赛灵思采用专为 FPGA 定制的芯片制造工艺和创新型统一架构，让 7 系列 FPGA 的功耗较前一代器件降低一半以上。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：sklzzy
现代的电子设计和芯片制造技术正在飞速发展，电子产品的复杂度、时钟和总线频率等等都呈快速上升趋势，但系统的电压却不断在减小，所有的这一切加上产品投放市场的时间要求给设计师带来了前所未有的巨大压力。要想保证产品的一次性成功就必须能预见设计中可能出现的各种问题，并及时给出合理的解决方案，对于高速的数字电路来说，最令人头大的莫过于如何确保瞬时跳变的数字信号通过较长的一段传输线，还能完整地被接收，并保证良好的电磁兼容性，这就是目前颇受关注的信号完整性（SI）问题。本章就是围绕信号完整性的问题，让大家对高速电路有个基本的认识，并介绍一些相关的基本概念。 第一章 高速数字电路概述.....................................................................................51.1 何为高速电路...............................................................................................51.2 高速带来的问题及设计流程剖析...............................................................61.3 相关的一些基本概念...................................................................................8第二章 传输线理论...............................................................................................122.1 分布式系统和集总电路.............................................................................122.2 传输线的RLCG 模型和电报方程...............................................................132.3 传输线的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本质.................................................................................142.3.2 特征阻抗相关计算.............................................................................152.3.3 特性阻抗对信号完整性的影响.........................................................172.4 传输线电报方程及推导.............................................................................182.5 趋肤效应和集束效应.................................................................................232.6 信号的反射.................................................................................................252.6.1 反射机理和电报方程.........................................................................252.6.2 反射导致信号的失真问题.................................................................302.6.2.1 过冲和下冲.....................................................................................302.6.2.2 振荡：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分线的匹配.................................................................................392.6.3.4 多负载的匹配.................................................................................41第三章 串扰的分析...............................................................................................423.1 串扰的基本概念.........................................................................................423.2 前向串扰和后向串扰.................................................................................433.3 后向串扰的反射.........................................................................................463.4 后向串扰的饱和.........................................................................................463.5 共模和差模电流对串扰的影响.................................................................483.6 连接器的串扰问题.....................................................................................513.7 串扰的具体计算.........................................................................................543.8 避免串扰的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的产生..................................................................................................614.2.1 电压瞬变.............................................................................................614.2.2 信号的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 电场屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁场屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 电磁场屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 