模拟并口时序.txt

南京沁恒电子的U盘文件读写模块的实例程序

采用模拟并口时序的话，你只需要修改写索引地址：CH375HM_INDEX_WR( Index )、写数据：CH375HM_DATA_WR( Data )、读数据：CH375HM_DATA_RD( )这三个子程序就行了。大体时序为：

写索引口：
 向并口输出数据、A0=0             ；注意，A0一定要在CS和WR变化之前
 CS=0和WR=0
 延时几十纳秒
 CS=1和WR=1
 I/O禁止输出、A0=1             ；注意，A0一定要在CS和WR变化之后，建议操作完后的A0默认为低电平

写数据：
 向并口输出数据、A0=1
 CS=0和WR=0
 延时几十纳秒
 CS=1和WR=1              ；如果A0默认为低电平，则一定要注意，A0不能早于CS和WR为高电平
 I/O禁止输出

读数据：
 并口I/O方向设为输入
 A0=1           ；注意，A0一定要在CS和WR变化之前，如果A0默认为低电平则此处可省掉
 CS=0和RD=0
 延时几十纳秒       ；对于低速单片机无所谓，对高速单片机很关键，要让并口有20nS的准备时间
 从并口输入数据
 CS=1和RD=1

 
↓简单引用 
 

void CH375HM_INDEX_WR(index)
  {
      P3MDOUT=0xff;
    USB_A0=0;
    P3=index;
USB_RD=1;
USB_WR=1;
USB_CS=0;
USB_WR=0;
_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
USB_WR=1;
USB_CS=1;
USB_A0=1;
P3=0xff;
   }
void CH375HM_DATA_WR(Data)
  {
  P3MDOUT=0xff;
   USB_A0=1;
   P3=Data;
   USB_RD=1;
   USB_WR=1;
   USB_CS=0;
   USB_WR=0;
   _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
   USB_WR=1;
   USB_CS=1;
   P3=0xff;
  }
uchar CH375HM_DATA_RD( void)
  {
   uchar m; 
  P3MDOUT=0x00;
 
   USB_A0=1;
   P3=0xff;
   USB_RD=1;
   USB_WR=1;
   USB_CS=0;
   USB_RD=0;
   _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
   m=P3;
   USB_RD=1;
   USB_CS=1;
   P3=0xff;
   return m;
   } 
↓简单引用