📄 read_ds18b20.h
字号:
sbit TMDAT = P3^3; //根据实实际情况设定
#ifndef __READ_DS18B20_H__
/******************************* 延时函数 ********************************
* 功能:在11.059MHz的晶振条件下调用本函数需要24μs ,然后每次计数需16μs
**************************************************************************/
void Delay(int useconds)
{
int s;
for (s=0; s<useconds;s++);
}
/******************************* 复位函数 *******************************
* 功能:完成单总线的复位操作。
* 复位时间为480μs,因此延时时间为(480-24)/16 = 28.5,取29μs。
* 经过70μs之后检测存在脉冲,因此延时时间为(70-24)/16 = 2.875,取3μs。
**************************************************************************/
unsigned char Reset_Bus(void)
{
unsigned char presence;
TMDAT = 0; // 将 TMDAT 线拉低
Delay(29); // 保持 480μs
TMDAT = 1; // TMDAT返回高电平
Delay(3); // 等待存在脉冲
presence = TMDAT; // 获得存在信号
Delay(25); // 等待时间隙结束
return(presence); // 返回存在信号,0 = 器件存在, 1 = 无器件
}
/****************************** 位写入函数 *******************************
* 功能:向单总线写入1位值:bitval
*************************************************************************/
void Write_Bit(char bitval)
{
TMDAT = 0; // 将TMDAT 拉低开始写时间隙
if(bitval==1) TMDAT =1; // 如果写1,TMDAT 返回高电平
Delay(5); // 在时间隙内保持电平值,
TMDAT = 1; // Delay函数每次循环延时16μs,因此delay(5) = 104μs
}
/**************************** 字节写入函数 *******************************
* 功能:向单总线写入一个字节值:val
*************************************************************************/
void Write_Byte(char val)
{
unsigned char i;
unsigned char temp;
for (i=0; i<8; i++) { // 写入字节, 每次写入一位
temp = val>>i;
temp &= 0x01;
Write_Bit(temp);
}
Delay(5);
}
/**************************** 位读取函数 ********************************
* 功能:从单总线上读取一位信号,所需延时时间为15μs,因此无法调用前面定义
* 的delay()函数,而采用一个for()循环来实现延时。
* ***********************************************************************/
unsigned char Read_Bit(void)
{
unsigned char i;
TMDAT = 0; //将TMDAT 拉低开始读时间隙
TMDAT = 1; // then return high
for (i=0; i<3; i++); // 延时15μs
return(TMDAT); // 返回 TMDAT 线上的电平值
}
/**************************** 字节读取函数 *******************************
* 功能:从单总线读取一个字节的值
*************************************************************************/
unsigned char Read_Byte(void)
{
unsigned char i;
unsigned char value = 0;
for (i=0;i<8;i++) // 读取字节,每次读取一个字节
{
if(Read_Bit()) value|=0x01<<i; // 然后将其左移
Delay(6);
}
return(value);
}
/******************************* 读取温度函数 *****************************
* 功能:如果单总线节点上只有一个器件则可以直接掉用本函数。如果节点上有多个器
* 件,为了避免数据冲突,应使用Match ROM函数来选中特定器件。
* 注: 本函数是根据DS1820的温度数据格式编写的,若用于DS18B20,必须根据
* DS18B20的温度数据格式作适当修改。
**************************************************************************/
unsigned int DS18B20_Tmp_Read(void)
{
unsigned int TEMP;
unsigned char TEMP_LSB,TEMP_MSB;
Reset_Bus();
Write_Byte(0xCC); // 跳过 ROM
Write_Byte(0x44); // 启动温度转换
Delay(5); //延时100uS
Reset_Bus(); //复位操作
Write_Byte(0xCC); // 跳过 ROM
Write_Byte(0xBE); // 读暂存器
TEMP_LSB = Read_Byte();
TEMP_MSB = Read_Byte();
TEMP=TEMP_MSB;
TEMP=TEMP<<8;
TEMP=TEMP|TEMP_LSB;
return TEMP;
}
//unsigned char DS18B20_Tmp_Read()返回16位的温度值
#endif
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