电磁屏蔽体和屏蔽效率.................................................................684.3.2 滤波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦电容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 设计中的EMI.......................................................................................754.4.1 传输线RLC 参数和EMI ........................................................................764.4.2 叠层设计抑制EMI ..............................................................................774.4.3 电容和接地过孔对回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走线规则.................................................................................79第五章 电源完整性理论基础...............................................................................825.1 电源噪声的起因及危害.............................................................................825.2 电源阻抗设计.............................................................................................855.3 同步开关噪声分析.....................................................................................875.3.1 芯片内部开关噪声.............................................................................885.3.2 芯片外部开关噪声.............................................................................895.3.3 等效电感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路电容的特性和应用.............................................................................925.4.1 电容的频率特性.................................................................................935.4.3 电容的介质和封装影响.....................................................................955.4.3 电容并联特性及反谐振.....................................................................955.4.4 如何选择电容.....................................................................................975.4.5 电容的摆放及Layout ........................................................................99第六章 系统时序.................................................................................................1006.1 普通时序系统...........................................................................................1006.1.1 时序参数的确定...............................................................................1016.1.2 时序约束条件...................................................................................1066.2 源同步时序系统.......................................................................................1086.2.1 源同步系统的基本结构...................................................................1096.2.2 源同步时序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由来...................................................................................... 1137.2 IBIS 与SPICE 的比较.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的构成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相关工具及链接..............................................................................120第八章 高速设计理论在实际中的运用.............................................................1228.1 叠层设计方案...........................................................................................1228.2 过孔对信号传输的影响...........................................................................1278.3 一般布局规则...........................................................................................1298.4 接地技术...................................................................................................1308.5 PCB 走线策略............................................................................................134
标签： 信号完整性
上传时间： 2013-11-01
上传用户：xitai
