18b20.c

AVR单片机m48 8m晶振

 #include <reg51.h> 
 //DS18B20温度传感器程序
 sbit DQ=P2^2; //数据传输线接单片机的相应的引脚 
 unsigned char tempL=0; //设全局变量 
 unsigned char tempH=0; 
 float temperature; //温度值保存在temperature里
 
//延时子程序 
void delay(unsigned int win)
{ 
	unsigned int n;
	n=0; 
	while(n < win) 
	{
		n++;
	} 
	return; 
} 

//初始化程序 
Init_DS18B20(void) 
{ 
	unsigned char x=0; 
	DQ=1; //DQ先置高 
	delay(8); //稍延时
	DQ=0; //发送复位脉冲 
	delay(85);//延时（>480ms) 
	DQ=1; //拉高数据线 
	delay(14); //等待（15~60ms) 
	x=DQ; //用X的值来判断初始化有没有成功，18B20存在的话X=0，否则X=1 
	delay(20);
	return(x);
} 

//读一个字节
ReadOneChar(void) //主机数据线先从高拉至低电平1ms以上，再使数据线升为高电平，从而产生读信号 
{
	unsigned char i=0; //每个读周期最短的持续时间为60ms，各个读周期之间必须有1ms以上的高电平恢复期
	unsigned char dat=0; 
	for (i=8;i>0;i--) //一个字节有8位
	{
		DQ=1; 
		delay(1); 
		DQ=0; 
		dat>>=1; 
		DQ=1; 
		if(DQ) 
		{
			dat|=0x80;
		}
		delay(4);
	} 
	return(dat);
}  
//写一个字节 
WriteOneChar(unsigned char dat) 
{ 
	unsigned char i=0; //数据线从高电平拉至低电平，产生写起始信号。15ms之内将所需写的位送到数据线上，
	for(i=8;i>0;i--) //在15~60ms之间对数据线进行采样，如果是高电平就写1，低写0发生。 
	{
		DQ=0; //在开始另一个写周期前必须有1ms以上的高电平恢复期。 
		DQ=dat&0x01; 
		delay(5); 
		DQ=1; 
		dat>>=1;
	} 
	delay(4);
} 

//读温度值（低位放tempL;高位放tempH;温度值存在temperature.） 
ReadTemperature(void) 
{ 
	Init_DS18B20(); //初始化 
	WriteOneChar(0xcc); //跳过读序列号的操作 
	WriteOneChar(0x44); //启动温度转换
	delay(125); //转换需要一点时间，延时 
	Init_DS18B20(); //初始化 
	WriteOneChar(0xcc); //跳过读序列号的操作 
	WriteOneChar(0xbe); //读温度寄存器（头两个值分别为温度的低位和高位） 
	tempL=ReadOneChar(); //读出温度的低位LSB 
	tempH=ReadOneChar(); //读出温度的高位MSB 
	temperature=((tempH*256)+tempL)*0.0625; //温度转换，把高低位做相应的运算转化为实际温度 
	delay(200); 
	return(temperature); 
}


//**************************** //主程序//****************************  
main() 
{ 
	float i; 
	while(1) 
	{
		i=ReadTemperature(); 
	} 
}