三极管2SA1015中文资料(引脚，参数,低换等)
命名：2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015
2SA1015代换型号：2SA608 管脚排列一是样的
本译文译自FAIRCHILE公司 东芝 飞利浦的1015特性与之基本相同
A1015三极管 排列引脚图
主要参数：
Symbol符号
Parameter 参数
Value数值
Units单位
VCBO
Collector-Base Voltage 集电极-基极电压
-60
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压
-50
V
VEBO
Emitter-Base Voltage 射极-基极电压
-5
V
IC
Collector Current 集电极电流
-150
mA
IB
Base Current 基极电流
-50
mA
PC
Collector Power Dissipation 耗散功率
400
mW
TJ
Junction Temperature 结温
125
℃
TSTG
Storage Temperature 贮藏温度
-65 ~ 150
℃
电参数：
Symbol 符号
Parameter 参数
Test Condition 测试条件
Min 最小
Typ 平均
Max 最大
Units 单位
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压
IC= -100μA, IE=0
-50
-
-
V
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压
IC= -10mA, IB=0
-50
-
-
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压
IE= -10μA, IC=0
-5
-
-
V
ICBO
Collector Cut-off Current 集电极截止电流
VCB=60V, IE=0
-
-
-0.1
μA
IEBO
Emitter Cut-off Current 射极
截止电流
VEB=5V, IC=0
-
-
-0.1
μA
hFE1 hFE2
DC Current Gain直流电流增益
VCE=6V, IC=2mA
VCE=6V, IC=150mA
70
25
-
400
-
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压
IC=100mA, IB=10mA
-
-0.1
-0.3
V
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压
IC=100mA, IB=10mA
-
-
-1.1
V
fT
Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽
VCE=10V, IC=1mA
80
-
-
MHz
Cob
Output Capacitance 输出电容
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
-
4.0
7.0
pF
NF
Noise Figure 噪声系数
VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz
-
0.5
6.0
db
放大倍数：
后缀符号
O
Y
GR
放大倍数
70-140
120-240
200-400