ds1820ds.c

89C52单片机12M晶振下DS18B20温度传感器测量温度应用子程序源码

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//			                    头文件区                                //
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#include <reg52.h>					/*单片机内部寄存器*/

#include <intrins.h>				/*内部函数调用，如_nop_() 、_crol_()、cror();*/

#include <absacc.h>	    			/*绝对地址访问，如XBYTE[0x0fff0]*/


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//			                  全局变量定义区                            //
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#define Com7218 XBYTE [0x0300]		//外部地址必须大于FF，否则不能正常读写

#define IN0 XBYTE[0x8FFa]  			//定义ADC0809的通道0地址//ADC0809地址定义

sbit ICM7218Mode = P1^4;			//7218模式选择，状态为0是即选择送数据，

sbit TSOR = P2^3;

static unsigned char MSB=0,LSB=0;//温度值的整数部分，小数部分
static unsigned char count_remain=0,count_pre_c=0;
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//			                7218字型码表 0~9，A~F                       //
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unsigned char code table[]={0xFB,0xB0,0xED,0xF5,0xB6,  	/* 0,1,2,3,4  */
		      				0xD7,0xDF,0xF0,0xFF,0xF7,  	/* 5,6,7,8,9  */
		      				0xFE,0x9F,0xCB,0xBD,0xCF,  	/* A,b,C,d,E  */
 		      				0xCE,0x00,0x80,0xEE,0xF6,  	/* F,.(16),blank(17),P(18),q(19)*/
 		      				0xBE,0x84,0xBB,0xFA        	/* H(20), -(21),U(22),n(23)    */
  	             		   };			        		/*字型码表    */

unsigned char code top_table[]={0x7b,0x30,0x6D,0x75,0x36,0x57,0x5F,0x70,0x7F,0x77};
		                     // 0.,1.,2.,3.,4., 5.,6.,7.,8.,9.  小数点显示 
  
unsigned char buffer[8]={0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80,0x80};
							 //码表缓冲区

//**********************************************************************//
//			                延时子程序　                                //
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void delay(unsigned int d)		//延时d微秒
{
	while(d--);
}	  

void delay100ms(void)
{
	unsigned char i,j,k;
	for(i=0;i<8;i++)
		for(j=0;j<25;j++)
			for(k=0;k<250;k++);
}

void delay15us(void)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<8;i++);
}

void delay60us(void)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<30;i++);
}


void showdate(unsigned int t)
{
  	unsigned char mil,tho,hun,ten,one,i;
	unsigned int count;
  	count=t;

  	mil=t/10000;
  	tho=t/1000%10;
  	hun=t/100%10;
  	ten=t/10%10;
 	one=t%10;

  	if(mil==0)
  	{
		buffer[4] = 0x80;
 	}
	else
    {	   
	   	buffer[4] = table[mil];
    }
	
   	if(mil==0&&tho==0)
    {
     	buffer[3] = 0x80;
	}
	else
	{
		if((count>=100)&&(count<=999))
		buffer[3] = top_table[tho];
		else buffer[3] = table[tho];
	}
		
 	if(mil==0&&tho==0&&hun==0)
    {
        buffer[2] =  0x80;
	}
	else
	{
		if((count>=10)&&(count<=99))
			buffer[2] = top_table[hun];
		else buffer[2] = table[hun];
	}
		

	if(mil==0&&tho==0&&hun==0&&ten==0)
	{
		buffer[1] = 0x80;
	}
	else
	{
		buffer[1] = table[ten];
	}

	buffer[0] = table[one];
  
  	ICM7218Mode = 1 ;  //ICM7218B的方式字
  	Com7218 = 0xF0 ;	 //非译码方式
  
  	delay(10);

  	//连续向显示芯片送显示数据
  	//=======================
  	ICM7218Mode=0;
  	for(i=0;i<8;i++)
   	{
     	Com7218 = buffer[ i ] ;
   	}
}


void write_0_DS(void)//写 bit 0
{//写数据位0：置总线为低电平并保持至少15us，
//然后保持低电平15us~45us等待从端对电平采样，最后拉高电平完成写操作
	TSOR=1;
	TSOR=0;
	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();

