根据日媒的报道，在不久前举办的线上活动中，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示，在与ASML公司的合作下，更加先进的光刻机已经取得了进展。
摩尔定律的终点是什么？随着5nm光刻技术的大规模生产和3nm的突破，摩尔定律的终结变得越来越难以捉摸。可以肯定的是，随着过程的进一步改进，其成本将成倍增加。
根据日本媒体Mynavi的报道，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在最近一次在线活动的在线演示中表示，与ASML合作已朝着更先进的光刻技术取得了进展。
本月中旬，ITF论坛在日本东京举行。在论坛上，与ASML合作开发光刻技术的比利时半导体研究组织IMEC在微尺度级别上宣布了3nm及以下工艺的技术细节。至少就目前而言，ASML为3m ，2nm， 1.5nm，1nm甚至Sub 1nm制定了清晰的路线图，而1nm时代将使光刻机的尺寸大大增加。
EUV光刻系统的技术路线图，用于逻辑器件的工艺小型化
包括日本在内的许多半导体公司已经退出了工艺的小型化，声称摩尔定律已告终结，或者说摩尔定律过于昂贵且无利可图。尽管日本许多光刻工具制造商已经退出了EUV光刻开发阶段，但半导体研究机构IMEC和ASML一直在合作开发EUV光刻，这对于超精细规模至关重要。
IMEC的逻辑设备小型化路线图
PP是多晶硅互连的间距（nm），MP是上游技术节点名称下的精细金属布线的间距（nm）。应该注意的是，过去的技术节点是指最小的工艺尺寸或门的长度，但是现在它们只是“标签”，而不是指位置的物理长度。
EUV光刻系统的技术路线图，用于逻辑器件的工艺小型化
根据IMEC的说法，ASML已经完成了作为NXE：5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，但计划于2022年实现商业化。
ASML过去一直与IMEC密切合作，以开发光刻技术，但为了使用高NA EUV光刻工具开发光刻工艺，已在IMEC校园内建立了新的“ IMEC-ASML高NA EUV实验室”，以促进联合研究和使用高NA EUV光刻工艺的工具开发光刻工艺。该公司还计划与材料供应商合作开发掩膜和抗蚀剂。
ASML在过去与IMEC密切合作开发光刻技术,但开发光刻过程使用高NA EUV光刻工具,一个新的「IMEC-ASML高NA EUV实验室」已经建立在IMEC校园促进联合研究和开发的光刻过程使用高NA EUV光刻过程的工具。该公司还计划与材料供应商合作开发口罩和防腐蚀剂。
文章来源：Sparrows NEWS、新智元
IEEE Spectrum
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