norflash驱动写法.c

本人总结的noflash驱动写法

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//***	linux-2.6内核中等待的使用例子 : norflash擦除时等待
static int erase_one_block(struct map_info *map, struct flchip *chip,
			   unsigned long addr, unsigned long size)
{
	schedule_timeout(HZ);

	while (flash_is_busy(map, chip->start))
	{
		unsigned long timeout = jiffies + HZ;
		
		/* OK Still waiting */
		if (time_after(jiffies, timeout))
		{
			// 在规定时间没有等到的出错处理
			chip->state = FL_READY;
			spin_unlock_bh(chip->mutex);
			printk(KERN_WARNING "%s: waiting for erase to complete "
				"timed out.\n", map->name);

			return -EIO;
		}
	}

}


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(1)对norflash的认识：
1.norflash有生产ID(用于区分某个厂商的flash)和设备ID(用于区分一个厂商的某种型号的flash)之分
2.norflash的block分为两类：parameter block 和main block
一般parameter   block的总的size为一个main block的size
3.
块：是norflash擦除的单位(有32KB和128KB两种)
分区：属于同一个分区的共享同一个状态寄存器

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//***	norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的intel L18F256 32MB norflash(块大小为128KB)
/*
intel E28F128J3A150 16MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为 ：
bf561		<=>	E28F128J3A150

A[23:1] 	=> 	A[23:1]		//bf561给norflash的地址信号
D[15:0]		=>	D[15:0]		//bf561给norflash的数据信号
/AMS0		=>	/CE		//bf561给norflash的片选信号
/AOE		=>	/OE		//bf561给norflash的读信号
/AWE		=>	/WE		//bf561给norflash的写信号

			/BYTE		//上拉为高			
			VPEN		//上拉为高
			/RP		//上拉为高
					
*/

1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：
	1)执行相应的命令序列：=>向norflash的基地址发送命
	*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;
	*(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;
	*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;
	2)开始读取生产ID:
  	(u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);
  	3)开始读取设备ID:
  	(u16)devID=*(0x0C000000+0x2);
2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)
	1)禁止flash的写保护：	//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
	2)Block unlock 
	*((short*)0x0C100000) = 0x0060;			//块对齐地址
	*((short*)0x0C100000) = 0x00D0;			//块对齐地址
	while(!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080));	//块对齐地址
	*((short*)0x0C100000) = 0x00FF;			//设置norflash为read array模式
	3)执行擦除命令序列：=>向要操作的块地址发送命令
	*((short*)0x0C100000) = 0x0020;			//块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD0
	*((short*)0x0C100000) = 0x00D0;			//块对齐地址，INTEL_ERASE_CMD1
	while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080));	//块对齐地址，等待直到擦除结束	
	5)设置norflash为read array模式
	*((short*)0x0C100000) = 0x00FF;			//让norflash重新进入read array模式
	6)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)
3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
/*
发送写命令(0xE8)->发送数据->发送确认写命令(0xD0)->确认状态寄存器命令(0x70)->清掉状态寄存器命令(0x50)
块对齐		  字对齐    块对齐		 字对齐			   字对齐
*/
	1)禁止flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
	2)发送写命令：			//块对齐地址
	*((short*)0x0C100000)=0x00E8;	//块对齐地址，program setup command
	while(!(*0x0C100000 & 0x0080));  //块对齐地址
	3)开始发送要写到flash的数据 =>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节，因为数据总线宽度为16位
	(short *)ulData = 0x10010000		=>SDRAM的地址
	(long *)psAddress = 0x0C000000		=>Norflash的地址
	for(i=0; i<15; i++)
	 {
	 	*psAddress = ulData[i];
		psAddress++;
	 }
	4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：
	*((short*)0x0C100000)=0x00D0;	//块对齐地址
	5)读状态寄存器，确保步骤4)已经完成
	*0x0C100000 = 0x0070; 	  	//Check Status Register  ,这里是字对齐的地址
	while(!(*0x0C100000 & BIT7));	//字对齐地址
	6)// Check program status.
	if ( *0x0C100000 & 0x0010 )	//字对齐地址
	{	
		*0x0C100000 = 0x0050;	//字对齐地址, Clear Status 		
		*((short*)0x0C100000) = 0x00FF;	//块对齐地址 Put chip back into read array mode.
		return 1;
	}
	7)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)		
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//***	norflash操作原理：假设现在讨论的norflash连接在cpu的地址空间的0x0C000000位置的st stm29w640d 8MB norflash(块大小为64KB，16位宽度)	
//=> 注意ST和intel norflash是有区别的 : 
//   ST的norflash A0可用，  故对16bit的接法为A1接A0,后面引脚类推		   
//intel的norflash A0不可用，故对16bit的接法为A1接A1,后面引脚类推
//
/*
1).st stm29w640d 8MB 16bit norflash 和bf561相连的接法为 ：
bf561		<=>	stm29w640d

