HYNIX公司8M byte sdr sdram的verilog语言仿真实现。
上传时间： 2014-12-04
上传用户：h886166
HYNIX 2Gb 详细的数据手册 HY27UF(08/16)2G2A Series 2Gbit (256Mx8bit/128Mx16bit) NAND Flash
上传时间： 2016-08-31
上传用户：love_stanford
HYNIX nand flash datasheet
标签： datasheet HYNIX flash nand
上传时间： 2017-03-20
上传用户：hzy5825468
我们代理的JeJu Semicon是韩国济州半导体的nand flash是使用HYNIX 32nm晶元，封测在HYNIX 封测厂WINPAC进行，厂商号是HYNIX的厂商号，就丝印改成JSC型号丝印。因此与HYNIX nand flash只是型号不一样,硬件软件上都是一样的,直接更换贴片即。目前在网络摄像机，可视楼宇产品，考勤机，人脸识别等产品大量出货。 JSC品牌1G：JS27HU1G08SCN-25 对应的HYNIX 1G 型号 H27U1G8F2CTR-BCJSC品牌2G：JS27HU2G08SCN-25 对应的HYNIX 2G 型号 H27U2G8F2DTR-BCJSC品牌4G：JS27HU4G08SDN-25 对应的HYNIX 4G 型号 H27U4G8F2ETR-BC
上传时间： 2022-05-25
上传用户：hao123
3D加速引擎是3D图形加速系统的重要组成部分，以往在软件平台上对3D引擎的研究，实现了复杂的渲染模型和渲染算法，但这些复杂算法与模型在FPGA上综合实现具有一定难度，针对FPGA的3D加速引擎设计及其平台实现需要进一步研究。 本文在研究3D加速引擎结构的基础上，实现了基于FPGA的图像处理平台，使用模块化的思想，利用IP核技术分析设计实现了3D加速管道及其他模块，并进行了仿真、验证、实现。 图像处理平台选用Virtex-Ⅳ FPGA为核心器件，并搭载了HYNIX HY5DU573222F-25、AT91FR40162S、XCF32P VO48及其他组件。 为满足3D加速引擎的实现与验证，设计搭建的图像处理平台还实现了DDR-SDRAM控制器模块、VGA输出模块、总线控制器模块、命令解释模块、指令寄存器模块及控制寄存器模块。 3D加速引擎设计包含3D加速渲染管道、视角变换管道、基元读取、顶点FIFO、基元FIFO、写内存等模块。针对FPGA的特性，简化、设计、实现了光照管道、纹理管道、着色管道和Alpha融合管道。 最后使用Modelsim进行了仿真测试和图像处理平台上的验证，其结果表明3D加速引擎设计的大部分功能得到实现，结果令人满意。
上传时间： 2013-07-30
上传用户：lepoke
文章针对LDO稳定性的问题，提出了一种内部动态频率补偿电路，使LDO线性稳压器的稳定性不 受负载电容的等效串联电阻的影响，其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变，大大提高了瞬态响应特性； 采用HYNIX 0．5 1TI CMOS工艺模型对电路进行仿真；此外，该电路在实现动态频率补偿的基础上又加人了 系统的过流保护功能，当负载电流大于限制电流时，LDO不能正常工作；当负载电流小于限制电流时，又自动 恢复到正常工作状态
上传时间： 2013-10-27
上传用户：黑漆漆
PK51是为8051系列单片机所设计的开发工具，支持所有8051系列衍生产品，，支持带扩展存储器和扩展指令集（例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters）的新设备,以及支持很多公司的一流的设备和IP内核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, HYNIX, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。通过PK51专业级开发工具，可以轻松地了解8051的On-chip peripherals与及其它关键特性。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：1109003457
Keil C51 V8 专业开发工具（PK51） PK51是为8051系列单片机所设计的开发工具，支持所有8051系列衍生产品，，支持带扩展存储器和扩展指令集（例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters）的新设备,以及支持很多公司的一流的设备和IP内核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, HYNIX, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。 通过PK51专业级开发工具，可以轻松地了解8051的On-chip peripherals与及其它关键特性。 The PK51专业级开发工具包括… l μVision Ø 集成开发环境 Ø 调试器 Ø 软件模拟器 l Keil 8051扩展编译工具 Ø AX51宏汇编程序 Ø ANSI C编译工具 Ø LX51 连接器 Ø OHX51 Object-HEX 转换器 l Keil 8051编译工具 Ø A51宏汇编程序 Ø C51 ANSI C编译工具 Ø BL51 代码库连接器 Ø OHX51 Object-HEX 转换器 Ø OC51 集合目标转换器 l 目标调试器 Ø FlashMON51 目标监控器 Ø MON51目标监控器 Ø MON390 (Dallas 390)目标监控器 Ø MONADI (Analog Devices 812)目标监控器 Ø ISD51 在系统调试 l RTX51微实时内核 你应该考虑PK51开发工具包,如果你… l 需要用8051系列单片机来开发 l 需要开发 Dallas 390 或者 Philips 51MX代码 l 需要用C编写代码 l 需要一个软件模拟器或是没有硬件仿真器 l 需要在单芯片上基于小实时内核创建复杂的应用
上传时间： 2013-10-29
上传用户：yy_cn
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器， 它提供标准接口并管理闪存， 使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。二． eMMC的优点eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash 芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba) 或海力士(HYNIX) 、美光(Micron) 等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技术改朝换代，包括70 纳米演进至50 纳米，再演进至40 纳米或30 纳米制程技术，手机客户也都要重新设计， 但半导体产品每1 年制程技术都会推陈出新， 存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 颗MCP上的概念，逐渐风行起来。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash 芯片和控制芯片设计成1 颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash 兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。闪存Flash 的制程和技术变化很快，特别是TLC 技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash 的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash 内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC 和TLC 的管理， ECC 除错机制(Error Correcting Code) 、区块管理(BlockManagement)、平均抹写储存区块技术 (Wear Leveling) 、区块管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash 芯片的时间，不必关心NAND Flash 芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash 闪存芯片，如此， eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。
标签： emmc
上传时间： 2022-06-20
上传用户：jiabin
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。目前CCD几乎被日系厂商垄断，只有少数几个厂商例如索尼、夏普、松下、富士、东芝等掌握这种技术。CIS是90年代兴起的新技术，掌握该技术的公司较多，美国有OmniVision，Aptina；欧洲有ST；韩国的三星，SiliconFile，HYNIX等；日本的SONY，东芝等；中国台湾的晶像；大陆地区的比亚迪，格科微等公司。由于CCD技术出现早，相对成熟，前期占据了绝大部分的高端市场。早期CIS与CCD相比，仅功耗与成本优势明显，因此多用于手机，PCCamera等便携产品。随着CIS技术的不断进步，性能不断提升；而CCD技术提升空间有限，进步缓慢。目前CIS不仅占据几乎全部的便携设备市场，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市场，更是向CCD传统优势市场——监控市场发起冲击。下面就监控专用CIS与传统CCD进行综合对比。
上传时间： 2022-06-23
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