📄 main.lst
字号:
251 //=============================================
252 void write_0_DS(void)//写 bit 0
253 {//写数据位0：置总线为低电平并保持至少15us，
254 1 //然后保持低电平15us~45us等待从端对电平采样，最后拉高电平完成写操作
255 1 TSOR=1;
256 1 TSOR=0;
257 1 delay15us();
258 1 delay15us();
259 1 delay15us();
260 1 delay15us();
261 1 delay15us();
262 1
263 1 TSOR=1;
264 1
265 1 _nop_();
266 1 _nop_();
267 1 }
268 //================================================
269 void write_1_DS(void)//写 bit 1
270 {//写数据位1：置总线为低电平并保持1us~15us，
271 1 //然后拉高电平并保持15us~45us等待从端对电平采样，最后完成写操作
272 1 TSOR=1;
273 1 TSOR=0;
274 1 _nop_();
275 1 _nop_();
276 1 _nop_();
277 1 _nop_();
278 1 _nop_();
279 1 _nop_();
280 1 _nop_();
281 1
282 1 TSOR=1;
283 1
284 1 _nop_();
285 1 _nop_();
286 1 _nop_();
287 1 _nop_();
288 1 _nop_();
289 1 _nop_();
290 1 _nop_();
291 1 delay15us();
292 1 delay15us();
293 1 }
294
295 //=====================================================
296 bit read_DS(void)//读取数据位
297 {//读数据位：置总线为低电平并保持至少1us，然后拉高电平保持1us，
298 1 //在15us内采样总线电平获得数据，延时45us完成读操作
299 1 bit b;
300 1
301 1 TSOR=1;
302 1 TSOR=0;
C51 COMPILER V7.09 MAIN 05/28/2005 18:15:36 PAGE 6
303 1 _nop_();
304 1 _nop_();
305 1 _nop_();
306 1
307 1 TSOR=1;
308 1
309 1 _nop_();
310 1 _nop_();
311 1 _nop_();
312 1
313 1 b=TSOR;
314 1
315 1 delay15us();
316 1 delay15us();
317 1 delay15us();
318 1 _nop_();
319 1 _nop_();
320 1
321 1 return b;
322 1 }
323 //===================================================
324 void reset_DS(void)//复位总线
325 {//总线复位：置总线为低电平并保持480us，然后拉高电平，
326 1 //等待从端重新拉低电平作为响应，则总线复位完成
327 1 unsigned char i;
328 1
329 1 TSOR=1;
330 1 TSOR=0;
331 1 for(i=0;i<9;i++)
332 1 delay60us();
333 1 TSOR=1;
334 1
335 1 while(TSOR);//程序的关键，总线控制器发出（TX）一个复位脉冲（一个最少480us的
336 1 //低电平信号），然后释放总线，进入接收状态（RX）。单线总线由4.7K上拉电阻拉到
337 1 //到高电平。探测到I/0引脚上的上升沿后，DS182015等待15~60us，然后发出存在脉冲
338 1 //（一个60~240us的低电平信号。
339 1
340 1 for(i=0;i<3;i++)
341 1 delay60us();
342 1 }
343 //===================================================
344 void write_byte_DS(unsigned char byte)//写一个字节（byte)
345 {
346 1 unsigned char i;
347 1 for(i=0;i<8;i++)
348 1 {
349 2 if(byte & 0x01==0x01) //最低bit是否为0？
350 2 write_1_DS();
351 2 else
352 2 write_0_DS();
353 2 byte=byte>>1;
354 2 }
355 1 }
356 //======================================================
357 unsigned char read_byte_DS(void) //读一个字节（byte)
358 {
359 1 unsigned char i,j=0;
360 1 bit b;
361 1
362 1 for(i=0;i<8;i++)
363 1 {
364 2 b=read_DS(); //读取1bit
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365 2 if(b) //为1否？
366 2 j+=1;
367 2 j=_cror_(j,1); //循环右移1位
368 2 }
369 1 return j;
370 1 }
371 //===========================================================
372 void DS1820_system_Init(void)
373 {
374 1 reset_DS(); //复位总线
375 1 write_byte_DS(0xcc); //忽略ROM匹配操作
376 1 write_byte_DS(0x4e); //设置写模式125度
377 1 write_byte_DS(0x9c); //写温度下限为负55度
378 1 write_byte_DS(0x1f); //写温度计配置寄存器
379 1 }
380
381 //============================================================
382 void get_temperature_0_DS1820(void) //获得温度，2字节的数据分别放在MSB,LSB中
383 {
384 1 unsigned char i;
385 1 unsigned char MSB=0,LSB=0;//温度值的整数部分，小数部分
