main.c

GZ60的flash擦写命令

#include <hidef.h> /* for EnableInterrupts macro */
#include <MC68HC908GZ60.h> /* include peripheral declarations */
#include <String.h>




void DoEarseFlash(void);
void DoWriteFlash(void);
void EarseFlash_END(void);
void WriteFlash_END(void);
void EarseFlash(unsigned int addr);
void WriteFlash(unsigned int addr);


byte N=0;
byte data[64]=0;
static word pbase,pend,faddr;
static byte PrgOfRam[500]; //存放擦/写Flash程序的数组 操作函数必须存在ram里面运行


byte m;
void main(void) {
  EnableInterrupts; /* enable interrupts */
  /* include your code here */
  N=4;
  data[0]=1;
  data[1]=2;
  data[2]=3;
  data[3]=4;
  asm("SEI");

  //调用EarseFlash()程序之前要保护后一页之后的区域
  //如:EarseFlash(0x8000),则要保护的为$8100后的区域
  FL1BPR=0b00000010;   //保护$8100~$FFFF的FLASH区域
  EarseFlash(0x8000);
  //调用WriteFlash()程序之前要保护后一页之后的区域
   //如:WriteFlash(0x8000),则要保护的为$8100后的区域
   FL1BPR=0b00000010;   //保护$8100~$FFFF的FLASH区域
  WriteFlash(0x8000);	//将数据写入flash 
  
  asm("CLI");
  
    


  for(;;) {
    __RESET_WATCHDOG(); /* feeds the dog */
    
    
  } /* loop forever */
  /* please make sure that you never leave this function */
}

/*EarseFlash:擦除指定flash的一页-------------------------------------*
*功  能:擦除以addr为首地址的flash一页                  *
*参  数:addr要擦除的首地址                             *
*返  回:无                                             *
*-------------------------------------------------------------------------------*/
void EarseFlash(unsigned int addr)
{
 void far * t;
faddr=addr;                   //擦除flash的首地址
//将擦除程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx @DoEarseFlash");   //擦除程序的首地址->HX
asm("sthx 0x40"); 
pbase=*((unsigned int *)0x40);          //HX->内存变量pbase
asm("ldhx @EarseFlash_END"); //擦除程序的末地址->HX
asm("sthx 0x42"); 
pend=*((unsigned int *)0x42);            //HX->内存变量pend
t=memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行擦除程序
asm("ldhx @PrgOfRam");	    //擦除程序在RAM区的首地址
asm("jsr ,X");		        //执行RAM区域的擦除程序
}
/*DoEarseFlash:擦除指定flash区-------------------------*
*功  能: 真正执行擦除addr指向的flash区的操作           *
*参  数:无                                             *
*返  回:无                                             *
*内部调用:延时函数delay1 (用嵌入汇编调用)              *
*-----------------------------------------------------*/
void delay1(void);
void DoEarseFlash(void)
{
unsigned char i;
FL1CR=0b00000010;  	    //①1->ERASE,0->MASS(页擦除)
i=FL1BPR;              //②读FLBPR
*((volatile unsigned char *)faddr)=0;   //③任意数->faddr,选中flash页
asm ("bsr delay1");      //④延时10us
FL1CR=0b00001010;      //⑤1->HVEN (加高压)
asm ("bsr delay1");      //延时时间必须>1.6ms
FL1CR=0b00001000;	    //⑦0->Erase
asm ("bsr delay1");      //⑧10us
FL1CR=0b00000000;	    //⑨0->HVEN(取消高压)
asm ("bsr delay1");      //⑩延时10us
}
void delay1(void)        //延时一定时间,供上述程序调用
{ unsigned  char j;
for (j=0;j<100;j++); }
void EarseFlash_END(void)   //擦除程序的末地址
{ }
/*WriteFlash:向addr指向的flash区写入数据---------------*
*功  能:向指定flash地址写入数据                        *
*参  数:addr要写入的首址                               *
*返  回:无                                             *
*-----------------------------------------------------*/
void WriteFlash(unsigned int addr)
{
 void far * t;
faddr=addr;	                 //写入flash的首地址
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx @DoWriteFlash");  //写入程序的首地址->HX
asm("sthx 0x40"); 
pbase=*((unsigned int *)0x40);          //HX->内存变量pbase
asm("ldhx @WriteFlash_END");//写入程序的末地址->HX
asm("sthx 0x42"); 
pend=*((unsigned int *)0x42);            //HX->内存变量pend
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
t=memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行写入程序
asm("LDHX @PrgOfRam");    //写入程序在RAM的首地址
asm("jsr ,X");		           //执行RAM区的写入程序
}
/*DoWriteFlash:实际执行的写入函数----------------------*
*功  能:调入内存执行擦除指定flash地址的数据            *
*参  数:无                                             *
*返  回:无                                             *
*内部调用:延时函数delay2(用嵌入汇编调用)               *
*-----------------------------------------------------*/
void delay2(void);
void DoWriteFlash(void)
{
unsigned char i;
unsigned char j;
FL1CR=0b00000001;  	   //①1->PGM
i=FL1BPR;               //②读FLBPR
//③任意数->faddr,选中flash行
*((volatile unsigned char *)faddr)=0;
asm ("bsr delay2");       //④延时10us
FL1CR=0b00001001;	   //⑤1->HVEN
asm ("bsr delay2");       //⑥延时10us
//⑦将数据写入相应的flash地址
for(i=0;i<N;i++)
{		               //数据送入flash地址
*((volatile unsigned char *)faddr+i)=data[i];
for (j=0;j<30;j++);         //⑧延时30us,不能调用延时程序
}
FL1CR=0b00001000;	   //⑨0->PGM
asm ("bsr delay2");       //⑩延时10us
FL1CR=0b00000000;	   //⑾0->HVEN
asm ("bsr delay2");       //⑿延时6us
}
void delay2(void)         //延时一定时间
{ unsigned  char j;
for (j=0;j<100;j++); }
void WriteFlash_END(void)   //写入程序的末地址
{ }