传统集成电路，封装的成本相对较低；但是在某些器件中，封装成本已接近器件成本的1/2；在MEMS/微系统中，封装可能比芯片制造更加困难，成本可能上升为70%～90%；封装已经成为新器件商业化的瓶颈
标签： 半导体封装
上传时间： 2022-01-13
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PCB联盟网-科普知识--《电子封装材料与工艺》 学习笔记 54页本人主要从事 IC 封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解 IC 封装产业的动态和技术，自学了《电子封装材料 与工艺》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨第一章 集成电路芯片的发展与制造 1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋 转的荷负电的电子组成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用 的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键； 2、真空管（电子管）： a.真空管问世于 1883 年 Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903 年英格兰的 J.A.Fleming 发现了真 空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极； b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906 年美国发明家 Lee DeForest 在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更 多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能； c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容 易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使 用中退出； 3、半导体理论： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、 磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）； b.二极管（一个 p-n 结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止； c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的 p-n 结组合成一个器件，导致了之！
上传时间： 2022-02-06
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半导体切片 保存到我的百度网盘 下载 芯片封装详细图解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片机张刀对切片质量的影响-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 内圆切片机设计.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生产工艺介绍.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半导体集成电路(最终版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半导体晶体的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半导体材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰冻切片的制备.docx 23KB2019-10-08 11:29 半导体芯片制造技术4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半导体全制程介绍.doc 728KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半导体工艺技术.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半导体工业简介-简体中文...ppt 半导体清洗 新型半导体清洗剂的清洗工艺.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工艺提升中的半导体清洗技术.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超声波清洗技术的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半导体制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半导体制造工艺第3章-清-洗-工-艺.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半导体制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半导体清洗技术面临变革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆自动清洗设备.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆的污染杂质及清洗技术.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半导体工艺-晶圆清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半导体第五讲硅片清洗(4课时).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.doc 半导体抛光 直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 抛光技术及抛光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半导体工艺化学.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半导体工艺.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半导体-第十四讲-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化学机械抛光技术的研究进展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 半导体研磨 半导体制造工艺第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半导体晶圆的生产工艺流程介绍.docx 18KB2019-10-08 11:29 半导体硅材料研磨液研究进展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半导体封装制程及其设备介绍.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半导体IC工艺流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半导体CMP工艺介绍.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半导体-第十六讲-新型封装.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半导体基础知识.pdf
