本文主要介绍推挽电路的结构及工作过程。
推挽电路又叫图腾柱电路，图腾柱型驱动电路的作用：提升电流提供能力（驱动能力强，因为输出阻抗小），迅速完成对门极电荷的充电过程，而并不是提供一个门极电压。所以电容Cgs的电压稳态时只会到达Vcc-0.7，因为如果高于Vcc-0.7的话，上面三极管的工作状态就会变化，BE之间压降不够的话就会截止；同理，当下面三极管工作时，存在一个CE导通之后，电压被迅速拉低，但是由于三极管导通需要保持BE之间必须有0.7V的压降，所以当Cgs的电压达到0.7V以下后就会截止，所以Cgs的电压范围是0.7V（略低于）~Vcc-0.7（略低于）之间。
所以，图腾柱提升驱动能力的关键不是在于多增加级数，例如在同一个电源下面采用多级图腾柱串联，这样做是不能够提高驱动能力的，能做的只是将功率分散开，平分了电流I，用以驱动更大的IGBT或者MOS管；要增加驱动能力，关键在于增加供电电源数量，多个电源供电之后电流增大，相当于提高了VDD的电压。
U1是输出锁存器，执行GPIO管脚写操作时，在写脉冲（WritePulse）的作用下，数据被锁存到Q和/Q。T1和T2构成CMOS反相器，T1导通或T2导通时都表现出较低的阻抗，但T1和T2不会同时导通或同时关闭，最后形成的是推挽输出。在推挽输出模式下，GPIO还具有回读功能，实现回读功能的是一个简单的三态门U2。执行回读功能时，读到的是管脚的输出锁存状态，而不是外部管脚Pin的状态。图腾柱电路的工作过程如下：
MOS管/IGBT等驱动的原理就是给内部的电容充放电，等效为Cgs充放电。当输入为高电平（Vcc）时，Q1导通（上管），Q2关断（下管）；等效电容Cgs充电（稳态Cgs电压为Vcc-0.7），当Cgs电压高于开关器件阀值时，开关器件导通，一般IGBT阀值在2V左右。此时Cgs充电至（Vcc-0.7V）（去除Q1一个二极管压降）。此处为什么Cgs的稳态电压不会到达Vcc呢？原因在于Q1的导通状态需要BE之间必须有压降，如果Cgs的电压超过（Vcc-0.7V）那么Q1立刻截止。放电过程：当输入为低电平时，Q1关断，Q2由于Cgs充电至（Vcc-0.7V），处于高电平，Q2被导通，Cgs放电，但是由于Q2要导通的前提是BE之间必须有0.7V的压降，所以Cgs>0.7V时Q2可以导通，当Cgs<0.7V时，Q2截止，放电停止。这一步的主要作用是给Cgs形成一个放电回路，快速释放Cgs的电荷，防止开关器件的导通电容Cgs无法放电而一直存在，处于高电平状态，开关器件的工作状态不明确。输出高低电平时，两个三极管交替工作，从而减低了功耗，提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路，管子导通电阻都很小，使RC常数很小，转变速度很快。因此，推挽式输出既提高电路的负载能力，又提高开关速度。图腾柱或达林顿输出结构的TTL电路不允许并联使用。只有三态或OC（OD）输出结构的电路才可以并联使用。
当若干个三态逻辑门并联使用时只允许其中一个门处于使能状态（逻辑“0”或逻辑“1”），其他所有门应处于高阻态。
当多个OC（OD）输出端并联使用时，只允许其中一个门处于低电平输出状态，其他所有门应处于高电平输出状态。
推挽电路无论是输出“0”还是“1”都是晶体管“拉”出来的，而OD电路输出“1”是靠上拉电阻“拉”出来的，上拉电阻一般都是K级的，晶体管的“拉”能力要比电阻强得多（输出阻抗小），所以推挽电路的驱动能力比OD强。
