📄 mega8fuse.txt
字号:
以下内容根据mega8的英文手册翻译,希望对大家有所帮助。如发现错误,恳请大家指正。
mega8熔丝位:
1:未编程(不选中)
0:编程(选中)
********************************
熔丝位 说明 缺省设置
********************************
RSTDISBL: 复位或I/O功能选择 1 1:复位功能;0:I/O功能(PC6)
WDTON: 看门狗开关 1 1:看门狗关闭(可以通过WDTCR允许);0:看门狗打开(可以通过WDTCR关闭)
SPIEN: SPI下载允许 0 1:SPI下载禁止;0:SPI下载允许(注:当使用SPI编程时,该项不可用)
EEAVE: 烧录时EEPROM数据保留 1 1:不保留;0:保留
BODEN: BOD功能控制 1 1:BOD功能禁止;0:BOD功能允许
BODLEVEL: BOD电平选择 1 1:2.7V电平;0:4.0V电平
BOOTRST: 复位入口选择 1 1:程序从0x0000地址开始执行;0:程序从引导区确定的入口地址开始执行
********************************
BOOTSZ1/0: 引导区程序大小及入口 00
00:1024Word/0xc00;
01:512Word/0xe00;
10:256Word/0xf00;
11:128Word/0xf80
********************************
BLB02/01: 程序区指令位选择 11
11:SPM和LPM指令都允许执行
10:SPM指令禁止写程序区
01:引导区LPM指令禁止读取程序区内容;如果中断向量定义在引导区,则禁止该中断在程序区执行。
00:SPM指令禁止写程序区;引导区LPM指令禁止读取程序区内容;如果中断向量定义在引导区,则禁止该中断在程序区执行。
********************************
BLB12/11: 引导区指令位选择 11
11:SPM和LPM指令都允许执行
10:SPM指令禁止写引导区
01:程序区LPM指令禁止读取引导区内容;如果中断向量定义在程序区,则禁止该中断在引导区执行。
00:SPM指令禁止写引导区;程序区LPM指令禁止读取引导区内容;如果中断向量定义在程序区,则禁止该中断在引导区执行。
********************************
LB2/1: 程序区加密位选择 11
11:未加密
10:程序和EEPROM编程功能禁止,熔丝位锁定
00:程序和EEPROM编程及校验功能禁止,熔丝位锁定
(注:先编程其他熔丝位,再编程加密位)
********************************
CKSEL3/0: 时钟源选择 0001
CKOPT: 晶振选择 1
SUT1/0: 复位启动时间选择 10
********************************
CKSEL3/0=0000:外部时钟,CKOPT=0:允许芯片内部XTAL1管脚对GND接一个36PF电容;CKOPT=1:禁止该电容,当需要使用32K晶振作为T2时钟时,一定要令CKOPT=0,即使使用的是内部的RC振荡
----------------
CKSEL3/0=0001-0100:已经校准的内部RC振荡,CKOPT总为1,但是如果还要使用32K的晶振作为T2的时钟,则要令CKOPT=0
0001:1.0M
0010:2.0M
0011:4.0M
0100:8.0M
----------------
CKSEL3/0=0101-1000:外部RC振荡,CKOPT=0:允许芯片内部XTAL1管脚对GND接一个36PF电容;CKOPT=1:禁止该电容
0101:<0.9M
0110:0.9-3.0M
0111:3.0-8.0M
1000:8.0-12.0M
----------------
CKSEL3/0=1001:外部低频晶振,CKOPT=0:允许芯片内部XTAL1/XTAL2管脚对GND各接一个36PF电容;CKOPT=1:禁止该电容
----------------
CKSEL3/0=1010-1111:外部晶振,陶瓷振荡子,CKOPT=0:高幅度振荡输出;CKOPT=1:低幅度振荡输出
101X:0.4-0.9M
110X:0.9-3.0M
111X:3.0-8.0M
********************************
SUT1/0: 复位启动时间选择
当选择不同晶振时,SUT有所不同。
********************************
对复位启动时间选择的详细说明:
********************************
CKSEL3/0=0000:外部时钟
SUT1/0=00:6CK BOD允许
SUT1/0=01:6CK+4ms 电源上升速率快
SUT1/0=10:6CK+64ms 电源上升速率慢
SUT1/0=11:保留
----------------
CKSEL3/0=0001-0100:已经校准的内部RC振荡
0001:1.0M
0010:2.0M
0011:4.0M
0100:8.0M
SUT1/0=00:6CK BOD允许
SUT1/0=01:6CK+4ms 电源上升速率快
SUT1/0=10:6CK+64ms 电源上升速率慢
SUT1/0=11:保留
----------------
CKSEL3/0=0101-1000:外部RC振荡
0101:<0.9M
0110:0.9-3.0M
0111:3.0-8.0M
1000:8.0-12.0M
SUT1/0=00:18CK BOD允许
SUT1/0=01:18CK+4ms 电源上升速率快
SUT1/0=10:18CK+64ms 电源上升速率慢
SUT1/0=11:6CK+4ms 电源上升速率快或BOD允许
----------------
CKSEL3/0=1001:外部低频晶振
SUT1/0=00:1K CK+4ms 电源上升速率快或BOD允许
SUT1/0=01:1K CK+64ms 电源上升速率慢
SUT1/0=10:32K CK+64ms 启动时晶体振荡稳定
SUT1/0=11:保留
----------------
CKSEL3/0=1010-1111:外部晶振,陶瓷振荡子
101X:0.4-0.9M
110X:0.9-3.0M
111X:3.0-8.0M
CKSEL=0;SUT1/0=00:258CK+4ms 陶瓷振荡,电源上升速率快
CKSEL=0;SUT1/0=01:258CK+64ms 陶瓷振荡,电源上升速率慢
CKSEL=0;SUT1/0=10:1K CK 陶瓷振荡,BOD允许
CKSEL=0;SUT1/0=11:1K CK+4ms 陶瓷振荡,电源上升速率快
CKSEL=1;SUT1/0=00:1K CK+4ms 陶瓷振荡,电源上升速率慢
CKSEL=1;SUT1/0=01:16K CK 晶体振荡,BOD允许
CKSEL=1;SUT1/0=10:16K CK+4ms 晶体振荡,电源上升速率快
CKSEL=1;SUT1/0=11:16K CK+64ms 晶体振荡,电源上升速率慢
⌨️ 快捷键说明
复制代码
Ctrl + C
搜索代码
Ctrl + F
全屏模式
F11
切换主题
Ctrl + Shift + D
显示快捷键
?
增大字号
Ctrl + =
减小字号
Ctrl + -