temp=temp|a;
  wendu=temp*0.0625;     //温度读取的解释我记录在 "倒塌 18B20"里面
  temp=wendu*10+0.5;}
  return temp;
}
/*----------------------------------------
读ROM   
------------------------------------------*/
/*
void ds1_read_rom()                  //这里没有用到
{
   uchar a,b;
   ds1_reset();
   delay(30);
   ds1_write_byte(0x33);
   a=ds1_read_byte();
   b=ds1_read_byte();
}
*/
void main()
{
   uint a;
   init_com();
   init_com1();
   while(1)
   {
tem_change();
tem_change1();//12位转换时间最大为750ms
for(a=10;a>0;a--)
{display( get_temperature());
display1( get_temperature1());
}
   }
}