动态功耗是由电路中的电容引起的。设C为CMOS电路的电容,电容值为PMOS管从0状态到H状态所需的电压与电量的比值。以一个反相器为例,当该电压为Vdd时,从0到H状态变化(输入端)所需要的能量是CVdd2。其中一半的能量存储在电容之中,另一半的能量扩展在PMOS之中。对于输出端来说,它从H到0过程中,不需要Vdd的充电,但是在NMOS下拉的过程中,会把电容存储的另一半能量消耗掉。如果CMOS在每次时钟变化时都变化一次,则所耗的功率就是CBdd2f,但并不是在每个时钟跳变过程之中,所有的CMOS电容都会进行一次转换(除了时钟缓冲器),所以最后要再加上一个概率因子a。电路活动因子a代表的是,在平均时间内,一个节点之中,每个时钟周期之内,这个节点所变化的几率。最终得到的功耗表达式为:Psw=aCVdd2f。
(2)内部短路功耗
CMOS电路中,如果条件VtnSoC系统的低功耗设计
动态功耗是由电路中的电容引起的。设C为CMOS电路的电容,电容值为PMOS管从0状态到H状态所需的电压与电量的比值。以一个反相器为例,当该电压为Vdd时,从0到H状态变化(输入端)所需要的能量是CVdd2。其中一半的能量存储在电容之中,另一半的能量扩展在PMOS之中。对于输出端来说,它从H到0过程中,不需要Vdd的充电,但是在NMOS下拉的过程中,会把电容存储的另一半能量消耗掉。如果CMOS在每次时钟变化时都变化一次,则所耗的功率就是CBdd2f,但并不是在每个时钟跳变过程之中,所有的CMOS电容都会进行一次转换(除了时钟缓冲器),所以最后要再加上一个概率因子a。电路活动因子a代表的是,在平均时间内,一个节点之中,每个时钟周期之内,这个节点所变化的几率。最终得到的功耗表达式为:Psw=aCVdd2f。
(2)内部短路功耗
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