📄 access_extended_sram.c
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// 目标器件芯片为 ATmega64 和 ATmega128 的条件编译
{
asm("cli") ; // 禁止全局中断
asm("MOV r24, r18") ; // R24 = 入口参数 data_length 的低字节
asm("MOV r25, r19") ; // R25 = 入口参数 data_length 的高字节
// 赋值寻址低位指针值为上一次的尾部地址值
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_index)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_index)") ;
asm("LD r26, Z") ; // R26 = 寻址低位指针值的低字节
asm("LDD r27, Z+1") ; // R27 = 寻址低位指针值的高字节
// 赋值寻址高位指针值为上一次的尾部地址值
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_h_index)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_h_index)") ;
asm("LD r18, Z") ; // R18 = 寻址高位指针值
asm("MOV r30, r16") ; // R30 = 入口参数 *first_data_address 的低字节
asm("MOV r31, r17") ; // R31 = 入口参数 *first_data_address 的高字节
asm("LDI r19, 0x80") ; // R19 = ［EXTSRAM_ADDR_H_START］的值
asm("LDI r20, 0xFF") ; // R20 = ［EXTSRAM_ADDR_END］值的低字节
asm("LDI r21, 0xFF") ; // R21 = ［EXTSRAM_ADDR_END］值的高字节
asm("ESB_READ_ASM1:") ;
asm("OUT 0x12, r18") ; // 置寻址高位在超过 64KB 空间地址内
// ▲ 注：高位地址总线引脚为［PORTD］
asm("LD r16, X+") ; // 读取下一个读取数据序列中的数据
asm("OUT 0x12, r19") ; // 置寻址高位在 64KB 空间地址内
// ▲ 注：高位地址总线引脚为［PORTD］
asm("ST Z+, r16") ; // 将读取的数据存储到目标的空间内
// 如果本 64KB 页内空间读取完毕，那么将寻址高位加１和将寻址低位指针归零；
// 后将寻址高位的值存储到ＥＥＰＲＯＭ中（防止掉电时丢失操作地址）。
asm("CP r26, r20") ; // 寻址低位指针值是否超过 64KB ？
asm("CPC r27, r21") ;
asm("BREQ ESB_READ_ASM2") ; // 是，转至相应处理
asm("RJMP ESB_READ_ASM8") ; // 否，继续写入下一个数据
asm("ESB_READ_ASM2:") ;
asm("LDI r26, LOW(0x1100)") ; // 寻址低位指针值归回每页的起始地址值
asm("LDI r27, HIGH(0x1100)") ;
// ▲ 注：起始地址值为［EXTSRAM_ADDR_START］
asm("INC r18") ; // 寻址高位指针值加１
asm("MOV r2, r30") ; // 暂存寄存器 r30 的数值到 r2 中
asm("MOV r3, r31") ; // 暂存寄存器 r31 的数值到 r3 中
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_h_index)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_h_index)") ;
asm("ST Z, r18") ; // 将寻址高位指针值赋值回静态变量中
// 将寻址高位指针值存储到ＥＥＰＲＯＭ中
asm("LDI r30, LOW(es_addr_read_h_index_eep)") ;
asm("LDI r31, HIGH(es_addr_read_h_index_eep)") ;
asm("ESBW_EEPROM_READ1:") ;
asm("sbic 0x1C,1") ; // 如果 EEWE 不清除
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("rjmp ESBW_EEPROM_READ1") ; // 等待，上一次 EEPROM 写操作结束
asm("out 0x1F,r31") ; // 输出写入的 EEPROM 地址高位
// ▲ 注：寄存器［EEARH］
asm("out 0x1E,r30") ; // 输出写入的 EEPROM 地址低位
// ▲ 注：寄存器［EEARL］
asm("out 0x1D,r18") ; // 输出写入的 EEPROM 数据
// ▲ 注：寄存器［EEDR］
asm("sbi 0x1C,2") ; // 设置 EEPROM 主机写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEMWE］
asm("sbi 0x1C,1") ; // 设置 EEPROM 写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
// 下面这两条条件判断语句用于执行此操作：如果寻址高位己到扩展存储空间尾部，那么将
// 寻址高位归零；后将寻址高位的值存储到ＥＥＰＲＯＭ中（防止掉电时丢失操作地址）。
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_h_index_status)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_h_index_status)") ;
