ex4_4b.cir

来自「As a consequence, more exact models of d」· CIR 代码 · 共 10 行

CIR
10 行
字号 
Ex4_4b.CIR - MOSFET transfer characteristic
vGS 1 0 0V
vDS 2 0 15V
M 2 1 0 0 NMOSG
.MODEL NMOSG NMOS(Vto=4V Kp=0.0008ApVsq
+ Rd=1ohm Rg=1kohm)
.DC vGS 0V 8V 0.1V
.PROBE
.END

ex4_4b.cir - 源码说明

本页面展示了「As a consequence, more exact models of devices can be retained for analysis rather than the approxi」中的 ex4_4b.cir 源码文件，采用 CIR 编程语言编写，共 10 行代码。您可以在线阅读完整代码内容，也可以返回资源详情页下载完整源码包进行本地学习和开发。

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