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CMOS器件抗静电措施的研究

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CMOS器件抗静电措施的研究 - 资源详细说明

由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。

CMOS器件抗静电措施的研究 - 源码文件列表

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