vdd
共 149 篇文章
vdd 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 149 篇文章，持续更新中。
模拟CMOSIC学习总结
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实
触摸芯片
16 个电容式触摸感应按键
● 工作电压：2.5V～5.5V
● 功率消耗：VDD=5V 无负载
工作电流550uA，待机电流6uA
● 按键灵敏度可由外部电容自由调节
● 提供一对一/BCD 输出和I²C 通讯
● 触摸生效“哔”音提醒功能
● 内置上电复位和低电压复位电路
电路图符号大全
VCC 是电路的供电电压,：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压，
VDD 是芯片的工作电压；D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，
在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd
VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。
VEE：负电压供电；场效应管的源极（S），VEE 和VSS 为电源负正或者地
关于Vcc和Vdd的区别.doc
关于Vcc和Vdd的区别.doc收藏分享
C8051F30x手册
C8051F300/1/2/3/4/5 器件是完全集成的混合信号系统级 MCU芯片。下面列出了一些主要
特性，有关某一产品的具体特性参见表 1.1。
y 高速、流水线结构的 8051 兼容的 CIP-51 微控制器内核（可达 25MIPS）
y 全速、非侵入式的在系统调试接口（片内）
y 真正 8 位 500 ksps的 11 通道 ADC，带 PGA和模拟多路器。
y
在电压VDD=12V±10％的条件下AD7578（AD7582）的典型性能
在电压VDD=12V±10%的条件下AD7578（AD7582）的典型性能
AMC7140 for LED streetlamp
The recommended range for input voltage VDD is: VF,MAX+0.35V≦VDD≦VF,MAX+3V.<BR>Where, VF,MAX is the
【莱士推荐】LIS9412系列 24W 150V150MA 非隔离 低PF@
1、元器件个数少，单贴生产工艺，性能稳定，降底成本
2、高压启动，实现LED灯即点即亮
3、CMM工作模式，无需输出电容，输出电流交流纹波低
4、专利供电技术，无需VDD供电电容
5、优异的负载调整率和线性调整率
6、多种保护功能
7、优化EMI设计，满足LED驱动对EMC要求
8、防潮不闪灯
代替RT7331 ZCC7331可调光初级调整LED驱动器
<p>ZCC7331S是可調光定電流LED驅動器，它以準諧振模式工作，具有較高的效率表現。它使用初級側調整方式對輸出電流進行精確調節，無需使用次級側分流式調節器和光電耦合器，構成系統的元件數量少，成本低，節省板面空間。 </p><p><br style="-webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); box-sizing: border-box; -
VIPER12A 12V400mA非隔离电源管理芯片方案
VIPER12A 12V400mA非隔离电源管理芯片方案，VIPER12A是采用电流模式PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方案。芯片VDD 的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。
采用自举升压结构设计双电压mosfet驱动电路
所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。
VCC、 VDD、VEE、VSS 电压理解
VCC、 VDD、VEE、VSS 电压理解，图文讲述，通俗易懂，不愧是 初学者福利。可以看得出作者真的很用心.这也让我们学习电子基础更加的容易理解。
Si890X主控制器推荐
本应用笔记对于采用Si890x的操作（包括串行端口重新同步和VDD丢失恢复）配置用户的主控制器提供了有用的建议。
IC资料-CD4051_4052_4053多路选择模拟开关
<p>IC资料-CD4051_4052_4053多路选择模拟开关</p><p>CD4051 系列模拟开关是用数字信号控制的多路调制/选择模拟开关，具有低</p><p>导通电阻和很低的关态漏电流。通过模拟开关的模拟量幅度可高达15VP-P，与CD</p><p>系列数字电路的3V～15V 工作范围正好相对应。例如，选VDD＝5V，VSS＝0V，VEE</p><p>＝-5V，那么幅度-5V～+5V 的模
NSA2860单颗校准系统使用说明V1.2
<p>本系统旨在帮助客户实验室级别快速验证2860信号调理芯片。系统命名为NSA2860EVA。</p><p>包含硬件、软件两个部分。 </p><p>NSA2860EVA 送样包清单如下，下图为主要器件示例： </p><p>EVA Board：485 通讯母板。 </p><p>NSA2860 DUT：测试模块。 </p><p>24V 稳压源：系统供电电源。&
非常详细的12864中文资料
<p>一、 概述 </p><p>二、 带中文字库的128X64是一种具有4位/8位并行、2线或3线串行多种接口方式，内部含有国标一级、二级简体中文字库的点阵图形液晶显示模块；其显示分辨率为128×64, 内置8192个16*16点汉字，和128个16*8点ASCII字符集.利用该模块灵活的接口方式和简单、方便的操作指令，可构成全中文人机交互图形界面。可以
实现稳健触摸传感设计的技术
<p>本应用笔记旨在介绍开发适用于噪声环境的电容式触摸应用时的最佳设计实践。本应用笔记首先定义噪声所引发的问题，并说明噪声通常如何影响系统。然后提供硬件准则，以帮助将应用的自然信噪比（signal-to-noiseratio，SNR）最大化。最后会涵盖多种软件技术，以介绍一些常用于对传感器信号进行滤波以进一步提高 SNR 的方法，并根据电容传感器的特性来做出解码决策。</p><p><br/></p
FAN6204 — 反激和正激续流整流的同步整流控制器应用资料
<p>同步整流芯片FAN6024应用资料</p><p>本应用手册给出了飞兆半导体次级同步整流控制器
（SR）FAN6204的设计要点，适用于连续导通模式
（CCM）、断续导通模式（DCM）、准谐振（QR）反
激式变换器以及双管正激续流整流（图1和图2）。 </p><p>FAN6204采用了独创的线性预测时序控制技术，用于决
定SR MOSFET的开通与关断时序。该控制技术只需检
电路常识性概念(8)-MOS管
<p>以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为“源极”；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。<br/> 对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通，栅极5要加低电平。<br/> &nb
AD17学习笔记
<p>1.1丝印批量隐藏 </p><p>1.2给特定网络添加颜色 </p><p>1.3在原理图和PCB环境下查找元件 </p><p>1.4原理图编译检查 </p><p>1.5使用封装管理器批量添加封装</p><p>1.6生成制造光绘文件 </p><p>1.6鼠标向左向右框选方式改为线选 </p><p>1.8PCB布线基本规则设置</p><p>1.9电路板设计的基本常识 </p><p>2.0 AD1