flash.c

项目是为日本瑞萨工作所做的BAKE炉温控系统 整个文件夹包括设计文档

/*文件描述:本文件包含的子程序为                       *
*  1.void EarseFlash(unsigned int addr)               *
*    Flash擦除子程序                                  *
*  2.void WriteFlash(unsigned int addr)               *
*    Flash写入子程序                                  *
*说  明:                                              *
*  1.用来暂存写入或擦除程序的首末地址的变量pbase,     *
*    pend;用来暂存待写入或擦除的Flash首地址faddr;     *
*    用来存放写入的数据个数N和写入的数据FlashData[]必须    *
*    在main函数中定义,否则将出错                      *
*  2.调用擦/写子程序之前先将待擦/写页的后一页开始的   *
*       所有区域写保护                                *
*-------------《嵌入式应用技术基础教程》--------------*/
//[包含头文件]
#include "GP32C.h"
#include <String.h>
//外部内存变量声明
unsigned char PrgOfRam[]; //存放擦/写FLASH程序以便执行
extern unsigned char N,FlashData[]; 
extern unsigned int pbase,pend,faddr;

//内部调用函数声明
void DoEarseFlash(void); 
void DoWriteFlash(void);
/*EarseFlash:擦除指定flash的一页-----------------------*
*功  能:擦除以addr为首地址的flash一页                  *
*参  数:addr要擦除的首地址                             *
*返  回:无                                             *
*-----------------------------------------------------*/
void EraseFlash(unsigned int addr)
  { 
    faddr=addr;                   //擦除flash的首地址
    //将擦除程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
    asm("ldhx #_DoEarseFlash");   //擦除程序的首地址->HX
    asm("sthx _pbase");           //HX->内存变量pbase
    asm("ldhx #_EarseFlash_END"); //擦除程序的末地址->HX
    asm("sthx _pend");            //HX->内存变量pend 
    memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);  
    //在RAM区执行擦除程序
    asm("ldhx #_PrgOfRam");	    //擦除程序在RAM区的首地址
    asm("jsr ,X");		        //执行RAM区域的擦除程序
  }
/*DoEarseFlash:擦除指定flash区-------------------------*
*功  能: 真正执行擦除addr指向的flash区的操作           *
*参  数:无                                             *
*返  回:无                                             *
*内部调用:延时函数delay1 (用嵌入汇编调用)              *
*-----------------------------------------------------*/
void delay1(void);
void DoEarseFlash(void)
  {
    unsigned char i;    
    FLCR=0b00000010;  	     //①1->ERASE,0->MASS(页擦除)
	  i=FLBPR;               //②读FLBPR	
	                         //③任意数->faddr,选中flash页
    *((volatile unsigned char *)faddr)=68;
    asm ("bsr _delay1");     //④延时10us
    FLCR=0b00001010;         //⑤1->HVEN (加高压)
    asm ("bsr _delay1");     //延时时间必须>1.6ms
    FLCR=0b00001000;	     //⑦0->Erase
    asm ("bsr _delay1");     //⑧10us
    FLCR=0b00000000;	     //⑨0->HVEN(取消高压)
    asm ("bsr _delay1");     //⑩延时10us
  }
void delay1(void)       //延时一定时间,供上述程序调用
    { unsigned  char j;
      for (j=0;j<1;j++); }    
void EarseFlash_END(void)  //擦除程序的末地址
  { }
/*WriteFlash:向addr指向的flash区写入数据---------------*
*功  能:向指定flash地址写入数据                        *
*参  数:addr要写入的首址                               *
*返  回:无                                             *
*-----------------------------------------------------*/
void WriteFlash(unsigned int addr)
  {
    faddr=addr;	                 //写入flash的首地址
    //将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
    asm("ldhx #_DoWriteFlash");  //写入程序的首地址->HX
    asm("sthx _pbase");          //HX->内存变量pbase  
    asm("ldhx #_WriteFlash_END");//写入程序的末地址->HX 
    asm("sthx _pend");           //HX->内存变量pend
    //将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
    memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
    //在RAM区执行写入程序
    asm("LDHX #_PrgOfRam");    //写入程序在RAM的首地址 
    asm("jsr ,X");		           //执行RAM区的写入程序
  }
/*DoWriteFlash:实际执行的写入函数----------------------*
*功  能:调入内存执行擦除指定flash地址的数据            *
*参  数:无                                             *
*返  回:无                                             *
*内部调用:延时函数delay2(用嵌入汇编调用)               *
*-----------------------------------------------------*/
void delay2(void);
void DoWriteFlash(void)
  {
    unsigned char i;
    unsigned char j;    
    FLCR=0b00000001;  	   //①1->PGM							 
  	i=FLBPR;               //②读FLBPR 
  	                       //③任意数->faddr,选中flash行
    *((volatile unsigned char *)faddr)=56; 
    asm ("bsr _delay2");   //④延时10us
    FLCR=0b00001001;	     //⑤1->HVEN
    asm ("bsr _delay2");   //⑥延时10us
    //⑦将数据写入相应的flash地址		 
    for(i=0;i<N;i++)
      {		                 //数据送入flash地址
  	   *((volatile unsigned char *)faddr+i)=FlashData[i];
  	   for (j=0;j<6;j++); //⑧延时30us,不能调用延时程序
  	  }   
    FLCR=0b00001000;	     //⑨0->PGM  
    asm ("bsr _delay2");   //⑩延时10us
    FLCR=0b00000000;	     //⑾0->HVEN  
    asm ("bsr _delay2");   //⑿延时6us
  }
void delay2(void)  //延时一定时间
    { unsigned  char j;
      for (j=0;j<1;j++); }    
void WriteFlash_END(void)   //写入程序的末地址
  { }