上传时间： 2013-06-14
上传用户：eeworm
验证是制造出功能正确的芯片的必要步骤，是一个证明设计思路是如何实现的过程。本书首先介绍验证的基本概念和各种工具，验证的重要性和代价，比较了不同的验证方法，以及测试和验证的区别。然后从方法学的角度探讨了验证的策略和层次，介绍了覆盖率模型和如何制定完整的验证计划。在验证的方法和技术方面，本书引入了硬件验证语言（HVL），讨论了使用行为描述进行高层次建模的方法，介绍了施加激励和监视响应的技术，以及通过使用总线功能模型把物理层次的事务抽象为更高层次的过程，并结合各种测试语言讲解了仿真管理的各个要素。本书提出了覆盖率驱动的受约束的随机事务级自检验测试平台，并围绕这种结构对其中各个部分原理及设计要素进行了系统的讨论。本书还介绍了如何编写自检验测试平台、设计基于总线功能模型的随机激励发生器。 本书适合于从事ASIC、SoC及系统设计与验证的人员阅读。
上传时间： 2016-10-30
上传用户：tedo811
完整讲解芯片的制造过程：温洗、光刻、离子注入、干蚀刻、温蚀刻、等离子冲洗、热处理、化学气相淀积等
标签： 芯片设计
上传时间： 2021-11-15
上传用户：
PT2262/2272是一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编解码电路，是目前在无线通讯电路中作地址编码识别最常用的芯片之一。PT2262/2272最多可有12位（A0-A11）三态地址端管脚（悬空，接高电平，接低电平），任意组合可提供531441地址码，PT2262最多可有6位（D0-D5）数据端管脚，设定的地址码和数据码从17脚串行输出。PT2262/2272必须用相同地址码配对使用，当需要增加一个通讯机时，用户不得不求助于技术人员或厂家来设置相同地址码，客户自己设置相对比较麻烦，尤其对不懂电子的人来说。随着人们对操作的要求越来越高，PT2262/2272的这种配对使用严重制约着使用的方便性，人们不断地要求使用一种无须请教专业人士，无须使用特殊工具，任何人都可以操作的方便的手段来弥补PT2262/2272的缺陷，这就是PT2262软件解码。如果在接收端采用软件解码，则可节省单片机的I/O口和解码芯片PT2272，本方案适合单工无线传输，发射端无须单片机，硬件简单，性价比高。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：miaochun888
用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构，与器件制造工艺兼容!键合温度低!有足够的键合强度，不损坏器件结构，实现了MEMS器件的芯片级封装。
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
产品型号：HT9B92 产品品牌：HOLTEK/合泰 封装形式：TSSOP48/LQFP48 产品年份：新年份 原厂直销，工程服务，技术支持，价格更具优势！ RAM 映射 36×4 LCD 显示驱动器 概述 HT9B92 是一款存储器映射和多功能LCD控制驱动芯片。该芯片显示模式有144 点(36×4 )。 HT9B92 软件配置特性使得它适用于多种LCD应用，包括LCD 模块和显示子系统。HT9B92 通过双线双向 I2C 接口与大多数微处理器/ 微控制器进行通信。 功能特点 ● 工作电压：2.4V~5.5V ● 内部集成振荡电路 ● Bias: 1/2 or 1/3; Duty: 1/4 ● 带电压跟随器的内部LCD 偏置发生器 ● 提供VLCD 引脚来调整LCD 工作电压 ● I2C接口 ● 可选 LCD 帧频率 ● 多达36×4 位RAM 用来存储显示数据 ● 最大显示模式36×4：36 SEGs 和4 COMs ● 多种闪烁模式：不闪烁，0.5Hz，1Hz，2Hz ● 写地址自动增加 ● 低功耗省电模式 ● 采用硅栅极CMOS 制造工艺 ● 封装类型：48-pin TSSOP/LQFP ● 市面可兼容型号：元泰VINTEK：VKL44A TSSOP48封装，VKL144B QFN48(6MM*6MM)封装，VKL128 LQFP44封装，VKL060 SSOP24封装 ------ 同种脚位可以任意切换，少脚位更具性价比高，方便设计等特点。 ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 产品型号：VKL144A 产品品牌：VINTEK/元泰 封装形式：TSSOP48 产品年份：新年份 原厂直销，工程服务，技术支持，价格更具优势！ 超低功耗液晶LCD显示驱动芯片 概述 VKL144A是一款性能优越的字段式液晶显示驱动芯片，由于其驱动段位多达144段和超低功耗的工艺设计特点。还具有性能稳定和低价格优势、供货稳定，目前被业界广泛应用在众多的仪器仪表的产品上。比如手持式仪表、费率表、工控仪表、医疗仪器、专用测量仪表头等等设备上使用 功能特点 ● 液晶驱动输出： Common 输出4线 Segment 输出36线 ● 内置Display data RAM (DDRAM) 内置RAM容量：36*4 =144 bit ● 液晶驱动的电源电路 1/2 ，1/3 Bias ，1/4 Duty 内置Buffer AMP I2C串行接口(SCL, SDA) ● 内置振荡电路 ● 不需要外围部件 ● 低功耗设计 ● 搭载等待模式 ● 内置Power-on Reset电路 ● 搭载闪烁功能 ● 工作电源电压： 2.5-5.5V ★应用推荐： 各种费率表，电表、水表、气表、热表、各种计量专用表头。 ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 产品型号：VKL144B 产品品牌：VINTEK/元泰 封装形式：QFN48L(6MM*6MM) 产品年份：新年份 原厂直销，工程服务，技术支持，价格更具优势！ 超低功耗液晶LCD显示驱动芯片 概述 VKL144B是一款性能优越的字段式液晶显示驱动芯片，由于其驱动段位多达144段和超低功耗的工艺设计特点。还具有性能稳定和低价格优势、供货稳定，目前被业界广泛应用在众多的仪器仪表的产品上。比如手持式仪表、费率表、工控仪表、医疗仪器、专用测量仪表头等等设备上使用 功能特点 ● 液晶驱动输出： Common 输出4线 Segment 输出36线 ● 内置Display data RAM (DDRAM) 内置RAM容量：36*4 =144 bit ● 液晶驱动的电源电路 1/2 ，1/3 Bias ，1/4 Duty 内置Buffer AMP I2C串行接口(SCL, SDA) ● 内置振荡电路 ● 不需要外围部件 ● 低功耗设计 ● 搭载等待模式 ● 内置Power-on Reset电路 ● 搭载闪烁功能 ● 工作电源电压： 2.5-5.5V ★应用推荐： 各种费率表，电表、水表、气表、热表、各种计量专用表头。 HOLTEK合泰全系列产品 芯片介绍如下： 一.LCD液晶显示驱动控制器 HT1620 HT1620G HT1621 HT1621B HT1621G HT1622 HT1622G HT1623 HT1625 HT1626 HT16C21 HT16C22 HT16C23 HT16C24 HT1620 HT16220 HT1647 HT1650 HT1660 HT1670 HT16K23 HT9B92 HT9B92G HT9B95A HT9B95B HT9B95C HT16LK24 HT16L21 HT16L23 HT1611C HT1613C HT1616C （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 二：LED/VFD控制、驱动器 HT16506 HT16511 HT16512 HT16515 HT16514 HT16561 HT16562 HT16565 HT16566 HT16523 HT16525 HT1632C HT16K33 HT16K33 HT16528-001 HT16528-002 HT16528-003 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 三．