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<TBODY>
<TR>
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height=33><BR>
<P> <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/dz.asp"><IMG height=48
src="PN.files/jcsmail.gif" width=78 border=0></A> <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/dzjcindex.asp">电子基础</A></P>
<P> <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/dz.asp"><IMG height=20
src="PN.files/dzsmail.gif" width=40 border=0> 电阻</A></P>
<P> <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/dr.asp"><IMG height=20
src="PN.files/drsmail.gif" width=40 border=0> 电容</A></P>
<P> <IMG height=20 src="PN.files/pnsmail.gif"
width=40 border=0><A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/pn.asp">PN结</A></P>
<P> <IMG height=20 src="PN.files/ejgsmail.gif" width=40
border=0> <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/ejg.asp">二极管</A></P>
<P> <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/sjg.asp"><IMG height=51
src="PN.files/sjgsmail.gif" width=97 border=0>三极管</A><BR><BR>
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<TD vAlign=top width=623 bgColor=#f1f8ff><BR>
<P class=titlea align=center>PN结</P>
<P>1．ＰＮ结的形成 </P>
<P> （1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散
。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为
空间电荷 ，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的 ＰＮ结 。 <BR></P>
<P> <IMG height=140 src="PN.files/chap5.gif"
width=324><BR> 图（1）浓度差使载流子发生扩散运动 </P>
<P> （2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为 耗尽层 。 </P>
<P> （3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为
内电场 。 <BR><BR> <IMG height=140
src="PN.files/chap6.gif" width=326><BR> 图（2）内电场形成 </P>
<P> （4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是 内电场将阻碍多子的扩散
，二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方， <A
href="http://league.ysu.edu.cn/wuxie/dzjc/Chap02.htm">使空间电荷区变窄 </A>。 </P>
<P> （5）因此，
扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。
<BR> 当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即 ＰＮ结处于动态平衡 s。
<BR> <INPUT style="CURSOR: hand" onclick="window.open('dzimages/Movie1.swf','动画演示','toolbar=0,location=0,directories=0,status=0,menubar=0,scrollbars=0,top=110,left=204,width=490,height=480')" type=button value=动画演示>
</A></P>
<P>2．ＰＮ结的单向导电性 </P>
<P> （1） 外加正向电压 （正偏） <BR>
在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。
<BR> <INPUT style="CURSOR: hand" onclick="window.open('dzimages/Movie2.swf','动画演示','toolbar=0,location=0,directories=0,status=0,menubar=0,scrollbars=0,top=110,left=204,width=490,height=480')" type=button value=动画演示></P>
<P> （2） 外加反向电压 （反偏） <BR>
在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。
因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流 。 <BR> 当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为 反向饱和电流 。
<BR> <INPUT style="CURSOR: hand" onclick="window.open('dzimages/Movie3.swf','动画演示','toolbar=0,location=0,directories=0,status=0,menubar=0,scrollbars=0,top=110,left=204,width=490,height=480')" type=button value=动画演示></P>
<P>3.二极管的基本应用电路 </P>
<P>（1）限幅电路---利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成。 <BR>
<IMG height=134 src="PN.files/chap2.gif"
width=185> <IMG height=135
src="PN.files/chap1.gif" width=218><BR>（2）箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。
</P> <IMG height=130
src="PN.files/chap3.gif"
width=185> <IMG height=132
src="PN.files/chap4.gif" width=189><BR>
注：黑色---输入信号，蓝色---输出信号，波形为用ＥＷＢ仿真结果。<BR><BR></TD></TR></TBODY></TABLE>
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