2.2 RTL级到版图的设计
ASSP硬件定制化制作如图2所示,每个制作设计中却采田这样的过程 RTL的过程是前面步骤中用作物理制作流的输入而产生的.综合任务由ASSP约束条件集成而来,通过评估包含可编程逻辑通道的实际环境产生这此约束条件。实际环境包括不同操作条件(电压和温厦)下的时钟、输入输出延迟。ASSP的物理设计确定约束,而约束条件的使用率又被看作ASSP客户化的关键因素。ASSP客户化的可制作性和生产的预期要充分利用第一次执行的结果。实际上运行于不同时间段上的顺序流所产生的通道模式是不同的。这些通道模式保留了其余没有变化的层次,而且,应用结构的规律性削减了应用于典型的ASlC的深度微粒化作用。
[!--empirenews.page--]
3 设计事例说明
通过执行一个快速定制化的测试事例来说明系统设计到硅片实现的流程。如图3所示,用C语言编程来有效实现功能层,然后与平台传输层模块交互,把这个模块的SW和HW的部分分开,改进周期测试水准。硬件部分映射到掩膜可编程阵列,包括同等ASCI门和双端口存储器分区,逻辑运行一个单个进程。这个进程调用ARM处理器,数据请求GPIO逻辑和28 K位的双端口存储器。其中双端口存储器分成六个不同的分区,用作样本缓冲和微处理器数据强耦合存储端口。制作整个流程所需的时间是:软硬件需1周,电阻晶体管逻辑需1周;几个常用的描述信号处理逻辑,每个需要3周的时间来完成通道制作和顶层的制作处理。硅样本的初次测试很成功,完成第1片硅和相关的系列产品所需时间证明,所采用的工艺周期时间与标准的单元实现时间相比有很大的改进。二次和进一步相关产品的物理实现流程所要求的时间长短取决于设计工艺的使用。这种工艺能够一次流程完成一个掩膜层的制作,而标准核设计需要在设计流程上有一个新的突破。
4 硅实现
系统芯片的设计采用0.13μmCMOS六金属层的硅工艺;芯片面积23mm2,可配置的可编程逻辑占整个芯片面积的30%;在标准环境下(室温25℃,电压1.2v),通过采用信号处理应用程序测试的可配置逻辑的频率高达l 60 MHz。主要性能有:静态随机访问存储16 KB,数据、指令紧密耦合存储器各为16 KB,数据高速缓存4 KB,指令高速缓存8KB;芯片面积4.0%26;#215;4.7 mm2,系统总线速度235MHz;可编程通道逻辑面积3.1%26;#215;2.3 mm2,总线速度160 MHz。
5 结论
专用标准产品ASSP的特定目标是快速硅制作和相关自动化制作工艺。设计方法锁定于HW/SW建模,以及运行于ASSP体系结构和可编程通道逻辑上的应用程序的设计和改进。尤其是ASSP的单掩膜制作被证实了能够缩短时间周期,削减ASSP相关产品的掩膜成本。在一特定产品开发或应用领域,是选择采用标准单元ASIC还是FPGA,很大程度上取决于存储容量的扩展、面市时间的要求以及其他成本。可编程通道结构的规律性使其更易于大规模制作,更具可靠性,而且减少了深亚微米问题.