	TSOR=1;

	_nop_();
	_nop_();
}

void write_1_DS(void)//写 bit 1
{//写数据位1：置总线为低电平并保持1us~15us，
//然后拉高电平并保持15us~45us等待从端对电平采样，最后完成写操作
	TSOR=1;
	TSOR=0;
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();

	TSOR=1;

	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();
	delay15us();
	delay15us();
}


bit read_DS(void)//读取数据位
{//读数据位：置总线为低电平并保持至少1us，然后拉高电平保持1us，
//在15us内采样总线电平获得数据，延时45us完成读操作
	bit b;

	TSOR=1;
	TSOR=0;
	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();

	TSOR=1;

	_nop_();
	_nop_();
	_nop_();

	b=TSOR;

	delay15us();
	delay15us();
	delay15us();
	_nop_();
	_nop_();

	return b;
}

void reset_DS(void)//复位总线
{//总线复位：置总线为低电平并保持480us，然后拉高电平，
//等待从端重新拉低电平作为响应，则总线复位完成
	unsigned char i;

	TSOR=1;
	TSOR=0;
	for(i=0;i<9;i++)
	delay60us();
	TSOR=1;

	while(TSOR);//程序的关键，总线控制器发出（TX）一个复位脉冲（一个最少480us的
	//低电平信号），然后释放总线，进入接收状态（RX）。单线总线由4.7K上拉电阻拉到
	//到高电平。探测到I/0引脚上的上升沿后，DS182015等待15~60us，然后发出存在脉冲
	//（一个60~240us的低电平信号。

	for(i=0;i<3;i++)
	delay60us();	
}

void write_byte_DS(unsigned char byte)//写一个字节（byte)
{
	unsigned char i;
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		if(byte & 0x01==0x01)		//最低bit是否为0？
			write_1_DS();
		else 
			write_0_DS();
		byte=byte>>1;
	}
}

unsigned char read_byte_DS(void)	//读一个字节（byte)
{
	unsigned char i,j=0;
	bit b;

	for(i=0;i<8;i++)
	{
		b=read_DS();				//读取1bit
		if(b)						//为1否？
			j+=1;
		j=_cror_(j,1);				//循环右移1位
	}
	return j;
}

void init_DS(void)
{
	reset_DS();						//复位总线
	write_byte_DS(0xcc);			//忽略ROM匹配操作
	write_byte_DS(0x4e);			//设置写模式
	write_byte_DS(0x64);			//写温度上限TH为100度
	write_byte_DS(0x8a);			//写温度下限为负10度
	write_byte_DS(0x1f);			//写温度计配置寄存器
}

void get_temp_DS(void)				//获得温度，2字节的数据分别放在MSB,LSB中
{
	reset_DS();						//复位总线
	write_byte_DS(0xcc);			//忽略ROM匹配操作
	write_byte_DS(0x44);			//温度转换命令
	delay100ms();
	delay100ms();
	delay100ms();


	reset_DS();						//复位总线
	write_byte_DS(0xcc);			//忽略ROM匹配操作
	write_byte_DS(0xbe);			//读取寄存器

	LSB=read_byte_DS();				//读取第1字节
	MSB=read_byte_DS();				//读取第2字节
	read_byte_DS();					//读取第3字节
	read_byte_DS();					//读取第4字节
	read_byte_DS();					//读取第5字节
	read_byte_DS();					//读取第6字节	
	count_remain=read_byte_DS();	//读取第7字节
	count_pre_c=read_byte_DS();		//读取第8字节
	read_byte_DS();					//读取第9字节
/*
	MSB=MSB<<4;
	MSB+=(LSB&0xf0)>>4;				//获得温度值整数部分
	LSB=(LSB&0x0f) ? 5:0;			//获得温度值小数部分
	//count_pre_c=(count_pre_c-count_remain)*10/count_pre_c;*/
}

void main(void)
{
	TSOR=1; //1-wire总线释放

	showdate(2);
	delay(60000);

	init_DS();

	while(1)
	{
		get_temp_DS();
		showdate(count_remain*1000);
		delay(50000);

		get_temp_DS();
		showdate(count_pre_c);
		delay(50000);
	}
}