prb5_45.cir

来自「As a consequence, more exact models of d」· CIR 代码 · 共 12 行

CIR
12 行
字号 
Prb5_45.CIR
VDD 2 0 20V
R1  1 0 200kohm
R2  2 1 400kohm
RD  2 3 4kohm
RS  4 0 100ohm
M 3 1 4 4 NMOSG
.MODEL NMOSG NMOS(Vto=4V DEV=10%
+ Kp=0.0008ApVsq Rd=1ohm Rg=1kohm)
.DC VDD 20V 20V 1V
.WCASE DC ID(M) YMAX DEVICES M
.END

prb5_45.cir - 源码说明

本页面展示了「As a consequence, more exact models of devices can be retained for analysis rather than the approxi」中的 prb5_45.cir 源码文件，采用 CIR 编程语言编写，共 12 行代码。您可以在线阅读完整代码内容，也可以返回资源详情页下载完整源码包进行本地学习和开发。

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