ds18b20.c

使用PROTEUS仿真的智能温度计,使用DS18B20测温,C编写

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//	Filename		:   DS18B20.c
//	Title        	:   DS18B20 test file
//	Author			:   MO YAN
//	Created Date	:   2008.8.2
//	Revisited Date	:   2008.8.2
//	Description		:   Provide Function to get the temprature from the DS18B20 at any three pins
//	Version         :   1.2
//
//  Copyright (c) 2008, All rights reserved.
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#include<regx51.h>
sbit rs=P3^4;	//LCD pins
sbit rw=P3^5;
sbit en=P3^6;
sbit DQ=P3^7;   //DS18B20 pin

unsigned char L_18B20,H_18B20;
unsigned int fg=0,zhengshu,xiaoshu_a;
char code number[]="0123456789";

/*--------LCD--------*/
void delay100us(void)
{
   #pragma asm
            MOV      R5,#3           
LOOP1:      MOV      R6,#7           
LOOP2:      NOP                        
       NOP                         
       DJNZ    R6,LOOP2              
            DJNZ      R5,LOOP1 
   #pragma endasm
} 

void write_command(unsigned command)
{
   rw=0;
   rs=0;
   en=1;
   P2=command;
   delay100us();
   en=0;
   rw=1;
}

void write_data(unsigned lcddata)
{
   rw=0;
   rs=1;
   en=1;
   P2=lcddata;
   delay100us();
   en=0;
   rw=1;
}

void display_string(unsigned x,unsigned y,char*p)
{
   if(x==1)
      write_command(128+y);
   else
      write_command(192+y);
   while(*p)
   {
      write_data(*p);
	  p++;
	}
}

/*void display_num(unsigned x,unsigned y,unsigned i)
{
   if(x==1)
      write_command(128+y);
   else
      write_command(192+y);
   write_data(number[i]);
} */
  
/*------DS18B20------*/


void delay_18B20(unsigned int i)
{
	while(i--);
}


/*DS18B20的复位脉冲 主机通过拉低单总线至少480us以产生复位脉冲
  然后主机释放单总线并进入接收模式 此时单总线电平被拉高
  DS18B20检测到上升沿后 延时15～60us，拉低总线60～240us产生应答脉冲  */						
void Init_DS18B20(void) 
{
	 unsigned char x=0;
	 DQ = 1;          //DQ复位
	 delay_18B20(8);  //稍做延时
	 DQ = 0;          //单片机将DQ拉低
	 delay_18B20(80); //精确延时 大于 480us
	 DQ = 1;          //拉高总线
	 delay_18B20(14);
	 x=DQ;            //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
	 delay_18B20(20);
}

/*写时隙 主机在写1时隙向DS18B20写入1，在写0时隙向DS18B20写入0
  所有写时隙至少需要60us，且在两次写时隙之间至少需要1us的恢复时间
  两种写时隙均以主机拉低总线开始
  产生写1时隙：主机拉低总线后，必须在15us内释放总线，由上拉电阻拉回至高电平
  产生写0时隙：主机拉低总线后，必须整个时隙保持低电平 */
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
 	unsigned char i=0;
 	for (i=8; i>0; i--)
 	{
  		DQ = 0;
 		DQ = dat&0x01;
    	delay_18B20(5);
 		DQ = 1;
    	dat>>=1;
 }
}
  
/*所有读时隙至少60us 且两次独立的读时隙之间至少需要1us的恢复时间
  每次读时隙由主机发起，拉低总线至少1us。
  若传1，则保持总线高电平；若发送0，则拉低总线
  传0时DS18B20在该时隙结束时释放总线，再拉回高电平状态，主机必须在读时隙开始后的15us内释放总线，并保持采样总线状态 */
unsigned char ReadOneChar(void)
{
	unsigned char i=0;
	unsigned char dat = 0;
	for (i=8;i>0;i--)
	 {
		  DQ = 0; // 给脉冲信号
		  dat>>=1;
		  DQ = 1; // 给脉冲信号
		  if(DQ)
		  dat|=0x80;
		  delay_18B20(4);
	 }
 	return(dat);
}
		 

void read_18B20(void)
{

	Init_DS18B20();
	WriteOneChar(0xCC);    	// 跳过读序号列号的操作
	WriteOneChar(0x44); 	// 启动温度转换

	delay_18B20(100);       // this message is wery important

	Init_DS18B20();
	WriteOneChar(0xCC); 	//跳过读序号列号的操作
	WriteOneChar(0xBE); 	//读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度

	delay_18B20(100);

	L_18B20=ReadOneChar();	//读取低八位数据
	H_18B20=ReadOneChar();	//读取高八位数据

	zhengshu=L_18B20/16+H_18B20*16; //整数部分
	xiaoshu_a=(L_18B20&0x0f)*10/16; //小数第一位
}


/*------MAIN------*/
void main(void)
{
   write_command(56);
   write_command(12);
   write_command(6);
   write_command(1);
   write_command(2);
   display_string(1,0," Temprature:");
   do{read_18B20();
   write_command(192);
   write_data((0x30|(zhengshu/10)));
   write_data((0x30|(zhengshu-(zhengshu/10)*10)));
   write_data(0x2e);
   write_data(0x30|xiaoshu_a);
   }
   while(1);
}