eepdemo.c

密度测试仪的源码

/*========================================================================
IAP操作使用片内flash作为eeprom使用的驱动程序。参考来源：www.mcu-memory.com

本演示代码通过对用户数据的读写操作，具体实现数据存储的组织方法，最大限度的
利用eeprom的空间。这只是对eeprom进行分配轮换使用的一种方法。
实现分配的思路：用户数组(需要记忆的部分)应该在4,8,16,32,64等字节以内，将第
一字节留作索引头：如果读到该字节为0x55(也可以定义为其他数)，则认为已经找到
了有效的最后纪录，将本小区域数据读出。如果不是则继续跳到下一个小区域继续上
述操作，直到找到上一次的纪录为止，如果超出了eeprom的有效范围还没有找到，则
认为这是一块新的芯片，将默认的数据写入。
保存的时候，首先将刚才读到的那个数组的对应eeprom中的第一字节清零，以便下次
跳过，然后再推后一个小区域(记录长度)，将数据写入。如果出现写入失败，接着到
再下一个区域，直到写入正确为止。
这里有一个问题就是，写到下一个小区域的时候会遇到跨扇区，只要判断出跨区，就
将上一个扇区擦除，以备下一轮循环再使用。
程序利用stc提供的下载板上的LED显示当前读或者写的地址，你可以看到led的"递减"
过程，演示读写256次，从第一次的全亮，到演示完毕也全亮，刚好256次。如果中途
断电，即会出现不同的结果，但再进行完演示的话，会发现结束时的led状态与开始
时的一样，否则就说明你的芯片内部eeprom有损坏。

演示代码仅针对stc89c54rd+/51rc进行了调试，但可以给其他芯片编程时作为参考。
晓奇工作室 http://www.xiao-qi.com/
											---- xiaoqi  2005.12
 ======================================================================= */
//#include "src51rd.h"
#include <intrins.h>

#define	uchar	unsigned char
#define uint	unsigned int

/* STC89C54RD+的flash空间从0x4000~0xf3ff 共90个扇区，每扇区512字节	*/
//	#define BaseAddr		0x1000		/*	51rc	*/
//	#define EndSectoraddr	0x3d00		/*	51rc	*/
//	#define EndAddr	0x3fff		/*	51rc 12K eeprom	*/

	#define BaseAddr		0x4000
	#define EndSectoraddr	0xf200
	#define EndAddr	 		0xf3ff

/* ------------- 定义扇区大小 ------------- */
#define PerSector		512

/* 用户程序需要记忆的数组, 用户实际使用了n-1个数据，数组长度规整到
	2 4 8 16 32 64 上 */
uchar Ttotal[16]	=
{
	0x55,				/* 作为判别引导头使用，用户程序请不要修改它 */
	/* 用户保存记忆的数据 */
	0x01,				/* 用途说明....*/
	0x02,
	0x03,
	0x04,
	0x05,
	0x06,
	0x07,
	0x08,
	0x09,
	0x0a,
	0x0b,
	0x0c,
	0x0d,
	0x0e,
	0x0f,
};

uint 	timerForDelay,		/* 专供延时用的变量 */
		i,					/* 循环变量			*/
		EepromPtr;			/* eeprom读写指针	*/

/* ======================= IAP外部函数列表 =======================*/
/* 扇区擦除					*/
	extern void SectorErase(uint sector_addr);
/* byte 读					*/
	extern uchar byte_read(uint byte_addr);	
/* byte 写					*/
	extern void byte_write(uint byte_addr, uchar original_data);
/* byte写并校验				*/
	extern uchar byte_write_verify(uint byte_addr, uchar original_data);
/* byte数组写并校验			*/
	extern uchar ArrayWrite(uint begin_addr, uint len, uchar *array);
/* byte数组读, 存在Ttotal[]	*/
	extern void ArrayRead(uint begin_addr, uchar len);

/* ============================ 延时 ========================= */
void delayeeprom(uint counter)
{
	timerForDelay = counter;
	while(timerForDelay);
}

/* ==============================================================
 初始化开启定时器2,定时周期设定为10mS(下载板上 18.432M 晶振)
 ============================================================== */
void initCT2()
{
	/* 时钟倍频时用 0x8800*/
	RCAP2H	= 0xc4;
	RCAP2L	= 0x00;
	TH2	= 0xc4;					// 定时器初值
	TL2	= 0x00;	
	ET2 = 1;					// 允许T2中断
	T2CON   = 4;				// 自动重装的定时器
	TR2 = 1;					// 启动
	EA	= 1;
}

