· 摘要： 介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写,并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导.
TMS320VC5410分页烧写_Flash的多页程序并行自举
资料详细技术说明
·摘要： 以TMS320VC5410为例,介绍对Am29LV200B Flash存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程序并行自举的方法.对多页Flash存储器的烧写,须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断,当达到预定烧写长度后对Flash进行换页,然后继续烧写,重复上述换页过程,直到程序烧写完为止.对多页程序的并行自举,在系统上电后,利用TI提供的自举程序,将一个用户自己编写的
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