asm("LD r16, Z") ; // 取寻址高位指针状态的数值
asm("CPI r16, 0") ; // 寻址寻址高位指针状态是否为 0 ？
asm("BRNE ESB_READ_ASM3") ; // 否，转至相应处理
asm("RJMP ESB_READ_ASM4") ; // 是，继续
asm("ESB_READ_ASM3:") ;
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_h_index)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_h_index)") ;
asm("INC r19") ;
asm("MOV R18, r19") ; // 寻址高位指针值归回寻址高位的起始地址值
// ▲ 注：起始值为［EXTSRAM_ADDR_H_START+1］
asm("DEC r19") ;
asm("ST Z, r18") ; // 将寻址高位指针值赋值回静态变量中
// 将寻址高位指针值存储到ＥＥＰＲＯＭ中
asm("LDI r30, LOW(es_addr_read_h_index_eep)") ;
asm("LDI r31, HIGH(es_addr_read_h_index_eep)") ;
asm("ESBW_EEPROM_READ2:") ;
asm("sbic 0x1C,1") ; // 如果 EEWE 不清除
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("rjmp ESBW_EEPROM_READ2") ; // 等待，上一次 EEPROM 写操作结束
asm("out 0x1F,r31") ; // 输出写入的 EEPROM 地址高位
// ▲ 注：寄存器［EEARH］
asm("out 0x1E,r30") ; // 输出写入的 EEPROM 地址低位
// ▲ 注：寄存器［EEARL］
asm("out 0x1D,r18") ; // 输出写入的 EEPROM 数据
// ▲ 注：寄存器［EEDR］
asm("sbi 0x1C,2") ; // 设置 EEPROM 主机写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEMWE］
asm("sbi 0x1C,1") ; // 设置 EEPROM 写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_h_index_status)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_h_index_status)") ;
asm("LDI r16, 0") ; // 寻址高位指针状态值清为 0
asm("ST Z, r16") ; // 将寻址高位指针状态值赋值回静态变量中
// 将寻址高位指针状态值存储到ＥＥＰＲＯＭ中
asm("LDI r30, LOW(es_addr_read_h_index_status_eep)") ;
asm("LDI r31, HIGH(es_addr_read_h_index_status_eep)") ;
asm("ESBW_EEPROM_READ3:") ;
asm("sbic 0x1C,1") ; // 如果 EEWE 不清除
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("rjmp ESBW_EEPROM_READ3") ; // 等待，上一次 EEPROM 写操作结束
asm("out 0x1F,r31") ; // 输出写入的 EEPROM 地址高位
// ▲ 注：寄存器［EEARH］
asm("out 0x1E,r30") ; // 输出写入的 EEPROM 地址低位
// ▲ 注：寄存器［EEARL］
asm("out 0x1D,r16") ; // 输出写入的 EEPROM 数据
// ▲ 注：寄存器［EEDR］
asm("sbi 0x1C,2") ; // 设置 EEPROM 主机写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEMWE］
asm("sbi 0x1C,1") ; // 设置 EEPROM 写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("ESB_READ_ASM4:") ;
asm("CPI r18, 0xFF") ; // 寻址高位指针值是否超过终止地址值？
// ▲ 注：终止地址值为［EXTSRAM_ADDR_H_END］
asm("BRNE ESB_READ_ASM6") ; // 否，转至下一段；是，继续
asm("LDI r16, 0xA9") ; // 置寻址高位指针状态值为非０
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_h_index_status)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_h_index_status)") ;
asm("ST Z, r16") ; // 将寻址高位指针状态值赋值回静态变量中
// 将寻址高位指针状态值存储到ＥＥＰＲＯＭ中
asm("LDI r30, LOW(es_addr_read_h_index_status_eep)") ;
asm("LDI r31, HIGH(es_addr_read_h_index_status_eep)") ;
asm("ESBW_EEPROM_READ4:") ;
asm("sbic 0x1C,1") ; // 如果 EEWE 不清除
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("rjmp ESBW_EEPROM_READ4") ; // 等待，上一次 EEPROM 写操作结束
