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📄 磁动力电子--本站原创--常用串行eeprom的编程应用（二）.htm

📁 这是常用串行EEPROM的编程应用,里面有3部分
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                        <P align=center>表1</P>
                        <P><B>READ（读数据）</B><BR>　　所有的指令的第一位为START（起始位），芯片确认起始位的条件是：CS和DI为高电平时，SK的第一个脉冲高电平时DI仍为高电平。微控制器发送完起始位后就可以输入7种指令所需的命令代码、地址码和数据来完成指令操作。READ指令在发送完地址码AN-A0后（地址码位数位要根据型号和所选用的数据结构来确定），DO从高阻态变为低电平，在随后的一个SK脉冲后在DO输出DN-DO的数据(数据位数由所选用的数据结构来确定)，微控制器在这时读取DO取得数据，读取完数据后拉低CS结束指令。<BR></P>
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                              target=_blank><IMG height=184 alt=点击看大图 
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                          color=#ffffff>图4(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE>
                        <P><B>EWEN（擦写使能）</B><BR>　　芯片上电后就进入EWDS擦写禁止状态，这时要进行擦写指令，微控制器必须先要发送EWEN指令，使能芯片进入允许擦写的状态，否则操作任何擦写指令都是无效的。在完成擦写操作后发送EWDS指令，使芯片进入禁止擦写的状态，这样可以防止因干扰或其它原因造成的数据错误。要注意的是：在第一个EWEN指令后芯片一直保持在擦写允许状态，直到使用EWDS或开断电源，芯片才会重新进入擦写禁止状态。<BR></P>
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                              target=_blank><IMG height=183 alt=点击看大图 
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                          color=#ffffff>图5(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE>
                        <P><B>EWDS（编程禁止）</B> </P>
                        <TABLE height=186 cellSpacing=1 cellPadding=0 width=471 
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                          color=#ffffff>图6(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE>
                        <P><B>WRITE（写入数据）</B><BR>　　WRITE指令在发送完数据位后，CS至少拉低tCS时间再拉高，这时DO会从高阻态变为低电平来指示芯片正在进行编程，微控制器应在这时检测DO，当DO再次拉高时芯片编程完成芯片进行就绪状态，这时才可以进行下一个指令。芯片编程所需的时间为tWP,这个时间最大为10MS，所以微控制器在对芯片编程时最好用一个循环检测DO，当检测到高电平时，说明写入过程结束，应该退出循环体。如果循环体循环10MS后仍然没有检测到高电平时，说明有故障引起操作超时，这时要退出循环体，以免进入死循环。这样的代码在前面文章的例子中也是有使用的。WRAL指令和WRITE指令对写入过程的处理方式是一样的，不一样的是WRAL是把数据写入到所有地址中，时间会长点，而且要求电源在4.5-5.5V。<BR></P>
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                          color=#ffffff>图7(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE>
                        <P><B>WRAL（全部写入） </B></P>
                        <TABLE height=186 cellSpacing=1 cellPadding=0 width=471 
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                              src="磁动力电子--本站原创--常用串行EEPROM的编程应用（二）.files/cdle070004_08.gif" 
                              width=481 border=0></A></TD></TR>
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                            <TD><FONT 
                          color=#ffffff>图8(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE><BR><B>ERASE（擦除数据）</B><BR>　　ERASE指令可以说是另一种形式的写入指令，所不同的是它不用发送数据，它会把指定地址的所有数据位都置'1'，也就是相当于用WRITE写入'FF'。而ERAL指令就是相当于用WRAL写入'FF'，同样ERAL也需要工作在4.5-5.5V电源下。<BR>
                        <TABLE height=186 cellSpacing=1 cellPadding=0 width=471 
                        align=center bgColor=#006699 border=0>
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                              target=_blank><IMG height=213 alt=点击看大图 
                              src="磁动力电子--本站原创--常用串行EEPROM的编程应用（二）.files/cdle070004_09.gif" 
                              width=476 border=0></A></TD></TR>
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                            <TD><FONT 
                          color=#ffffff>图9(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE><BR><B>ERAL（擦除所有数据）<BR><BR></B>
                        <TABLE height=186 cellSpacing=1 cellPadding=0 width=471 
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                              target=_blank><IMG height=208 alt=点击看大图 
                              src="磁动力电子--本站原创--常用串行EEPROM的编程应用（二）.files/cdle070004_10.gif" 
                              width=466 border=0></A></TD></TR>
                          <TR>
                            <TD><FONT 
                          color=#ffffff>图10(点击看大图)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE><BR>　　在这里笔者把上一篇文章的电路更改了一下，使它不但能完成本篇的实验外，还能配合笔者编写的上位机程序，成为一个简单实用的串行EEPROM读写器，它不单单可以支持93C系列的芯片，同时也可以支持24C、25系列等多种芯片。图中的芯片插座IC2的1到7脚连接取AT89C2051的P1.1至P1.7，因为P1.2-P1.7内部是有上位的，所以可以不用在外部加上拉电阻，而P1.0/P1.1是需要外部上拉的，所以在P1.1上加R7进行上拉。如不加这个电阻的话93C46的读写实验就无法成功了。J1使用DB9的孔式接头，连接电脑时可以使用一根串口延长线。图12是笔者用万用电路板制作的实验电路，这个电路最大的特点就制作简单、体积小巧、无需外接电源，使用到单片机使其性能稳定，而且可以进行程序的修改使其增加更多的芯片支持。图十二是笔者用万用板制作的实验电路。 
                        <BR><BR>
                        <TABLE height=186 cellSpacing=1 cellPadding=0 width=471 
                        align=center bgColor=#006699 border=0>
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