对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究，该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势，是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验，解决了圆片级封装问题，在低温250 ℃和适当压力辅助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）实现了加速度计的圆片级封装，并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：JasonC
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：hjkhjk
ADXL345是一款小巧纤薄的低功耗三轴加速度计，可以对高达±16 g的加速度进行高分辨率（13位）测量。数字输出数据为16位二进制补码格式，可通过SPI（3线或4线）或者I2C数字接口访问。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：Andy123456
图1所示电路采用digiPOT+系列数字电位计AD5292、双通道运算放大器ADA4091-2和基准电压源ADR512，提供一种低成本、高电压、单极性DAC。该电路提供10位分辨率，输出电压范围为0 V至30 V，能够提供最高±20 mA的输出电流。AD5292可以通过SPI兼容型串行接口编程。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：yuhaihua_tony
用AD8362制作功率计，用于测量射频功率
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ArmKing88
mos管门级驱动电阻计算
上传时间： 2013-12-19
上传用户：王楚楚
通过单个加速度计增强计步器的性能
上传时间： 2013-10-16
上传用户：jcljkh
SX-600驻波功率计说明书,详细介绍它的使用和注意事项。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：long14578
上下拉电阻的小结，希望对大家有用
标签： 下拉电阻
上传时间： 2013-10-21
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
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