PMOS在Buck的应用中不是浮驱，无需Boot电容（自举电容，启动电容），因而在低压小功率的情况下，为了简化设计，PMOS还是有很多应用。
NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从S流到D，一般RDS(ON)非常小，在导通时D与S电压几乎一样。“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比S端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。低的RDS(ON)预示着开关导通损耗低；很多情况下一个二极管外加一个电容就可以组成一个电荷泵来给NMOS管供电。
NMOS导通需要GS有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取GS的正压，PMOS导通GS需要一个负压，即G端电压要小于S端电压，这样IC实现起来就很方便了，不用自举电容。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
以上是几个常见的NMOS作为开关管得buck电路中的自举电容需求，下面详细分析有BOOT电容的工作过程。
当VS降低到IC电源电压VDD或下拉至地时（低端开关导通，高端开关关断），电源VDD通过自举电阻RBOOT，和自举二极管DBOOT，对自举电容CBOOT进行充电。当VS被高端开关上拉到一个较高电压时，由VBS对该自举电容充电，此时，VBS电源浮动，自举二极管处于反向偏置，轨电压（低端开关关断，高端开关导通）和IC电源电压VDD，被隔离开（Diode是为了防止升高后的电压回灌到原始的输入电压）。
C 自举电容的值和开关频率、峰值电流、占空比、自举电压有关；
C BST和SW的压差要保证上管正常导通，同时不能损坏上管；