/ABE3		=>	A0		//注意ABE[3]在这里被当成A1来使用:
A[22:2] 	=> 	A[21:1]		//bf561给norflash的地址信号
D[15:0]		=>	D[15:0]		//bf561给norflash的数据信号
/AMS0		=>	/CE		//bf561给norflash的片选信号
/AOE		=>	/OE		//bf561给norflash的读信号
/AWE		=>	/WE		//bf561给norflash的写信号

			RDY		//上拉为高
			/BYTE		//上拉为高
			WP_/VPP		//上拉为高
			/RP		//上拉为高
2).注意ABE[3]在这里被当成A1来使用:
The ABE[3] pin of bf561 has two different functions. When the AMC is configured
to do 16-bit data packing via the Asynchronous Memory Global Control
Register,the ABE[3] pin of bf561 functions as the least significant bit of the address bus (ABE[3] = A1).			
*/
1.norflash读取生产ID和设备ID的步骤：
	1)执行相应的命令序列：=>向norflash的基地址发送命
	*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x00AA;
	*(0x0C000000 + 0x2AAA) = 0x0055;
	*(0x0C000000 + 0x5555) = 0x0090;
	
	2)开始读取生产ID:
  	(u16)mnfID=*(0x0C000000+0x0);  
  		
  	3)开始读取设备ID:
  	(u16)devID=*(0x0C000000+0x2); 
  	 	
2.以块为单位擦除norflash的步骤：(假设擦除uboot所在分区:0x0C100000)
	1)禁止flash的写保护：	//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
	2)Block unlock 		//无
	3)执行擦除命令序列：=>向要操作的块地址发送命令
	*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
	*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
	*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x0080;
	*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
	*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
	*((short*)0x0C100000) = 0x0030;			//块对齐地址
	while (!(*((short*)0x0C100000) & 0x0080));	//块对齐地址，等待直到擦除结束	
	
	5)设置norflash为read array模式
	*((short*)0x0C100000) = 0x00FF;			//让norflash重新进入read array模式
	6)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)
	
3.以块为单位写norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)
/*
*/
	1)禁止flash的写保护：		//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为1(即让wp引脚输出为高)
	2)发送写命令：			//块对齐地址
	*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
	*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;
	*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00A0;
		
	3)开始发送要写到flash的数据 =>(这些数据会在norflash芯片内部的buffer中锁存起来) =>每次2个字节，因为数据总线宽度为16位
	*(volatile U16 *)0x0C100000 = j;
	
	4)通知norflash将存在自己buffer中的数据写到norflash的介质上：
	
	5)读状态寄存器，确保步骤4)已经完成
	while(!(*0x0C100000 & 0x80));	//字对齐地址
	
	6)// Check program status.

	7)使能flash的写保护：//设置EMIFS_CONFIG寄存器的最低位为0(即让wp引脚输出为低)		
	
4.读norflash的步骤：(假设写uboot所在分区:0x0C100000)	
	1)方法一:
	*((short*)0x0C100000 + 0x555) = 0x00AA;
	*((short*)0x0C100000 + 0x2AA) = 0x0055;	
	
	(short)data = *((short *)0x0C100000+);
	2)方法二:直接读
	(short)data = *((short *)0x0C100000+);