386 1
387 1 if(!start_0&&!t_read0) //start_0和t_read0为0开始设置温度转换命令
388 1 {
389 2 reset_DS(); //复位总线
390 2 write_byte_DS(0x55); //ROM匹配操作
391 2
392 2 for(i=0;i<8;i++)
393 2 {
394 3 write_byte_DS(ROM_0_code[i]);
395 3 }
396 2
397 2 write_byte_DS(0x44); //温度转换命令
398 2
399 2 start_0=1; //开始500ms定时标志位
400 2 }
401 1
402 1 //delay100ms();
403 1
404 1 if(t_read0) //t_read0为1开始读温度的两个字节
405 1 {
406 2 reset_DS(); //复位总线
407 2 write_byte_DS(0x55); //ROM匹配操作
408 2
409 2 for(i=0;i<8;i++)
410 2 {
411 3 write_byte_DS(ROM_0_code[i]);
412 3 }
413 2
414 2 write_byte_DS(0xbe); //读取寄存器
415 2
416 2 LSB=read_byte_DS(); //读取第1字节
417 2 MSB=read_byte_DS(); //读取第2字节
418 2 /* read_byte_DS(); //读取第3字节
419 2 read_byte_DS(); //读取第4字节
420 2 read_byte_DS(); //读取第5字节
421 2 read_byte_DS(); //读取第6字节
422 2 read_byte_DS(); //读取第7字节
423 2 read_byte_DS(); //读取第8字节
424 2 read_byte_DS(); //读取第9字节*/
425 2
426 2 temp1=MSB<<8;
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427 2 temp1=temp1+LSB;//合成16位的二进制数
428 2 mark_0=0;
429 2 if(MSB&0x80)
430 2 {
431 3 mark_0=1;
432 3 temp1=~temp1+1;
433 3 }
434 2 temp1=temp1*6.25;
435 2 t_read0=0; //读取温度后重新置t_read0为0
436 2 }
437 1 /* MSB=MSB<<4;
438 1 MSB+=(LSB&0xf0)>>4; //获得温度值整数部分
439 1 LSB=(LSB&0x0f) ? 5:0; //获得温度值小数部分
440 1 return (MSB*10+LSB);*/
441 1 }
442 //=============================================================
443 void get_temperature_1_DS1820(void) //获得温度，2字节的数据分别放在MSB,LSB中
444 {
445 1 unsigned char i;
446 1 unsigned char MSB=0,LSB=0;//温度值的整数部分，小数部分
447 1
448 1 if(!start_1&&!t_read1) //start_1和t_read1为0开始设置温度转换命令
449 1 {
450 2 reset_DS(); //复位总线
451 2 write_byte_DS(0x55); //ROM匹配操作
452 2
453 2 for(i=0;i<8;i++)
454 2 {
455 3 write_byte_DS(ROM_1_code[i]);
456 3 }
457 2
458 2 write_byte_DS(0x44); //温度转换命令
459 2
460 2 start_1=1; //开始500ms定时标志位
461 2 }
462 1 //delay100ms();
463 1 if(t_read1) //t_read1为1开始读温度的两个字节
464 1 {
465 2 reset_DS(); //复位总线
466 2 write_byte_DS(0x55); //ROM匹配操作
467 2
468 2 for(i=0;i<8;i++)
469 2 {
470 3 write_byte_DS(ROM_1_code[i]);
471 3 }
472 2
473 2 write_byte_DS(0xbe); //读取寄存器
474 2
475 2 LSB=read_byte_DS(); //读取第1字节
476 2 MSB=read_byte_DS(); //读取第2字节
477 2 /* read_byte_DS(); //读取第3字节
478 2 read_byte_DS(); //读取第4字节
479 2 read_byte_DS(); //读取第5字节
480 2 read_byte_DS(); //读取第6字节
481 2 read_byte_DS(); //读取第7字节
482 2 read_byte_DS(); //读取第8字节
483 2 read_byte_DS();
484 2 //读取第9字节*/
485 2 temp2=MSB<<8;
486 2 temp2=temp2+LSB;//合成16位的二进制数
487 2 mark_1=0;
488 2 if(MSB&0x80)
C51 COMPILER V7.09 MAIN 05/28/2005 18:15:36 PAGE 9
489 2 {
490 3 mark_1=1;
491 3 temp2=~temp2+1;
492 3 }
493 2 temp2=temp2*6.25;
494 2 t_read1=0; //读取温度后重新置t_read1为0
495 2 }
496 1
497 1 /* MSB=MSB>>7
498 1 MSB=MSB<<4;
499 1 MSB+=(LSB&0xf0)>>4; //获得温度值整数部分
500 1 LSB=(LSB&0x0f) ? 5:0; //获得温度值小数部分
501 1 return (MSB*10+LSB);*/
502 1 }
503 /***************************************************
504 //时间读取、显示函数
505 ***************************************************/
506 void time_display()
507 {
508 1 uchar second,minute,hour;
509 1
510 1 second=DS_second;
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