flash.c

GZ60的flash擦写命令

/*文件描述:本文件包含的子程序为                       *
*  1.void EarseFlash(unsigned int addr)               *
*    Flash擦除子程序                                  *
*  2.void WriteFlash(unsigned int addr)               *
*    Flash写入子程序                                  *
*说  明:                                         *
*  1.用来暂存写入或擦除程序的首末地址的变量pbase,     *
*    pend;用来暂存待写入或擦除的Flash首地址faddr;     *
*    用来存放写入的数据个数N和写入的数据data[]必须    *
*    在main函数中定义,否则将出错                      *
*  2.调用擦/写子程序之前先将待擦/写页的后一页开始的   *
*       所有区域写保护                                *
*-------------《嵌入式应用技术基础教程》--------------*/
//[包含头文件]
#include "hidef.h"
#include "MC68HC908GZ60.h"
#include <String.h>
//外部内存变量声明
extern unsigned char N,data[];
extern  unsigned int pbase,pend,faddr;
unsigned char PrgOfRam[]; //存放擦/写Flash程序以便执行
//内部调用函数声明

void DoEarseFlash(void);
void DoWriteFlash(void);
void EarseFlash_END(void);
void WriteFlash_END(void);
/*EarseFlash:擦除指定flash的一页-------------------------------------*
*功  能:擦除以addr为首地址的flash一页                  *
*参  数:addr要擦除的首地址                             *
*返  回:无                                             *
*-------------------------------------------------------------------------------*/
void EarseFlash(unsigned int addr)
{
 void far * t;
faddr=addr;                   //擦除flash的首地址
//将擦除程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx DoEarseFlash");   //擦除程序的首地址->HX
asm("sthx 0x40"); 
pbase=*((unsigned int *)0x40);          //HX->内存变量pbase
asm("ldhx EarseFlash_END"); //擦除程序的末地址->HX
asm("sthx 0x42"); 
pend=*((unsigned int *)0x42);            //HX->内存变量pend
t=memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行擦除程序
asm("ldhx PrgOfRam");	    //擦除程序在RAM区的首地址
asm("jsr ,X");		        //执行RAM区域的擦除程序
}
/*DoEarseFlash:擦除指定flash区-------------------------*
*功  能: 真正执行擦除addr指向的flash区的操作           *
*参  数:无                                             *
*返  回:无                                             *
*内部调用:延时函数delay1 (用嵌入汇编调用)              *
*-----------------------------------------------------*/
void delay1(void);
void DoEarseFlash(void)
{
unsigned char i;
FL1CR=0b00000010;  	    //①1->ERASE,0->MASS(页擦除)
i=FL1BPR;              //②读FLBPR
*((volatile unsigned char *)faddr)=68;   //③任意数->faddr,选中flash页
asm ("bsr delay1");      //④延时10us
FL1CR=0b00001010;      //⑤1->HVEN (加高压)
asm ("bsr delay1");      //延时时间必须>1.6ms
FL1CR=0b00001000;	    //⑦0->Erase
asm ("bsr delay1");      //⑧10us
FL1CR=0b00000000;	    //⑨0->HVEN(取消高压)
asm ("bsr delay1");      //⑩延时10us
}
void delay1(void)        //延时一定时间,供上述程序调用
{ unsigned  char j;
for (j=0;j<10;j++); }
void EarseFlash_END(void)   //擦除程序的末地址
{ }
/*WriteFlash:向addr指向的flash区写入数据---------------*
*功  能:向指定flash地址写入数据                        *
*参  数:addr要写入的首址                               *
*返  回:无                                             *
*-----------------------------------------------------*/
void WriteFlash(unsigned int addr)
{
 void far * t;
faddr=addr;	                 //写入flash的首地址
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx DoWriteFlash");  //写入程序的首地址->HX
asm("sthx 0x40"); 
pbase=*((unsigned int *)0x40);          //HX->内存变量pbase
asm("ldhx WriteFlash_END");//写入程序的末地址->HX
asm("sthx 0x42"); 
pend=*((unsigned int *)0x42);            //HX->内存变量pend
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
t=memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行写入程序
asm("LDHX PrgOfRam");    //写入程序在RAM的首地址
asm("jsr ,X");		           //执行RAM区的写入程序
}
/*DoWriteFlash:实际执行的写入函数----------------------*
*功  能:调入内存执行擦除指定flash地址的数据            *
*参  数:无                                             *
*返  回:无                                             *
*内部调用:延时函数delay2(用嵌入汇编调用)               *
*-----------------------------------------------------*/
void delay2(void);
void DoWriteFlash(void)
{
unsigned char i;
unsigned char j;
FL1CR=0b00000001;  	   //①1->PGM
i=FL1BPR;               //②读FLBPR
//③任意数->faddr,选中flash行
*((volatile unsigned char *)faddr)=56;
asm ("bsr delay2");       //④延时10us
FL1CR=0b00001001;	   //⑤1->HVEN
asm ("bsr delay2");       //⑥延时10us
//⑦将数据写入相应的flash地址
for(i=0;i<N;i++)
{		               //数据送入flash地址
*((volatile unsigned char *)faddr+i)=data[i];
for (j=0;j<30;j++);         //⑧延时30us,不能调用延时程序
}
FL1CR=0b00001000;	   //⑨0->PGM
asm ("bsr delay2");       //⑩延时10us
FL1CR=0b00000000;	   //⑾0->HVEN
asm ("bsr delay2");       //⑿延时6us
}
void delay2(void)         //延时一定时间
{ unsigned  char j;
for (j=0;j<10;j++); }
void WriteFlash_END(void)   //写入程序的末地址
{ }