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ARM多端口存储器控制器PL176技术手册 - 资源详细说明
NXP半导体设计的LPC3000系列ARM芯片，适用于要求高性能和低功耗结合的嵌入式应用中。
NXP通过使用90纳米的处理技术，将一个带有矢量浮点协处理器的ARM926EJ-S CPU内核与一系列包括USB On-The-Go在内的标准外设结合起来，从而实现LPC3000的性能目标。LPC3000系列ARM可工作在高于266MHz的CPU频率下。ARM926EJ-S CPU内核加入5级流水处理并采用哈佛结构。该内核还具有一个完整的存储器管理单元（MMU），以提供支持现代操作系统多程序设计所需的虚拟存储器功能。ARM926EJ-S CPU内核还包含了带有单周期MAC操作的一系列DSP指令扩展，以及Jazelle Java字节代码执行。NXP实现的器件具有一个32kB指令高速缓存和32kB数据高速缓存。
NXP通过使用90纳米的处理技术，将一个带有矢量浮点协处理器的ARM926EJ-S CPU内核与一系列包括USB On-The-Go在内的标准外设结合起来，从而实现LPC3000的性能目标。LPC3000系列ARM可工作在高于266MHz的CPU频率下。ARM926EJ-S CPU内核加入5级流水处理并采用哈佛结构。该内核还具有一个完整的存储器管理单元（MMU），以提供支持现代操作系统多程序设计所需的虚拟存储器功能。ARM926EJ-S CPU内核还包含了带有单周期MAC操作的一系列DSP指令扩展，以及Jazelle Java字节代码执行。NXP实现的器件具有一个32kB指令高速缓存和32kB数据高速缓存。
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