第七章s3c6400 onenand控制器.txt

S3C6400 nand flash ,nand flash controller!







                                               

					S3C6400   OneNand控制器


        
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简介：
     6400通过共享内存端口0支持外部16位总线异步和同步OneNAND外部内存。可使用2个控制器支持最大2个BANK。OneNAND控制器是一个高级的微控制总线体系SOC外设单元。OneNand控制器能够同时提供给最大两个内存BANK单元。
特征：
1、支持最大2个BANK；
2、支持异步/同步OneNAND内存。
3、支持SINGLE/INCR4/INCR8  32位AHB数据总线突发传输。
4、仅支持双AHB总线的ERROR/OKAY。
5、数据缓冲，帮助达到最大性能。
6、flash控制器枋和总线系统接口之间同步FIFOs,从而协调速度。
7、支持擦除命令。
8、支持Copy模式。
9、如果OneNand 设备ID是0x0030、0x0034、0x0058，支持写同步模式。
10、如果OneNand 设备ID是0x0030、0x0034且OneNand version ID 位[9:8]不是2'b00,支持写同步模式。

输入时钟：
1：OneNand 控制器有三个时钟源输入。总线系统接口获得AHB bus时钟，HCLK。Flash控制器核获得两个flash 时钟，mclk和mclk_flash。mclk的频率必须是mclk_flash的双倍，用于提供给OneNAND flash内存。
2:可以设置系统控制器的SFR来设置频率比率。

命令映射：
OneNand 内存控制器支持四种命令，这些命令由输入地址的22和23位可以获得。命令映射决定地址的低22位是否使用：
1、“00”-->映射00命令。
映射00命令用于访问已选择的flash内存设备的控制器缓冲区（包括启动区、dataram0和dataram1.寻址将从0地址开始，映射到一个合适的内存缓冲区。通过boot_buffer_size和data_buffer_size寄存器用户将知道缓冲区的最大地址。大部分情况下，使用的缓冲区一般是启动缓冲区，用户可以利用命令去缓冲区读数据。然而，映射00命令也用于读/调整／写操作。
2、01-->映射01命令。
映射01命令用于高速访问内存。OneNAND flash控制器支持页地址访问（FSA必须设置为0），一次必须读或者写一个完整的页。每次使用命令的次数取决于传输数据的容量。
3、映射10命令。
映射10命令用于控制内存设备的特殊功能。
当传输数据是针对内存控制器的时候，可以使用该命令。不像其他类型的命令，这些传输相关的数据不会影响内存的内容。

Erase操作
OneNand flash控制器支持单块和多块擦除。多块擦除用于并行情况下（内存设备需要支持并行操作）。如果内存设备不支持并行操作，擦除操作将以命令序列的形式进行。当使用多块擦除操作的时候，用户必须描述每一块的地址，声明一个用于最后块操作的单块操作命令。
锁、解锁、紧锁操作：
OneNand flash控制器支持所有flash锁操作，然而，内存设备可能限制了功能的使用。如果锁命令不支持，这些命令将被忽略。如果“全部解锁”不支持，将触发一个中断。一个已经处于锁状态的内存还可以设置为“紧锁”状态。一旦一块内存处于“紧锁”状态，需要复位命令来解锁。
.'11'-->映射11命令
映射11命令用于直接访问内存设备。命令主要用于对某地址或寄存器进行测试和debug操作。
OneNand 控制器启动支持：
1:取消外部复位。
2：系统控制器产生全局复位。
3：OneNand控制器利用CPU核时钟开始累计FLASH_COLD_RST_DELAY时间 。
4:在ARM核复位被取消声明后，取指令开始，由OneNAND控制器中止。
5：当计数值达到预设的FLASH_COLD_RST_DELAY值，OneNAND控制器开始读内存相关信息（包括生产产商ID，设备ID，版本ID，数据缓冲区大小，启动缓冲大小，缓冲数和技术）。
6:读完内存相关信息后，OneNAND控制器开始数据传输请求。

寄存器描述相关内容查看手册。