通常功率MOSFET的数据表中定义了基于硅片结温和封装限制的额定连续漏极电流ID值，理论上基于接合线的熔化理论来计算接合线的电流限制值。功率MOSFET源极管脚的铜皮（内部框架）可以有助于硅片的散热，大多数情况下，功率MOSFET晶元的表面、线的接合处具有最高的电流密度，因此功率MOSFET晶元的表面也是温度最高的热点。
功率MOSFET的塑料壳可以传导热量，从而显著的降低导线的温升。在自由空气中，熔化的温度限制了接合线导线的电流，如果温度大于220ºC，通常使用的外壳的塑料才会分解，因此温度的限制也约束了允许的电流。
功率MOSFET连续漏极电流额定值接合线限制，以及功率MOSFET连续漏极电流额定值ID、脉冲电流额定值IDM，参考以前发表的文章。
看一下有趣的视频吧，在自由空气中，直径为8mil的铝材料的导线，10厘米长，猜猜电流是多少，铝导线开始熔化？
松哥电源（微信公众号：adlsong2016）：探讨电源理论，分析电源应用，分享电源新思维！更多技术文章，请关注以下公众号
