📄 ds1820ds.lst
字号:
168 1 _nop_();
169 1 _nop_();
170 1 _nop_();
171 1 _nop_();
172 1 _nop_();
173 1 _nop_();
174 1 _nop_();
175 1
176 1 TSOR=1;
177 1
178 1 _nop_();
179 1 _nop_();
C51 COMPILER V7.09 DS1820DS 05/01/2005 18:17:00 PAGE 4
180 1 _nop_();
181 1 _nop_();
182 1 _nop_();
183 1 _nop_();
184 1 _nop_();
185 1 delay15us();
186 1 delay15us();
187 1 }
188
189
190 bit read_DS(void)//读取数据位
191 {//读数据位：置总线为低电平并保持至少1us，然后拉高电平保持1us，
192 1 //在15us内采样总线电平获得数据，延时45us完成读操作
193 1 bit b;
194 1
195 1 TSOR=1;
196 1 TSOR=0;
197 1 _nop_();
198 1 _nop_();
199 1 _nop_();
200 1
201 1 TSOR=1;
202 1
203 1 _nop_();
204 1 _nop_();
205 1 _nop_();
206 1
207 1 b=TSOR;
208 1
209 1 delay15us();
210 1 delay15us();
211 1 delay15us();
212 1 _nop_();
213 1 _nop_();
214 1
215 1 return b;
216 1 }
217
218 void reset_DS(void)//复位总线
219 {//总线复位：置总线为低电平并保持480us，然后拉高电平，
220 1 //等待从端重新拉低电平作为响应，则总线复位完成
221 1 unsigned char i;
222 1
223 1 TSOR=1;
224 1 TSOR=0;
225 1 for(i=0;i<9;i++)
226 1 delay60us();
227 1 TSOR=1;
228 1
229 1 while(TSOR);//程序的关键，总线控制器发出（TX）一个复位脉冲（一个最少480us的
230 1 //低电平信号），然后释放总线，进入接收状态（RX）。单线总线由4.7K上拉电阻拉到
231 1 //到高电平。探测到I/0引脚上的上升沿后，DS182015等待15~60us，然后发出存在脉冲
232 1 //（一个60~240us的低电平信号。
233 1
234 1 for(i=0;i<3;i++)
235 1 delay60us();
236 1 }
237
238 void write_byte_DS(unsigned char byte)//写一个字节（byte)
239 {
240 1 unsigned char i;
241 1 for(i=0;i<8;i++)
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242 1 {
243 2 if(byte & 0x01==0x01) //最低bit是否为0？
244 2 write_1_DS();
245 2 else
246 2 write_0_DS();
247 2 byte=byte>>1;
248 2 }
249 1 }
250
251 unsigned char read_byte_DS(void) //读一个字节（byte)
252 {
253 1 unsigned char i,j=0;
254 1 bit b;
255 1
256 1 for(i=0;i<8;i++)
257 1 {
258 2 b=read_DS(); //读取1bit
259 2 if(b) //为1否？
260 2 j+=1;
261 2 j=_cror_(j,1); //循环右移1位
262 2 }
263 1 return j;
264 1 }
265
266 void init_DS(void)
267 {
268 1 reset_DS(); //复位总线
269 1 write_byte_DS(0xcc); //忽略ROM匹配操作
270 1 write_byte_DS(0x4e); //设置写模式
271 1 write_byte_DS(0x64); //写温度上限TH为100度
272 1 write_byte_DS(0x8a); //写温度下限为负10度
273 1 write_byte_DS(0x1f); //写温度计配置寄存器
274 1 }
275
276 void get_temp_DS(void) //获得温度，2字节的数据分别放在MSB,LSB中
277 {
278 1 reset_DS(); //复位总线
279 1 write_byte_DS(0xcc); //忽略ROM匹配操作
280 1 write_byte_DS(0x44); //温度转换命令
281 1 delay100ms();
282 1 delay100ms();
283 1 delay100ms();
284 1
285 1
286 1 reset_DS(); //复位总线
287 1 write_byte_DS(0xcc); //忽略ROM匹配操作
288 1 write_byte_DS(0xbe); //读取寄存器
289 1
290 1 LSB=read_byte_DS(); //读取第1字节
291 1 MSB=read_byte_DS(); //读取第2字节
292 1 read_byte_DS(); //读取第3字节
293 1 read_byte_DS(); //读取第4字节
294 1 read_byte_DS(); //读取第5字节
295 1 read_byte_DS(); //读取第6字节
296 1 count_remain=read_byte_DS(); //读取第7字节
297 1 count_pre_c=read_byte_DS(); //读取第8字节
298 1 read_byte_DS(); //读取第9字节
299 1 /*
300 1 MSB=MSB<<4;
301 1 MSB+=(LSB&0xf0)>>4; //获得温度值整数部分
302 1 LSB=(LSB&0x0f) ? 5:0; //获得温度值小数部分
303 1 //count_pre_c=(count_pre_c-count_remain)*10/count_pre_c;*/
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304 1 }
305
306 void main(void)
307 {
308 1 TSOR=1; //1-wire总线释放
309 1
310 1 showdate(2);
311 1 delay(60000);
312 1
313 1 init_DS();
314 1
315 1 while(1)
316 1 {
317 2 get_temp_DS();
318 2 showdate(count_remain*1000);
319 2 delay(50000);
320 2
321 2 get_temp_DS();
322 2 showdate(count_pre_c);
323 2 delay(50000);
324 2 }
325 1 }
MODULE INFORMATION: STATIC OVERLAYABLE
CODE SIZE = 632 ----
CONSTANT SIZE = 34 ----
XDATA SIZE = ---- ----
PDATA SIZE = ---- ----
DATA SIZE = 12 6
IDATA SIZE = ---- ----
BIT SIZE = ---- 2
END OF MODULE INFORMATION.
C51 COMPILATION COMPLETE. 0 WARNING(S), 0 ERROR(S)
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