📄 152.htm
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<title>CTerm非常精华下载</title>
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<hr><p align="left"><small>发信人: Muff (笨笨), 信区: DSPTech <br>
标 题: 问一个DSK6711上FLASHROM的问题！！！ <br>
发信站: BBS 水木清华站 (Wed Jun 12 17:03:18 2002) <br>
<br>
看了一下TI提供的写FLASHROM的程序，有几个地方不是很明白： <br>
1.每次向FLASH中写如数据时，为什么要执行下面的程序 <br>
*(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1; <br>
*(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2; <br>
*(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3; <br>
宏FLASH_ADR对应的地址在FLASHROM的空间中？ <br>
2.为什么要定义宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中写入数据 <br>
长度有限制？ <br>
<br>
-- <br>
<br>
※ 来源:·BBS 水木清华站 smth.edu.cn·[FROM: 202.114.1.14] <br>
发信人: wbs (永不言败), 信区: DSPTech <br>
标 题: Re: 问一个DSK6711上FLASHROM的问题！！！ <br>
发信站: BBS 水木清华站 (Thu Jun 13 00:09:04 2002) <br>
<br>
我觉得可能是Flash通常是8位或者16位的，所以写它的时候通常 <br>
需要需要分几步。没有看到具体程序，只是猜测。 <br>
你的flash是外置的吧？写起来肯定麻烦一些，因为还得写指令先。 <br>
<br>
【 在 Muff (笨笨) 的大作中提到: 】 <br>
: 看了一下TI提供的写FLASHROM的程序，有几个地方不是很明白： <br>
: 1.每次向FLASH中写如数据时，为什么要执行下面的程序 <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1; <br>
: *(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2; <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3; <br>
: 宏FLASH_ADR对应的地址在FLASHROM的空间中？ <br>
: 2.为什么要定义宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中写入数据 <br>
: 长度有限制？ <br>
<br>
<br>
-- <br>
－－DSP牛吗？ <br>
－－牛！ <br>
－－好开发吗？ <br>
－－Easy!找我！ <br>
<br>
<br>
※ 来源:·BBS 水木清华站 smth.edu.cn·[FROM: 142.103.36.161] <br>
发信人: DSK6711 (DSK), 信区: DSPTech <br>
标 题: Re: 问一个DSK6711上FLASHROM的问题！！！ <br>
发信站: BBS 水木清华站 (Thu Jun 13 09:07:44 2002) <br>
<br>
这些代码都同所使用的flash芯片有关。TI的DSK6711板上用的是 <br>
SST29LE010，针对这种芯片的写代码都同你所提到的两段代码一样。 <br>
<br>
第一个主要是涉及到Software Data Protection (SDP)，其用于 <br>
防止对FLASH的误写入，目前好像所有的FLASH都采用了这种技术。 <br>
SST29LE010芯片资料上是这样写的： <br>
With this scheme, any Write operation requires the <br>
inclusion of a series of three byte-load operations <br>
to precede the data loading operation. <br>
The three byte-load sequence is used to initiate the Write cycle, <br>
providing optimal protection from inadvertent write operations. <br>
<br>
第二段代码是由于这种芯片的特性所决定的，它每次写入好像是必须 <br>
一次写入一个Page（128Bytes），这个是我看芯片手册后的理解， <br>
不知是否完全正确。 <br>
<br>
具体你可以到SST公司站点上下SST29LE010芯片手册。 <br>
<br>
【 在 Muff (笨笨) 的大作中提到: 】 <br>
: 看了一下TI提供的写FLASHROM的程序，有几个地方不是很明白： <br>
: 1.每次向FLASH中写如数据时，为什么要执行下面的程序 <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY1; <br>
: *(char *)FLASH_ADR2 = FLASH_KEY2; <br>
: *(char *)FLASH_ADR1 = FLASH_KEY3; <br>
: 宏FLASH_ADR对应的地址在FLASHROM的空间中？ <br>
: 2.为什么要定义宏FLASH_WRITE_SIZE，是不是每次向flashrom中写入数据 <br>
: 长度有限制？ <br>
<br>
<br>
-- <br>
<br>
※ 来源:·BBS 水木清华站 smth.edu.cn·[FROM: 202.114.10.204] <br>
</small><hr>
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