📄 rectifier.cmd
字号:
MEMORY
{
PAGE 0: /*程序空间*/
VECS: ORIGIN=08000H,LENGTH=00040H /*中断向量存贮空间*/
PVECS: ORIGIN=08044H,LENGTH=00100H /*外围中断向量*/
PM: ORIGIN=08150H,LENGTH=006AEH /*片内flash存储空间*/
PAGE 1: /*数据空间*/
REGS: ORIGIN=0H,LENGTH=60H /*存储器映射的寄存器和保留地址*/
B2: ORIGIN=60H,LENGTH=20H /*块B2*/
B0: ORIGIN=200H,LENGTH=100H /*块B0,如果CNF=0,则分配为片内ARAM*/
B1: ORIGIN=300H,LENGTH=100H /*块B1*/
SARAM_D: ORIGIN=800H,LENGTH=800H /*如果正确配置SCSR2寄存器,则此为数据空间中的2K SARAM*/
PERIPH: ORIGIN=7000H,LENGTH=1000H /*外围寄存器空间*/
EX2_DM: ORIGIN=8000H,LENGTH=8000H /*外围数据RAM*/
PAGE 2: /*I/O存储空间*/
IO_EX: ORIGIN=0000H,LENGTH=0FFF0H /*外部的I/O映射空间*/
IO_IN: ORIGIN=0FFF0H,LENGTH=0FH /*片内的I/O映射空间*/
}
/*------------------------------------------------------------------------*/
/* SECTIONS ALLOCATION */
/*------------------------------------------------------------------------*/
SECTIONS
{
.vectors: { }>VECS PAGE 0
.pvecs: { }>PVECS PAGE 0
.text: { }>PM PAGE 0
.data: { }>PM PAGE 0
.bss: { }>B1 PAGE 1
voltage: { }>B1 PAGE 1
theta: { }>B1 PAGE 1
pid: { }>B1 PAGE 1
park: { }>B1 PAGE 1
I_park: { }>B1 PAGE 1
sample: { }>B1 PAGE 1
clarke: { }>B1 PAGE 1
svpwm: { }>B1 PAGE 1
stack: { }>B2 PAGE 1
tabledat: { }>B1 PAGE 1
data4: { }>B0 PAGE 1
}
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