STM32F1和GD32F1有什么区别?

来源：嵌入式专栏

编辑整理：技术让梦想更伟大 | 李肖遥

使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M。

外部供电：GD32外部供电范围是2.6 ~ 3.6V，STM32外部供电范围是2 ~ 3.6V,GD的供电范围比STM32相对要窄一点。

内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。

GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。

STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：0等待周期，当0<SYSCLK<24MHz，1等待周期，当24MHz<SYSCLK≤48MHz，2等待周期，当48MHz<SYSCLK≤72MHz。

Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。

从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图：

GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：

STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图：

GD的105/107的选择比ST的多很多，具体见下表：

还有很多差异，可能有些工程师在实际应用过程中都发现了。