two_ds1820_lcd_read.c

来自「89C52单片机12M晶振下DS18B20温度传感器测量温度应用子程序源码」· C语言 代码 · 共 229 行

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//			                    头文件区                                //
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#include <reg52.h>					/*单片机内部寄存器*/

#include <intrins.h>				/*内部函数调用，如_nop_() 、_crol_()、cror();*/

#include <absacc.h>	    			/*绝对地址访问，如XBYTE[0x0fff0]*/

#include <LCD1602_packet.h>	    			/*LCD 的初始化*/

#define pot 10
unsigned char disp[17]="temperature is:  ";
unsigned char disp_number[]="0123456789.";
unsigned char buffer[17]="                 ";  
unsigned char temp[10];

/*--------------------------------------------------------------------------
DS1820.H


--------------------------------------------------------------------------*/
sbit TSOR = P2^3;

static unsigned char MSB=0,LSB=0;//温度值的整数部分，小数部分

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//			                延时子程序　                                //
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void delay(unsigned int d)
{
	while(d--);
}
/*
void delay100ms(void)
{
	unsigned char i,j,k;
	for(i=0;i<8;i++)
		for(j=0;j<25;j++)
			for(k=0;k<250;k++);
}
*/
void delay15us(void)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<8;i++);
}

void delay60us(void)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<30;i++);
}

void write_0_DS(void)//写 bit 0
{//写数据位0：置总线为低电平并保持至少15us，
//然后保持低电平15us~45us等待从端对电平采样，最后拉高电平完成写操作
	TSOR=1;
	TSOR=0;
	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();

	TSOR=1;

	_nop_();
	_nop_();
}

void write_1_DS(void)//写 bit 1
{//写数据位1：置总线为低电平并保持1us~15us，
//然后拉高电平并保持15us~45us等待从端对电平采样，最后完成写操作
	TSOR=1;
	TSOR=0;
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();

	TSOR=1;

	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	delay15us();
	delay15us();
}


bit read_DS(void)//读取数据位
{//读数据位：置总线为低电平并保持至少1us，然后拉高电平保持1us，
//在15us内采样总线电平获得数据，延时45us完成读操作
	bit b;

	TSOR=1;
	TSOR=0;
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();

	TSOR=1;

	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();

	b=TSOR;

	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();
	_nop_();
	_nop_();

	return b;
}

void reset_DS(void)//复位总线
{//总线复位：置总线为低电平并保持480us，然后拉高电平，
//等待从端重新拉低电平作为响应，则总线复位完成
	unsigned char i;

	TSOR=1;
	TSOR=0;
	for(i=0;i<9;i++)
	delay60us();
	TSOR=1;

	while(TSOR);//程序的关键，总线控制器发出（TX）一个复位脉冲（一个最少480us的
	//低电平信号），然后释放总线，进入接收状态（RX）。单线总线由4.7K上拉电阻拉到
	//到高电平。探测到I/0引脚上的上升沿后，DS182015等待15~60us，然后发出存在脉冲
	//（一个60~240us的低电平信号。

	for(i=0;i<3;i++)
	delay60us();	
}

void write_byte_DS(unsigned char byte)//写一个字节（byte)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		if(byte & 0x01==0x01)		//最低bit是否为0？
			write_1_DS();
		else 
			write_0_DS();
		byte=byte>>1;
	}
}

unsigned char read_byte_DS(void)	//读一个字节（byte)
{
	unsigned char i,j=0;
	bit b;

	for(i=0;i<8;i++)
	{
		b=read_DS();				//读取1bit
		if(b)						//为1否？
			j+=1;
		j=_cror_(j,1);				//循环右移1位
	}
	return j;
}

void DS1820_system_Init(void)
{
	reset_DS();						//复位总线
	write_byte_DS(0xcc);			//忽略ROM匹配操作
	write_byte_DS(0x4e);			//设置写模式
	write_byte_DS(0x64);			//写温度上限TH为100度
	write_byte_DS(0x8a);			//写温度下限为负10度
	write_byte_DS(0x1f);			//写温度计配置寄存器
}


int get_temperature_DS1820(void)				//获得温度，2字节的数据分别放在MSB,LSB中
{
	unsigned char i;
	reset_DS();						//复位总线
	write_byte_DS(0x33);			//ROM匹配操作

	for(i=0;i<8;i++)
	{
		temp[i]=read_byte_DS();//读出64位ROM序列
	}

	for(i=0;i<8;i++)
	{
		buffer[5]=disp_number[temp[i]/100];
		buffer[6]=disp_number[temp[i]/10%10];
		buffer[7]=disp_number[temp[i]%10];
		buffer[0]=disp_number[i+1];

		LCD_display(0,0,disp);
		LCD_display(1,0,buffer);
		delay(60000);
		delay(60000);
		delay(60000);
	}
}


void main(void)
{
	LCD_system_Init ();

	DS1820_system_Init();

	while(1)
	{
		get_temperature_DS1820();	
	}  
}