/* ==============================================================
 定时器CT2中断服务程序
 ============================================================== */
void timer2Int(void) interrupt 5
{
	TF2 = 0;							/* 溢出标志必须由软件清零*/
	EXF2 = 0;							/* 捕获标志必须由软件清零*/
	if(timerForDelay)timerForDelay--;	/* 定时变量处理			*/
}

/* ==============================================================
 从eeprom中读取数据
 ============================================================== */
void DataRestore()
{
	EepromPtr = BaseAddr;				/* 指向eeprom的起始点	*/
	while(EepromPtr < EndAddr)			/* 在eeprom的可用区域内	*/
	{
		if(byte_read(EepromPtr) == 0x55)/* 找到了上一次有效纪录	*/
		{
			break;						/*	寻找完成			*/
		}
		EepromPtr += 0x10;				/* 指向下一个小区		*/
	}
	if(EepromPtr >= EndAddr)			/* 如果照遍都没有,是新片*/
	{
		EepromPtr = BaseAddr;			/* 指向eeprom的起始点	*/
		for(i=0;i<90;i++)
		{
			SectorErase(EepromPtr+0x200*i);	/* 全部扇区擦除		*/
		}
		while(ArrayWrite(EepromPtr, 0x10, Ttotal))	/* 写默认值	*/
		{								/* 写入失败才运行的部分	*/
			byte_write(EepromPtr, 0);	/* 该单元已经失效		*/
			if(EepromPtr < EndAddr)
			{
				EepromPtr += 0x10;		/* 换一块新的小区		*/
			}
			else
			{
				P1=0;					/* 指示芯片内eeprom全坏	*/
				EA= 0;					/* 不再做任何事			*/
				while(1);				/* 死机					*/
			}
		}
	}
	ArrayRead(EepromPtr, 16);
}

/* ==============================================================
 将需要记忆的数据保存到eeprom
 ============================================================== */
void DataSave()
{
uint	wrPtr;									/* 临时指针		*/

NextArea:
	byte_write_verify(EepromPtr, 0);		/* 将原来的标记清除	*/
	wrPtr = EepromPtr & 0xfe00;	/* 上一个扇区的起始地址	*/
	EepromPtr += 0x10;						/* 目标存入地址		*/

	/* ------------------ 判断是否启用新的扇区 ---------------- */
	if((EepromPtr & 0x1ff)==0)
	{
		SectorErase(wrPtr);			/* 将上一个扇区擦除，备用	*/
		if(EepromPtr>=EndAddr)		/* 已经用完了最后一个区域	*/
		{
			EepromPtr = BaseAddr;					/* 从头开始	*/
		}
	}
	/* -------------------- 数据存入前的准备 ------------------ */
	/* 。。。。。。。。。。。。。。转移、处理					*/
	Ttotal[0] = 0x55;						/* 重申启用标记		*/
	if(ArrayWrite(EepromPtr, 0x10, Ttotal))
	{								/* 数据写入，如果有错换一块	*/
		goto NextArea;
	}
}

/* ================================================================
	储存于读取的反复测试，每个小区域16字节，每个扇区512字节，即每个
扇区分成32个小块，每次写入顺序往后移动一个小区域，进行256次读写操作
实际上跨越了8个扇区。
按照51rc 12K eeprom计算，可以反复纪录7680万次
按照52rc 8K eeprom计算，可以反复纪录3840万次
按照54rd+45K eeprom计算，可以反复纪录2.88亿次
足够系统对记忆体的要求。
 ================================================================ */
void saveread()
{
//	P1 = 0xff;					/* 所有LED熄灭	*/
	initCT2();					/* CT2初始化，用来做定时器		*/
	/* ------------------ 演示 256 次读写操作 ----------------- */
	for(i=0;i<256;i++)
	{
		DataRestore();			/* 从eeprom中读取记忆数据		*/
		P1 = (uchar)((EepromPtr >> 4) & 0xff);	/* 显示读取地址	*/
		delayeeprom(50);				/* 延时保留显示状态1秒			*/
		DataSave();				/* 数据再次保存					*/
		P1 = (uchar)((EepromPtr >> 4) & 0xff);	/* 显示写入地址	*/
		delayeeprom(20);				/* 延时保留显示状态1秒			*/
	}

	while(1);					/* 演示完毕 */
}