Touch Key触摸按键电路/ I/O Flash MCU BS801B/C BS802B/C BS804B/C BS804B/C BS806B/C BS808B/C BS812A-1 BS813A-1 BS814A-1 BS814A-2 BS816A-1 BS818A-2 BS8112A-3 BS8116A-3 BS83A02A-4 BS83A04A-3 BS83A04A-4 BS83B04A-4 BS83B08A-3 BS83B08A-4 BS83B12A-3 BS83B12A-4 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 四.HT7XXX全系列 微功耗LDO HT1015-1 HT71xx-1 HT71xx-2 HT71xx-3 HT71xx-3 HT75xx-1 HT75xx-2 HT75xx-3 HT73xx HT72xx HT78xx Power management(电源LDO稳压管理IC) HT71**为30MA稳压芯片 产品：HT7130，HT7133，HT7136，HT7144，HT7150 HT75**为100MA稳压芯片 产品：HT7530，HT7533，HT7536，HT7544，HT7550 HT73**为300MA稳压芯片 产品：HT7318,HT7325,HT7327,HT7330,HT7333,HT7335,HT7350 HT70**为电压检测芯片 产品：HT7022，HT7024，HT7027，HT7033，HT7039，HT7044，HT7050 HT77：：为升压DC-DC芯片 产品：HT7727，HT7730，HT7733，HT7737，HT7750 LDO与探测器和数据收发：HT71DXX 高电源抑制比300mA双LDO稳压器：HT72Dxxxx 高电源抑制比300mA LDO稳压器：HT72BXX 高电源抑制比 150mA LDO稳压器：HT75BXX 高电源抑制比 500mA LDO稳压器：HT78BXX 3SOT89 T/R 电压检测器系列（小功率）：HT70xxA-1 HT70xxA-2 HT70xxA-3 PFM升压DC-DC变换器：HT77xx HT77xxA HT77S10 HT77S11 PFM同步升压直流/直流转换器：HT77xxS HT77xxSA LED照明驱动：HT7L4811 HT7L4091 HT7L4091 HT7L2102 HT7L2103 HT7L2103 白光LED背光驱动：HT7936 HT7937 HT7938 HT7938A HT7939 HT7943 HT7945 降压直流-直流转换器：HT7465 HT7466 AC/DC PWM变换器：HT7A3942 HT7A6002 HT7A6003 HT7A4016 充电泵直流/直流转换器：HT7660 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 五：时钟IC及其他消费类IC HT1380 HT1380A HT1381 HT1381A HT1382 HT9200A HT9170 HT9172 HT9032 HT8970 HT9247 HT82V731 HT82V736 HT6221 HT6222 HT62104 HT12A\E HT12D\F （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 六．电可擦除只读存储器 HT2201 HT24LC02 HT24LC02A HT24LC04 HT24LC08 HT24LC16 HT24LC32 HT24LC64 HT24LC128 HT24LC256 HT93LC46 HT93LC66 HT93LC86 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 七．各类编码/射频/解码器 HT12D HT12E HT12F HT6010 HT6012 HT6014 HT6026 HT6030 HT6032 HT6034 HT600 HT604L HT6207 HT680 HT6P20B HT6P20D HT6P40B2 HT6P40C2 HT6P40D2 HT6P40E2 HT6P40B2T3 HT6P40C2T3 HT6P40D2T3 HT6P40E2T3 HT6P423A HT6P423A HT6P427A HT6P433A HT6P437A HT12C2T3 HT12C2T4 HT12E2T3 HT12E2T4 HT12E2T4 HT16C2T3 HT16C2T4 HT16E2T3 HT16E2T4 HT16G2T3 HT16G2T4 HT9831 HT7610A HT7611A/B HT7612 HT7612B （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 八．MCU（微控IC） HT48 系列 应用于遥控，电扇/电灯控制，洗衣机控制，电子秤，玩具及各种系统控制. 产品：HT48R05，HT48R06，HT48R30，HT48R50 HT49系列 应用于多种LCD DI低功耗应用，如电子秤，休闲产品，高阶的家用电器 产品：HT49R30，HT49R50 HT46带A/D系列 适用于充电器控制，电磁炉等 产品：HT46R47，HT46R22，HT46R23，HT46R24，HT46R51 HT46带A/D及LCD系列 适用于洗衣机控制器，相机控制器和带LCD显示的家用电器系列 产品：HT46R62，HT46R63，HT46R64 HT48RA系列适用于红外遥控器以及各种电子系统的控制器 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 九．放大器/音频放大器 /DA转换器 HT9231 HT9232 HT9234 HT9251 HT9252 HT9254 HT9274 HT9291 HT9292 HT9294 HT82V732 HT82V733 HT82V735 HT82V736 HT82V736 HT82V739 HT82V73 HT82V731 HT82V737 HT82V738 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） 十．音调IC/发生器 /接收器 HT9200A HT9200B HT9170B HT9170D HT9172 HT8970 HT8972 （全部封装、规格形式 均有海量现货！） IC型号众多，未能一一收录。 芯片主要应用领域如下： ★显示模块：电子秤、无线麦克风、录音笔、影音多媒体、小家电周边 ★家电类：电风扇、电饭煲、玩具、冷气机、暖风机、空调扇、饮水机、抽油烟机、消毒柜、电热水器、面包机、豆浆机、咖啡壶、电冰箱、洗衣机控制器、空调控制板等。 ★通讯类：来电显示电话、无绳电话、IC电话、投币电话、对讲机等 ★玩具游戏类：无线遥控车、PS游戏机、跳舞毯、方向盘、手柄、电子枪、PS开机IC等。 ★计算机周边：显示器控制、PC-MOUSE、单/双滚、遥控MOUSE、键盘、手写板等。 ★智能卡类：IC卡煤气表、电能表、水表、IC读写器、IC卡门禁系统等。 ★汽车及防盗类：机车防盗器、********器、汽车天线控制器、里程表、汽车日历等。 ★医用保健类：电子针灸器、甩脂机、智能体温计、LCD显示血压计、跑步机、按摩器、按摩垫、按摩椅 等。 ★仪表类：电压表、瓦斯表、电池电压检测器、频率计、计数器、电度表、水位检测器等。 ★其它类：充电器、照相机、电子万年钟、自动给皂机、路灯控制器、呼叫服务器等
标签： TSSOP B92 HT9 LCD HT 9B 92 48 合泰 液晶驱动
上传时间： 2018-12-07
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