asm("out 0x1F,r31") ; // 输出写入的 EEPROM 地址高位
// ▲ 注：寄存器［EEARH］
asm("out 0x1E,r30") ; // 输出写入的 EEPROM 地址低位
// ▲ 注：寄存器［EEARL］
asm("out 0x1D,r16") ; // 输出写入的 EEPROM 数据
// ▲ 注：寄存器［EEDR］
asm("sbi 0x1C,2") ; // 设置 EEPROM 主机写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEMWE］
asm("sbi 0x1C,1") ; // 设置 EEPROM 写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("ESB_READ_ASM6:") ;
asm("MOV r30, r2") ; // 从暂存寄存器 r2 中复原回 r30 的值
asm("MOV r31, r3") ; // 从暂存寄存器 r3 中复原回 r31 的值
asm("ESB_READ_ASM8:") ;
asm("SBIW r24, 1") ; // 写入的数据长度－１
asm("BREQ ESB_READ_ASM9") ; // 如果己全部完成读取数据，则转至结束处理；
asm("RJMP ESB_READ_ASM1") ; // 否则，继续读取下一个数据。
asm("ESB_READ_ASM9:") ;
asm("OUT 0x12, r19") ; // 置寻址高位在 64KB 空间地址内
// ▲ 注：高位地址总线引脚为［PORTD］
asm("LDI r30, LOW(??es_addr_read_index)") ;
asm("LDI r31, HIGH(??es_addr_read_index)") ;
asm("ST Z, r26") ; // 将寻址低位指针值的低字节赋值回静态变量中
asm("STD Z+1, r27") ; // 将寻址低位指针值的高字节赋值回静态变量中
// 将寻址低位指针值存储到ＥＥＰＲＯＭ中
asm("LDI r30, LOW(es_addr_read_index_eep)") ;
asm("LDI r31, HIGH(es_addr_read_index_eep)") ;
asm("ESBW_EEPROM_READ5:") ;
asm("sbic 0x1C,1") ; // 如果 EEWE 不清除
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("rjmp ESBW_EEPROM_READ5") ; // 等待，上一次 EEPROM 写操作结束
asm("out 0x1F,r31") ; // 输出写入的 EEPROM 地址高位
// ▲ 注：寄存器［EEARH］
asm("out 0x1E,r30") ; // 输出写入的 EEPROM 地址低位
// ▲ 注：寄存器［EEARL］
asm("out 0x1D,r26") ; // 输出写入的 EEPROM 数据
// ▲ 注：寄存器［EEDR］
asm("sbi 0x1C,2") ; // 设置 EEPROM 主机写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEMWE］
asm("sbi 0x1C,1") ; // 设置 EEPROM 写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("ADIW r30, 1") ; // 写入ＥＥＰＲＯＭ的地址＋１
asm("ESBW_EEPROM_READ6:") ;
asm("sbic 0x1C,1") ; // 如果 EEWE 不清除
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("rjmp ESBW_EEPROM_READ6") ; // 等待，上一次 EEPROM 写操作结束
asm("out 0x1F,r31") ; // 输出写入的 EEPROM 地址高位
// ▲ 注：寄存器［EEARH］
asm("out 0x1E,r30") ; // 输出写入的 EEPROM 地址低位
// ▲ 注：寄存器［EEARL］
asm("out 0x1D,r27") ; // 输出写入的 EEPROM 数据
// ▲ 注：寄存器［EEDR］
asm("sbi 0x1C,2") ; // 设置 EEPROM 主机写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEMWE］
asm("sbi 0x1C,1") ; // 设置 EEPROM 写使能
// ▲ 注：寄存器［EECR］、位［EEWE］
asm("sei") ; // 打开全局中断
}
#else // 目标器件芯片的条件编译
#error 函数 " ExtSRAM_Black_Read " 错误！函数体没有可执行部分，无法调用入口参数和返回函数值。
#endif // 目标器件芯片的条件编译结束
#endif // "USE_ASM_EXTSRAM_BLACK_ACCESS"条件编译结束
#if defined(_IAR_EW_AVR_) // "IAR Embedded Workbench AVR 编译器"条件编译开始
#pragma diag_default=Pe826,Pe940 // Pe826,Pe940 消息复原为默认设置
#endif // "defined(_IAR_EW_AVR_)" 条件编译结束
/*
****************************************************************************************
本Ｃ语言源程序文件到此结束
****************************************************************************************
*/
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